EVAL_HB_PARALLELGAN Status: active and preferred Infineon Read MoreBuy Online How to parallel CoolGaN™ 600 V HEMT in Half Bridge Supported Product Families CoolGaN™ Bill of material (BOM) 1EDI20N12AF IGOT60R070D1 电路板&设计 EVAL_2500W_PFC_GAN_A Status: active and preferred Infineon...
英飞凌CoolGaN™ 是一种高效的 GaN(氮化镓)晶体管技术,可在高达 600 V 的电压范围内进行功率转换。凭借在半导体市场上积累的长期经验,英飞凌完善了增强模式方案,并可进行大批量端到端生产。
HEMT:中文名称叫高电子迁移率晶体管,是一种仅在进行GaN晶体生长的衬底表面上形成元件的技术。 GaN HEMT图示 如上图所示,GaN HEMT根据衬底的不同,有硅基GaN,SiC基GaN,石英基GaN等。 GaN HEMT的特点:器件保持常开状态,与垂直流过硅片的电流相比,GaN HEMT允许在更短的距离内形成 DS,但即使在 GS之间没有施加电压...
AlGaN/GaNHEMT为异质结结构器件,通过在GaN层上气相淀积或分子束外延生长AlGaN层,形成AlGaN/GaN异质结。GaN半导体材料中主要存在纤锌矿与闪锌矿结构两种非中心对称的晶体结构。 在这两种结构中,纤锌矿结构具有更低的对称性,当无外加应力条件时,GaN晶体内的正负电荷中心发生分离,...
GaNHEMT 器件封装技术研究进展 鲍婕 周德金 陈珍海 宁仁霞 吴伟东 黄伟 摘 要:GaN 高电子迁移率晶体管 ( HEMT ) 器件由于其宽禁带材料的独特性能,相比硅功率器件具有击穿场强高、导通电阻低、转换速度快等优势,在智能家电、交直流转换器、光伏逆变器以及电动汽车等领域有着广泛的应用前景。但 GaN HEMT 器件...
GaN HEMT器件性能的评估,一般包含静态参数测试(I-V测试)、频率特性(小信号S参数测试)、功率特性(Load-Pull测试)。静态参数,也被称作直流参数,是用来评估半导体器件性能的基础测试,也是器件使用的重要依据。以阈值电压Vgs(th)为例,其值的大小对研发人员设计器件的驱动电路具有重要的指导意义。
一方面,采用蓝宝石衬底可以大幅提升氮化镓耐压,蓝宝石衬底技术路线近年来已被广泛认为是实现1200-3300V GaN HEMTs的首选方案。另一方面,由于转向8英寸晶圆,每片GaN HEMTs晶圆的芯片数将比6英寸晶圆多近2倍,氮化镓器件成本与6英寸方案相比也将大幅下降。随着8英寸蓝宝石衬底制备工艺的日趋成熟和大批量出货,单片...
一款GaN HEMT内匹配功率放大器设计过程详解 本文运用传输线理论,采用单胞的电路结构,用微波仿真软件ADS对栅宽为9.6 mm GaN功率芯片进行阻抗匹配,实现了在3.8~4.2 GHz频段的连续波输入条件下,输出功率大于30 W,相对带宽25%,功率附加效率大于48%的GaN功率放大器。
GaN HEMT和GaN MOSFET是两种基于氮化镓(GaN)材料的半导体器件,它们之间有以下几个区别:结构不同:GaN...
GaN HEMTs工作时,本身会产生一定的功率耗散,而这部分功率耗散将会在器件内部,尤其是在GaN HEMTs内部导电沟道产生相应的热量使得器件的结温有非常明显的升高,晶格振动散射大大加强使得漂移区内的电子迁移率降低,器件导通电阻表现出明显的上升,这种现象被称作“自热效应”。在器件的I-V测试中,随着Vds的不断增大,器件漏...