HDP CVD的工艺原理 在HDP CVD工艺问世之前,大多数芯片厂普遍采用等离子体增强化学气相沉积(PE CVD)进行绝缘介质的填充。这种工艺对于大于0.8微米的间隙具有良好的填孔效果,然而对于小于0.8微米的间隙,用单步PE CVD 工艺填充具有高的深宽比(定义为间隙的深度和宽度的比值)的间隙时会在其中部产生夹断(pinch-off)和...
对于给定的间隙来说,由于HDP CVD工艺通常以⒏H4作为绝缘介质中Sl的来源,而SiH1解离产生的等离子体对硅片表面具有很强的化学吸附性,导致总沉积速率在间隙的各个部位各向异性,在间隙拐角处的总沉积速率总是大于在间隙底部和顶部的总沉积速率;另外,刻蚀速率随着溅射离子对于问隙表面人射角的不同而改变,最大的刻蚀速率产...
1.一种HDP-CVD工艺淀积衬垫二氧化硅层的方法,其特征在于:包括一预加热步骤,所述预加热步骤为衬垫二氧化硅层的淀积步骤的前一个步骤;所述预加热步骤在腔体中形成高密度等离子体并利用所述高密度等离子体对硅片加热,使所述硅片的温度从腔体的初始温度上升;所述预加热步骤之后的所述硅片最终温度由所述预加热步骤的工艺...
HDP-CVD工艺是半导体集成电路制造中的常用工艺之一,具有在淀积的同时还能进行刻蚀的特点,因此,现有HDP-CVD工艺一般用于填充具有高的深宽比的间隙,如可以用HDP-CVD工艺形成的二氧化硅层来填充金属间介质层(PMD)、金属前介质层(MD)、浅沟槽隔离(STI)的间隙。 在现有STI的制作工艺中,一般采用HDP-CVD工艺淀积形成衬垫...
专利名称:Hdp-cvd应用的高轮廓最小接触工艺套组的制作方法 HDP-CVD应用的高轮廓最小接触工艺套组 背景技术:在现代的半导体装置制造中,主要步骤之一为通过气体的化学反应而在半导体晶 片上形成一薄膜。这一类沉积工艺称为化学气相沉积"CVD"。常用的热CVD工艺供应反应 性气体至一晶片表面,而在该晶片表面发生热诱发...
HDP-CVD工艺淀积衬垫二氧化硅层的方法专利信息由爱企查专利频道提供,HDP-CVD工艺淀积衬垫二氧化硅层的方法说明:本发明公开了一种HDP-CVD工艺淀积衬垫二氧化硅层的方法,包括一预加热步骤,预加热步骤为衬垫...专利查询请上爱企查
1.一种HDP CVD工艺淀积介质膜时减少二氧化硅的方法,其特征是:所述方法采用HDP CVD工艺淀积介质膜,在打开反应腔阀门的步骤中不通入氧气,在加热反应腔的步骤的前期不通入氧气,后期开始通入氧气。 2.根据权利要求1所述的HDP CVD工艺淀积介质膜时减少二氧化硅的方法,其特征是:所述加热反应腔的步骤的后期的时间小于等...
膜时减少二氧化硅的方法,所述方法采用HDP CVD工艺淀积介质膜,在打开反应腔阀门的步骤 中不通入氧气,在加热反应腔的步骤的前期不通 入氧气,后期开始通入氧气。作为对本发明的改 进,所述加热反应腔的步骤的后期的时间小于等 于10秒,所述加热反应腔的步骤的后期通入氧气 ...
所述电场可应用于整个HDP沉积工艺期间以产生溅射并为给定薄膜提供更好的间隙填充特性。通常用于沉积氧化硅的一种HDP-CVD工艺由包括硅烷(SiH4)、氧分子(O2)和氩(Ar)的工艺气体形成等离子体。 然而,与溅射相关的局限在于溅射材料的角重新分布(angularredistribution)。例如,在STI间隙填充中,溅射的SiO2可从沟槽上方溅射...
高密度等离子体化学气相沉积工艺1. Starting with film deposition’s principle and combining CVD(Chemical Vapor Deposition) theory, to investigate how to deposit STI film by HDP-CVD(High Density Plasma Chemical Vapor Deposition) process. 并从薄膜的沉积原理着手,结合化学气相沉积工艺原理,研究利用高密度...