关于半导体氮化镓(GaN)的详解; 什么是硅基氮化镓(GaN-on-silicon)? 氮化镓(GaN)是一种坚硬,且机械稳定的宽带隙的半导体。基于氮化镓的功率器件具有更高的击穿强度,更快的开关速度,更高的热导率和更低的导通电阻,其性能明显优于硅基器件。氮化镓晶体可以在各种的基板上生长,包括蓝宝石,碳化硅(SiC)和硅(Si)。在...
该研究正朝着实现两种垂直特性的方向进行，同时获得在硅或蓝宝石衬底上异质外延生长GaN的成本优势。之所以不能采用GaN on Silicon，首先是因为它需要绝缘缓冲层，蓝宝石本身也是绝缘体。因此，该项目正在着手开发一种“垂直GaN薄膜晶体管”，它在GaN生长后去除器件区域正下方的缓冲层、硅和蓝宝石衬底本身，并从背面直接...
SiC和GaN被称为“宽带隙半导体”(WBG),因为将这些材料的电子从价带扩散到导带需要能量: 其中硅(Silicon)所需能量为1.1eV,氮化硅(SiC)则需3.3eV,氮化镓(GaN)则需3.4eV. 这就带来了更高的击穿电压,在某些应用中可高到1200-1700V。通过合适的生产工艺,WBG展现出以下优点: ●极低的内部电阻,与同类硅器件相比,效...
在PCIM Europe 2023上,博世展示了其YESvGaN项目的进展,博世已经实现在硅和蓝宝石上生长了二极管击穿电压超过500V的堆叠层,并在150mm GaN on Silicon晶圆上去除了硅,形成了4μm厚、最大直径为5mm的GaN薄膜。不过博世还没有到最终晶体管完成的阶段,目前正在围绕着验证技术是否可行进行大量的研究。如果该技术得以实现,...
之所以不能采用GaN on Silicon,首先是因为它需要绝缘缓冲层,蓝宝石本身也是绝缘体。因此,该项目正在着手开发一种“垂直GaN薄膜晶体管”,它在GaN生长后去除器件区域正下方的缓冲层、硅和蓝宝石衬底本身,并从背面直接连接到GaN层金属触点。目标是使用最大300mm的硅或蓝宝石晶圆实现耐压为650V-1200V级的纵型GaN功率晶...
一、金刚石衬底和SOI（Silicon-On-Insulator）衬底器件性能对比 通过键合工艺将GaN转移至高热导率的多晶金刚石衬底上，从漏极电流退化情况、功率特性、结温变化等数据可知，金刚石衬底HEMT器件表现出更好的散热能力，高温退化现象明显减缓，功率提升达到40.12%，结温降低83.9℃，热效应及可靠性得到较明显改善。二、...
Si 硅（silicon），严谨点儿，应该是高纯度的单晶硅（99.999999999%），作为第一代半导体材料，其技术与应用发展到如今已经非常成熟，目前全球 95% 以上的半导体芯片和器件都是用硅片作为基础功能材料而生产出来。硅片 但是由于硅本身的带隙较窄、电子迁移率和击穿电场较低，并不适用于制造功率器件产品。但是这并不...
2022年5月,意法半导体(STMicroelectronics)与工业、电信、国防和数据中心行业半导体产品的重要供应商MACOM Technology Solutions Holdings Inc.宣布成功生产RF GaN on Silicon (RF Gan-on-Si)原型。凭借这一成就,意法半导体和MACOM将继续合作并加强双方的合作关系。 射频氮化镓(GaN)市场资讯 图29. 5G 小区之间的连接规...
Silicon-based chip and module series 第三代半导体芯片及模组系列 Third generation semiconductor chip and module series INDUSTRY APPLICATION 行业应用 汽车类 汽车类 查看详情 > 清洁能源类 清洁能源类 查看详情 > 工控类 工控类 查看详情 > 白电类
相较于传统硅（Silicon, Si）器件，氮化镓（Gallium Nitride, GaN）功率半导体器件因其材料特性可工作于更高的电压应力、更快的开关频率，具有更大的温度容限，更适用于高频、高功率密度的应用场合。然而，其在实际应用中也存在一系列的可靠性问题和挑战，其中以电流崩塌效应最为显著、影响最大。该效应在器件具体参数...