HDPCVD是一种化学气相沉积(CVD)技术的变种,通过高频射频或微波等激励源在气体中产生高密度的等离子体,使沉积物质离子化并沉积在基片表面形成薄膜。 在HDPCVD过程中,当气体被加热至等离子体状态时,分子会解离成原子和离子,并具有较高的反应活性。这些离子受到电场吸引沉积在基片表面形成均匀、致密的薄膜。 2.优点 1. ...
知识星球里的学员问:麻烦介绍下HDPCVD的具体用途,原理 什么是HDPCVD? HDPCVD,全名High Density Plasma Chemical Vapor Deposition,即高密度等离子体化学气相沉积。它产生的等离子体密度非常高,通常在10¹¹至10¹² ions/cm³的量级。相比之下,PECVD的等离子体密度就很低了,在间隔宽度小于0.5μm的情况下,用...
04月15日 一、 HDPCVD工艺在芯片制造中的应用 半导体HDPCVD工艺是一种重要的芯片制造工艺,自20世纪90年代中期开始被先进的芯片工厂广泛采用。该工艺以其卓越的填孔能力、稳定的淀积质量、可靠的电学特性等诸多优点,...
在HDPCVD反应腔中高密度等离子体轰击硅片表面会导致很高的硅片温度, 然而HDPCVD工艺的重要应用之一-金属层间绝缘层(IMD)必须在400℃低温下进 行以避免损伤金属铝(铝的熔点是660℃),另外,高的热负荷会引起硅片的热应 力.对硅片温度的限制要求对硅片进行降温,在HDPCVD反应腔中是由背面氦气 ...
1月9日消息，近日，由国产半导体设备龙头厂商——北方华创自主研发的12英寸高密度等离子体化学气相沉积（HDPCVD）设备Orion Proxima正式进入客户端验证。这标志着北方华创在绝缘介质填充工艺技术上实现了新的突破，也为北方华创进军12英寸介质薄膜设备领域，打开百亿级市场迈出了坚实的一步。集成电路领域高速发展，对芯片...
在HDPCVD过程中,薄膜应力过高可能会对薄膜的结构和性能产生负面影响。通过优化沉积条件、选择合适的基片和缓冲层、控制沉积速率以及优化薄膜结构等措施,可以有效减轻或消除薄膜的应力,提高薄膜的稳定性和质量。在工程实践中,结合不同措施,根据具体情况进行调整和应用,有助于解决薄膜应力过高的问题。
2、高密度等离子体化学气相淀积(HDPCVDX艺自20世纪90年代中期开始被先进的芯片工厂采用以来,以其卓越的填孔能力、稳定的淀积质量、可靠的电学特性等诸多优点而迅速成为0.25微米以下先进工艺的主流。图1所示即为在超大规模集成电路中HDPCVD艺的典型应用。随着半导体技术的飞速发展,单个芯片上所能承载的晶 体管数量以惊人...
盛吉盛申请用于HDPCVD设备腔体的狭缝门装置专利，能够有效增大溅射率 金融界2024年12月4日消息，国家知识产权局信息显示，盛吉盛（宁波）半导体科技有限公司申请一项名为“一种用于HDPCVD设备腔体的狭缝门装置”的专利，公开号 CN 119061381 A，申请日期为2024年8月。专利摘要显示，本发明公开一种用于HDPCVD设备腔体的狭缝...
HDPCVD是一种可以同时进行薄膜沉积与刻蚀制程的技术,极大提高了生产效率。HDPCVD设备有两个射频电源,其中一个射频电源(Source RF)用于产生并维持等离子体,而另一个射频电源(Bias RF)用于控制反应腔中高能粒子的轰击力度和方向,从而实现在小于0.5μm的间隙中镀膜不产生夹断和空洞。
HDPCVD 工艺温度:通常在 300 - 600℃之间。相对较低的温度有助于减少对衬底材料的热损伤,适用于一些对温度敏感的工艺和材料。在这个温度范围内,能够促进反应气体的分解和化学反应的进行,同时保持薄膜的良好质量和性能。例如,在沉积氧化硅薄膜时,合适的温度可以使硅源气体和氧源气体充分反应,形成致密、均匀的氧化硅薄...