HDP-CVD是一种重要的薄膜生长技术,通过利用高密度等离子体环境中的化学反应,实现在衬底上沉积薄膜。它在半导体制造工艺中发挥着重要的作用,用于生长绝缘层和金属薄膜,以满足不同器件的要求。该技术的工作原理清晰明了,通过控制气体流量、反应室压力和衬底温度等参数,可以实现对薄膜成分和性质的精确控制。随着半导体工艺的...
HDP-CVD，即高密度等离子体化学气相沉积，是PECVD技术的一种特殊变体。它能够在较低的沉积温度下，实现比传统PECVD设备更高的等离子体密度和质量。此外，HDP-CVD还提供了近乎独立的离子通量和能量控制，从而增强了沟槽或孔的填充能力。这使得它成为高要求薄膜沉积应用，例如抗反射涂层和低介电常数材料沉积等的理想选择。
原理是什么? 用射频(RF)源激发混合气体产生离子源,通过高密度等离子体并直接使高密度等离子体到达硅片表面。(HDPCVD可以填充深宽比为4:1甚至更高的间隙,半导体里普遍采用沉积刻蚀比(DS ratio)作为衡量HDP-CVD工艺填孔能力的指标) 工艺难点在哪? 在整个沉积过程中,始终保持孔的顶部开放,以使反应物能进入孔从底部开...
HDP CVD(High-density plasma)是用在沟槽和高深宽比填孔的,设备国产化难度可想而知。 原理是什么? 用射频(RF)源激发混合气体产生离子源,通过高密度等离子体并直接使高密度等离子体到达硅片表面。(HDPCVD可以填充深宽比为4:1甚至更高的间隙,半导体里普遍采用沉积刻蚀比(DS ratio)作为衡量HDP-CVD工艺填孔能力的指...
1. HDP CVD的工艺原理 在HDP CVD工艺问世之前，大多数芯片厂普遍采用等离子体增强化学气相沉积(PE CVD)进行绝缘介质的填充。这种工艺对于大于0.8微米的间隔具有良好的填孔效果，然而对于小于0.8微米的间隔，用PE CVD工艺一步填充具有高的深宽比(定义为间隙的深度和宽度的比值)的间隔时会在间隔中部产生夹断(...
1.本技术涉及半导体集成电路制造技术领域,具体涉及一种高密度等离子体化学气相沉积(high density plasma chemical vapor deposition,hdp-cvd)设备的控制方法、设备和存储介质。 背景技术: 2.hdp-cvd设备广泛应用于半导体集成电路的生产制造工艺中,其原理为等离子体在低压下以高密度混合气体的形式接触到反应腔中晶圆的表面...
下图即是HDP-CVD工艺在不同沉积刻蚀比下对间隙填充情况的示意图。要得到优化的沉积刻蚀比,最主要的影响因素包括反应气体流量、射频(包括电感耦合和偏压)的功率、硅片温度、反应腔压力等。 HDP-CVD中的再沉积问题:在HDP-CVD中的物理轰击遵循碰撞中的动量守恒原理,因此被溅射出的物质存在一定角度。随着沟槽开口尺寸变小...
其中,HDP-CVD(High-Density Plasma Chemical Vapor Deposition,高密度等离子体化学气相沉积)是一种重要的应用。这种技术通过将气体置于高密度等离子体环境中,使气体分子发生化学反应并沉积在衬底上,从而实现薄膜的生长。在反应室中,气...
RF射频：提供等离子体的偏转电压，RF功率越大，则等离子体的动能越大，轰击效果加强，从而更加保证基底与...