HDP CVD的工艺原理 在HDP CVD工艺问世之前,大多数芯片厂普遍采用等离子体增强化学气相沉积(PE CVD)进行绝缘介质的填充。这种工艺对于大于0.8微米的间隙具有良好的填孔效果,然而对于小于0.8微米的间隙,用单步PE CVD 工艺填充具有高的深宽比(定义为间隙的深度和宽度的比值)的间隙时会在其中部产生夹断(pinch-off)和...
对于给定的间隙来说,由于HDP CVD工艺通常以⒏H4作为绝缘介质中Sl的来源,而SiH1解离产生的等离子体对硅片表面具有很强的化学吸附性,导致总沉积速率在间隙的各个部位各向异性,在间隙拐角处的总沉积速率总是大于在间隙底部和顶部的总沉积速率;另外,刻蚀速率随着溅射离子对于问隙表面人射角的不同而改变,最大的刻蚀速率产...
芯片沟槽填充工艺 | 沟槽填充类CVD沟槽填充类CVD主要包括SACVD、HDP-CVD、FCVD等,是专门用于沟槽、孔洞处薄膜填充的设备。集成电路芯片的制造过程中包含很多种填充技术上的挑战,包括浅沟槽隔离、接触孔和沟槽。根据填充材料的不同,填充工艺主要分为绝缘介质的填充技术和导电材料的填充技术。
7.3.4 CVD工艺方法-4PE-5HDP是【哈尔滨工业大学】微电子工艺 王蔚教授的第72集视频,该合集共计106集,视频收藏或关注UP主,及时了解更多相关视频内容。
本发明公开了一种HDPCVD工艺淀积介质 膜时减少二氧化硅的方法,所述方法采用HDP CVD工艺淀积介质膜,在打开反应腔阀门的步骤 中不通入氧气,在加热反应腔的步骤的前期不通 入氧气,后期开始通入氧气。作为对本发明的改 进,所述加热反应腔的步骤的后期的时间小于等 于10秒,所述加热反应腔的步骤的后期通入氧气 的流量...
1.一种HDP-CVD工艺淀积衬垫二氧化硅层的方法,其特征在于:包括一预加热步骤,所述预加热步骤为衬垫二氧化硅层的淀积步骤的前一个步骤;所述预加热步骤在腔体中形成高密度等离子体并利用所述高密度等离子体对硅片加热,使所述硅片的温度从腔体的初始温度上升;所述预加热步骤之后的所述硅片最终温度由所述预加热步骤的工艺...
1.一种HDP CVD工艺淀积介质膜时减少二氧化硅的方法,其特征是:所述方法采用HDP CVD工艺淀积介质膜,在打开反应腔阀门的步骤中不通入氧气,在加热反应腔的步骤的前期不通入氧气,后期开始通入氧气。 2.根据权利要求1所述的HDP CVD工艺淀积介质膜时减少二氧化硅的方法,其特征是:所述加热反应腔的步骤的后期的时间小于等...
具体来说,在常见的HDP CVD制程中,淀积工艺通常是由SiH4 和 O2 的反应来实现,而蚀刻工艺通常是由Ar 和O2 的溅射来完成。 HDP CVD的反应腔及主要反应过程图5是HDP CVD反应腔的示意图.等离子体在低压下以高密度混合气体的形式直接接触到反应腔中硅片的表面。 为了形成高密度等离子体,需要有激发混合气体的RF源,并...
绍的高密度等离子体化学气相淀积(HDP CVD)工艺自20 世纪90 年代中期开始被先进的 芯片工厂采用以来,以其卓越的填孔能力、稳定的淀积质量、可靠的电学特性等诸多优 点而迅速成为0.25 微米以下先进工艺的主流。图1 所示即为在超大规模集成电路中 HDP CVD 工艺的典型应用。
所述电场可应用于整个HDP沉积工艺期间以产生溅射并为给定薄膜提供更好的间隙填充特性。通常用于沉积氧化硅的一种HDP-CVD工艺由包括硅烷(SiH4)、氧分子(O2)和氩(Ar)的工艺气体形成等离子体。 然而,与溅射相关的局限在于溅射材料的角重新分布(angularredistribution)。例如,在STI间隙填充中,溅射的SiO2可从沟槽上方溅射...