高密度等离子体化学气相淀积HDP CVD工艺第六图书馆随着半导体技术的飞速发展,单个芯片上所能承载的晶体管数量以惊人的速度增长 ,与此同时,半导体制造商们岀于节约成本的 需要迫切地希望单个晶圆上能够容纳更多的芯片。这种趋势推动了半导体器件特
本文所介绍的高密度等离子体化学气相淀积(HDP CVD)工艺自20世纪90年代中期开始被先进的芯片工厂采用以来,以其卓越的填孔能力、稳定的淀积质量、可靠的电学特性等诸多优点而迅速成为0.25微米以下先进工艺的主流。图1所示即为在超大规模集成电路中HDP CVD工艺的典型应用。 图1 HDP CVD工艺在超大规模集成电路中的典型...
文档介绍:高密度等离子体化学气相淀积(HDP CVD)工艺第六图书馆随着半导体技术的飞速发展,单个芯片上所能承载的晶体管数量以惊人的速度增长 ,与此同时,半导体制造商们岀于节约成本的 需要迫切地希望单个晶圆上能够容纳更多的芯片。这种趋势推动了tp:// 第六图书馆1. HDP CVD的工艺原理图2 PE CVD工艺爆礼中产生...