研究表明，对于相同的功率密度，金刚石上的 GaN 可以使通道温度较于GaN-on-SiC至少降低 40%，这将使器件寿命增加约 10 倍。在不同衬底上运行的GaN晶体管耗散相同功率的红外图像显示，GaN-on-Diamond是其中工作温度最低的，因为衬底和栅极之间的温升降低了，可以用于在更热的环境温度下工作。三、金刚石衬底GaN器件...
研究人员将硅衬底上制造的多单元GaN-HEMT去除硅衬底,然后对GaN-HEMT背面进行抛光,使其更薄更平滑,之后使用纳米粘附层将其直接键合到金刚石衬底上。其多单元结构用于实际产品中八个晶体管单元的并联对准。最终,利用单晶金刚石高散热衬底制得了世界上第一个多单元GaN-on-Diamond HEMT。 金刚石嵌入式散热柱技术: 利用...
在不同衬底上运行的GaN晶体管耗散相同功率的红外图像显示,GaN-on-Diamond是其中工作温度最低的,因为衬底和栅极之间的温升降低了,可以用于在更热的环境温度下工作。另研究表明,在室温下金刚石与氮化镓(GaN)结合,可以承受1000℃的热处理,使其大幅改善GaN HEMT热管理,从而降低器件的工作温度,因而是GaN HEMT高温制造工艺...
GaN/金刚石的结合,能够大幅提升器件的散热效率,增大其芯片内部的热传输能力和输出功率密度,提升器件的大功率特性和可靠性,击破阻碍氮化镓GaN器件发挥潜力的主要障碍。 为了得到有效热导率更高的金刚石基GaN HEMT器件,目前主要采用三种方式实现金刚石衬底与GaN外延材料的结合。包括在金刚石衬底上直接外延生长GaN结构、在G...
01 Diamond on GaN 化合积电采用微波等离子体化学气相沉积设备,在50.8 mm(2英寸)硅基氮化镓HEMT上实现<10um厚度多晶金刚石材料的外延生长。采用扫描电子显微镜及X射线衍射仪对金刚石薄膜的表面形貌、结晶质量以及晶粒取向进行表征测试,结果显示:样品表面形貌较为均匀,金刚石晶粒基本表现为(111)面生长,具有较高晶面取向...
碳化硅基氮化镓(GaN-on-SiC) 其他材料类型(GaN-on-GaN、GaN-on-Diamond) 学术界对RF GaN的研究方向主要集中在材料领域: 对RF GaN技术进行研究的机构 学术界对RF GaN的研究方向主要集中在材料领域 关于RF GaN的研究论文的发表时间 RF GaN领域的创新公司介绍 1.RF GaN领域的创新公司介绍---Tagore Technology公司...
Diamond on GaN HEMT,解决氮化镓(GaN)散热的新思路! 目前,氮化镓(GaN)主要应用在射频及快充领域,其散热问题引起了国内外广泛的研究。GaN/金刚石的结合,能够大幅提升器件的散热效率,增大其芯片内部的热传输能力和输出功率密度,提升器件的大功率特性和可靠性,击破阻碍氮化镓GaN器件发挥潜力的主要障碍。
在这项研究中,三菱电机将硅衬底上制造的多单元GaN-HEMT去除硅衬底,然后对GaN-HEMT背面进行抛光,使其更薄更平滑,之后使用纳米粘附层将其直接键合到金刚石衬底上。其多单元结构用于实际产品中八个晶体管单元的并联对准。最终,利用单晶金刚石高散热衬底制得了世界上第一个多单元GaN-on-Diamond HEMT。
对标世界一流，攻克“卡脖子”技术，化合积电在我国率先推动金刚石与GaN结合取得实质性突破与进展，现提供GaN on Diamond、Diamond on GaN以及GaN&Diamond键合所需高质量晶圆级金刚石热沉片（生长面表面粗糙度Ra＜1nm)，热导率达1000-2000W/m.K。目前，金刚石宽禁带半导体材料已实现产业化应用。欲了解更多信息，...
GaN on Diamond HEMT for Gate Thermal ManagementEdwin Piner