HDP-CVD是一种重要的薄膜生长技术,通过利用高密度等离子体环境中的化学反应,实现在衬底上沉积薄膜。它在半导体制造工艺中发挥着重要的作用,用于生长绝缘层和金属薄膜,以满足不同器件的要求。该技术的工作原理清晰明了,通过控制气体流量、反应室压力和衬底温度等参数,可以实现对薄膜成分和性质的精确控制。随着半导体工艺的...
HDP-CVD，即高密度等离子体化学气相沉积，是PECVD技术的一种特殊变体。它能够在较低的沉积温度下，实现比传统PECVD设备更高的等离子体密度和质量。此外，HDP-CVD还提供了近乎独立的离子通量和能量控制，从而增强了沟槽或孔的填充能力。这使得它成为高要求薄膜沉积应用，例如抗反射涂层和低介电常数材料沉积等的理想选择。
原理是什么? 用射频(RF)源激发混合气体产生离子源,通过高密度等离子体并直接使高密度等离子体到达硅片表面。(HDPCVD可以填充深宽比为4:1甚至更高的间隙,半导体里普遍采用沉积刻蚀比(DS ratio)作为衡量HDP-CVD工艺填孔能力的指标) 工艺难点在哪? 在整个沉积过程中,始终保持孔的顶部开放,以使反应物能进入孔从底部开...
应用材料HDP-CVD反应腔 电感耦合等离子体反应器(ICP)工作原理示意图 为了实现HDP-CVD的bottom up生长,首先要给反应腔中的高能离子定方向,所以沉积过程中在硅片上施加RF偏压,推动高能离子脱离等离子体而直接接触到硅片表面,同时偏压也用来控制离子的轰击能量,即通过控制物理轰击控制CVD沉积中沟槽开口的大小。在HDPCVD反应...
HDP CVD(High-density plasma)是用在沟槽和高深宽比填孔的,设备国产化难度可想而知。 原理是什么? 用射频(RF)源激发混合气体产生离子源,通过高密度等离子体并直接使高密度等离子体到达硅片表面。(HDPCVD可以填充深宽比为4:1甚至更高的间隙,半导体里普遍采用沉积刻蚀比(DS ratio)作为衡量HDP-CVD工艺填孔能力的指...
1. HDP CVD的工艺原理 在HDP CVD工艺问世之前，大多数芯片厂普遍采用等离子体增强化学气相沉积(PE CVD)进行绝缘介质的填充。这种工艺对于大于0.8微米的间隔具有良好的填孔效果，然而对于小于0.8微米的间隔，用PE CVD工艺一步填充具有高的深宽比(定义为间隙的深度和宽度的比值)的间隔时会在间隔中部产生夹断(...
1.本技术涉及半导体集成电路制造技术领域,具体涉及一种高密度等离子体化学气相沉积(high density plasma chemical vapor deposition,hdp-cvd)设备的控制方法、设备和存储介质。 背景技术: 2.hdp-cvd设备广泛应用于半导体集成电路的生产制造工艺中,其原理为等离子体在低压下以高密度混合气体的形式接触到反应腔中晶圆的表面...
其中,HDP-CVD(High-Density Plasma Chemical Vapor Deposition,高密度等离子体化学气相沉积)是一种重要的应用。这种技术通过将气体置于高密度等离子体环境中,使气体分子发生化学反应并沉积在衬底上,从而实现薄膜的生长。在反应室中,气...
一、HDP工艺原理(5)强大的控温系统A、温纯水供应系统在Plasma启动阶段提供热源;B、冷却系统在HDPCVD反应腔中高密度等离子体轰击硅片表面会导致很高的硅片温度,大部分的CVD制程必须在400℃低温下进行,以避免高温带来的不利影响。在Dome和ESC上都有CHILLER提供的冷却水。ESC上还有IHC(IndependentHeliumCooling) ...