HDP CVD的工艺原理 在HDP CVD工艺问世之前,大多数芯片厂普遍采用等离子体增强化学气相沉积(PE CVD)进行绝缘介质的填充。这种工艺对于大于0.8微米的间隙具有良好的填孔效果,然而对于小于0.8微米的间隙,用单步PE CVD 工艺填充具有高的深宽比(定义为间隙的深度和宽度的比值)的间隙时会在其中部产生夹断(pinch-off)和...
HDP-CVD是一种重要的薄膜生长技术,通过利用高密度等离子体环境中的化学反应,实现在衬底上沉积薄膜。它在半导体制造工艺中发挥着重要的作用,用于生长绝缘层和金属薄膜,以满足不同器件的要求。该技术的工作原理清晰明了,通过控制气体流量、反应室压力和衬底温度等参数,可以实现对薄膜成分和性质的精确控制。随着半导体工艺的...
Reliant 设备 化学气相沉积(CVD) 等离子体增强化学气相沉积(PECVD) 脉冲激光沉积(PLD) 高密度等离子体化学气相沉积(HDP-CVD) 我们的 Reliant 沉积产品可实现特色工艺路线图,并延长晶圆厂的生产设备利用年限。 先进封装, 互联, 传感器和换能器, 光电子学与光子学, 分立与功率器件, 图形化, 射频MEMS, 晶体...
型号 CENTURA HDP 加工定制 否 新旧程度 二手 是否现货 是 库存数量 99 晶圆尺寸 8英寸 年份 1995 设备类型 HDP-CVD 打包封装 完成 产品名称 二手刻蚀机 产品类型 刻蚀机 可售卖地 全国 发货地 青岛 品牌 AMAT 价格说明 价格:商品在爱采购的展示标价,具体的成交价格可能因商品参加活动等情况发生变...
HDP CVD(High-density plasma)是用在沟槽和高深宽比填孔的,半导体CVD设备中HDP CVD设备国产率极低,难在哪? 原理是什么? 用射频(RF)源激发混合气体产生离子源,通过高密度等离子体并直接使高密度等离子体到达硅片表面。(HDPCVD可以填充深宽比为4:1甚至更高的间隙,半导体里普遍采用沉积刻蚀比(DS ratio)作为衡量HDP...
HDP-CVD，即高密度等离子体化学气相沉积，是PECVD技术的一种特殊变体。它能够在较低的沉积温度下，实现比传统PECVD设备更高的等离子体密度和质量。此外，HDP-CVD还提供了近乎独立的离子通量和能量控制，从而增强了沟槽或孔的填充能力。这使得它成为高要求薄膜沉积应用，例如抗反射涂层和低介电常数材料沉积等的理想选择...
专利名称:Hdp-cvd多步间隙填充处理的制作方法 背景技术: 在半导体技术的发展中所面临的一个持久挑战是希望增加衬底上的电路元件和互连的密度而不会引入它们之间的寄生相互作用。一般通过提供填充有电绝缘材料的间隙或沟槽来物理地和电地隔离元件,防止所不希望出现的相互作用。然而,随着电路密度的增大,这些间隙的宽度减小...
提供了一种利用HDP-CVD沉积,刻蚀和沉积步骤的循环进行的间隙填充处理.第一沉积步骤期间的流动气体包括诸如He之类的惰性气体,剩余部分沉积步骤期间的流动气体包括H<SUB>2</SUB>.第一沉积步骤期间流动气体的较高平均分子量在限定间隙的结构上提供了某些尖头,以在刻蚀步骤期间保护这些结构.剩余部分沉积步骤期间流动气体的...
The Applied Centura Ultima HDP CVD 200mm and 300mm systems deliver a high-densityplasmaCVDprocess. It has been the industry-leading workhorse delivering high-qualitydielectricfilms and void-free gapfill. Its reactor enables customers to achieve the productivity, cost-efficiency, and extendibility nee...
1.本技术涉及半导体集成电路制造技术领域,具体涉及一种高密度等离子体化学气相沉积(high density plasma chemical vapor deposition,hdp-cvd)设备的控制方法、设备和存储介质。 背景技术: 2.hdp-cvd设备广泛应用于半导体集成电路的生产制造工艺中,其原理为等离子体在低压下以高密度混合气体的形式接触到反应腔中晶圆的表面...