知识星球里的学员问:麻烦介绍下HDPCVD的具体用途,原理 什么是HDPCVD? HDPCVD,全名High Density Plasma Chemical Vapor Deposition,即高密度等离子体化学气相沉积。它产生的等离子体密度非常高,通常在10¹¹至10¹² ions/cm³的量级。相比之下,PECVD的等离子体密度就很低了,在间隔宽度小于0.5μm的情况下,用...
HDPCVD是一种化学气相沉积(CVD)技术的变种,通过高频射频或微波等激励源在气体中产生高密度的等离子体,使沉积物质离子化并沉积在基片表面形成薄膜。 在HDPCVD过程中,当气体被加热至等离子体状态时,分子会解离成原子和离子,并具有较高的反应活性。这些离子受到电场吸引沉积在基片表面形成均匀、致密的薄膜。 2.优点 1. ...
半导体HDPCVD工艺是一种重要的芯片制造工艺,自20世纪90年代中期开始被先进的芯片工厂广泛采用。该工艺以其卓越的填孔能力、稳定的淀积质量、可靠的电学特性等诸多优点,迅速成为0.25微米以下先进工艺的主流。HDPCVD工艺在超大规模集成电路制造中发挥着重要作用,特别是在绝缘介质在各个薄膜层之间均匀无孔的填充方面。这种填充...
1月9日消息，近日，由国产半导体设备龙头厂商——北方华创自主研发的12英寸高密度等离子体化学气相沉积（HDPCVD）设备Orion Proxima正式进入客户端验证。这标志着北方华创在绝缘介质填充工艺技术上实现了新的突破，也为北方华创进军12英寸介质薄膜设备领域，打开百亿级市场迈出了坚实的一步。集成电路领域高速发展，对芯片制...
1所示即为在超大规模集成电路中HDPCVD工艺的典型应用。 在HDPCVD工艺问世之前,大多数芯片厂普遍采用等离子体增强化学气相沉 积(PECVD)进行绝缘介质的填充。这种工艺对于大于0.8微米的间隙具有良好的 填孔效果,然而对于小于0.8微米的间隙,用单步PECVD工艺填充具有高的深 宽比(定义为间隙的深度和宽度的比值)的间隙时会在...
HDPCVD是一种可以同时进行薄膜沉积与刻蚀制程的技术,极大提高了生产效率。HDPCVD设备有两个射频电源,其中一个射频电源(Source RF)用于产生并维持等离子体,而另一个射频电源(Bias RF)用于控制反应腔中高能粒子的轰击力度和方向,从而实现在小于0.5μm的间隙中镀膜不产生夹断和空洞。
2、高密度等离子体化学气相淀积(HDPCVDX艺自20世纪90年代中期开始被先进的芯片工厂采用以来,以其卓越的填孔能力、稳定的淀积质量、可靠的电学特性等诸多优点而迅速成为0.25微米以下先进工艺的主流。图1所示即为在超大规模集成电路中HDPCVD艺的典型应用。随着半导体技术的飞速发展,单个芯片上所能承载的晶 体管数量以惊人...
【答案】：等离子体增强化学气相淀积，低压化学气相淀积，高密度等离子体化学气相淀积，常压化学气相淀积 解析：PECVD(plasma enhanced chemical vapor deposition) ，即等离子体增强化学气相淀积 。LPCVD(low pressure chemical vapor deposition)，即低压化学气相淀积。HDPCVD（high-density plasma chemical vapor ...
盛吉盛申请用于HDPCVD设备腔体的狭缝门装置专利，能够有效增大溅射率 金融界2024年12月4日消息，国家知识产权局信息显示，盛吉盛（宁波）半导体科技有限公司申请一项名为“一种用于HDPCVD设备腔体的狭缝门装置”的专利，公开号 CN 119061381 A，申请日期为2024年8月。专利摘要显示，本发明公开一种用于HDPCVD设备腔体的狭缝...
《HDPCVD设备静电吸盘热流研究与仿真》一、引言在现代化半导体工艺和材料加工领域中,高压直通式化学气相沉积(HDPCVD)设备扮演着至关重要的角色。其中,静电吸盘作为HDPCVD设备的关键组件,其性能的优劣直接关系到整个设备的运行效率和产品质量。因此,对静电吸盘的热流特性的研究及仿真分析显得尤为重要。本文将针对HDPCVD设备中...