与HEMT结构相比，PSJ结构的GaN FET的开关频率较低，但仍可支持数MHz的工作，耐压水平不仅超过SiC器件，开关频率也远高于SiC MOSFET（上限数为数百kHz）、Si IGBT（数十kHz）。如果使用比GaN自支撑晶圆更经济、绝缘性更出色的蓝宝石晶圆（GaN on Sapphire）的话，横向型器件的上市时间有望早于垂直型GaN。当然，如...
从衬底的角度来分，一般常用的有GaN on Sapphire（蓝宝石衬底），GaN on Si，和GaN on SiC。其中GaN on Sapphire算是最为成熟，也最为常见，主要用在LED领域。而GaN on Si和GaN on SiC主要应用领域是电力电子和微波射频。我们先从GaN材料和器件本身来开启本次的研究之旅——一、GaN材料和器件 同SiC一样，...
平面型GaN器件通常基于非本征衬底，如Si、SiC、蓝宝石（Sapphire）等。早期高质量单晶GaN衬底难以实现，成本比较高，只能通过非本征衬底上生长异质外延GaN，由于衬底外延界面早期难以实现导通，因此硅基GaN和蓝宝石基GaN器件逐渐成为了主流。不同衬底材料特性比较 (来源：《高压低功耗新型氮化镓功率器件机理及结构研究》)硅...
目前，GaN材料主要有两种衬底技术，分别是GaN-on-Si（硅基氮化镓）和GaN-on-SiC（碳化硅基氮化镓）。另外，还有GaN-on-sapphire和GaN-on-GaN，不过这两种衬底的应用市场很有限。GaN-on-SiC射频器件可应用于5G宏基站、卫星通信、微波雷达、航空航天等军事/民用领域；GaN-on-Si可制成功率器件，可在大功率快充充电...
在蓝宝石衬底上生长的 GaN HEMT 可以通过将器件倒装芯片键合到导热和电绝缘的衬底(例如氮化铝陶瓷)上来实现热管理。 GaN on Sapphire HEMT典型外延结构更多产品信息或疑问请邮件咨询:vp@honestgroup.cn 价格说明 价格:商品在爱采购的展示标价,具体的成交价格可能因商品参加活动等情况发生变化,也可能随着购买数量不同或...
小米充电头用的是Navitas的器件,是GaN on Si的功率器件。从衬底的角度来分,一般常用的有GaN on Sapphire(蓝宝石衬底),GaN on Si,和GaN on SiC。其中GaN on Sapphire算是最为成熟,也最为常见,主要用在LED领域。而GaN on Si和GaN on SiC主要应用领域是电力电子和微波射频。
GaN－on－sapphire：主要应用在 LED 市场，主流尺寸为 4 英寸，蓝宝石衬底 GaNLED 芯片市场占有率达到 90％以上。 GaN－on－GaN：采用同质衬底的 GaN 主要应用市场是蓝／绿光激光器，应用于激光显示、激光存储、激光照明等领域。 GaN 外延片相关企业主要有比利时的 EpiGaN、英国的 IQE、日本的 NTT－AT。中国厂商...
Transphorm 的团队将满足以下有关 N 极性 GaN-on-Sapphire 的计划目标:建立整体价值主张、定义高性能参数空间和定义构建外延片的可行性。 Transphorm专注于在包括碳化硅 (SiC) 在内的各种衬底上开发氮极性 GaN外延片。然而,该公司现在打算探索一种蓝宝石衬底替代品,将根据性能、成本和可制造性进行分析,以用于射频/毫...
AIInN/GaN HEMTs on sapphire:dc and pulsed characterisationcharacterisationlengthsmaximumLattice-matched Al_(0.83)In_(0.17)N/GaN high electron mobility transistors (HEMTs) grown by MOCVD on sapphire substrate were investigated. The transport properties of the 2DEG at room temperature were characterised...
而在GaN外延片方面,主要有两种衬底技术,分别是GaN-on-Si(硅基氮化镓)和GaN-on-SiC(碳化硅基氮化镓)。当然,除了以上这两种主流技术外,还有GaN-on-sapphire,以及GaN-on-GaN技术。 虽然GaN-on-SiC性能相对较佳,但价格明显高于GaN-on-Si。另外,GaN-on-Si生长速度较快,也较容易扩展到8英寸晶圆。虽然GaN-on-Si...