EVAL_HB_PARALLELGAN Status: active and preferred Infineon Read MoreBuy Online How to parallel CoolGaN™ 600 V HEMT in Half Bridge Supported Product Families CoolGaN™ Bill of material (BOM) 1EDI20N12AF IGOT60R070D1 电路板&设计 EVAL_2500W_PFC_GAN_A Status: active and preferred Inf...
AlGaN/GaNHEMT为异质结结构器件,通过在GaN层上气相淀积或分子束外延生长AlGaN层,形成AlGaN/GaN异质结。GaN半导体材料中主要存在纤锌矿与闪锌矿结构两种非中心对称的晶体结构。 在这两种结构中,纤锌矿结构具有更低的对称性,当无外加应力条件时,GaN晶体内的正负电荷中心发生分离,...
近年来,金刚石基GaN HEMT器件在衬底材料生长、金刚石与GaN器件集成技术以及GaN外延技术等方面均取得较大进展,金刚石基GaN功率器件性能不断提升,2013年,D. C. Dumka等人报道了器件在10 GHz、40 V偏置电压下的输出功率密度达到7.9 W·mm⁻¹,功率附加效率(PAE)超过46%,功率增益超过11 dB。2015年,P. C. Cha...
英飞凌CoolGaN™ 是一种高效的 GaN(氮化镓)晶体管技术,可在高达 600 V 的电压范围内进行功率转换。凭借在半导体市场上积累的长期经验,英飞凌完善了增强模式方案,并可进行大批量端到端生产。
在此前的文章中,讲述了有关Si基MOSFET、SOI工艺的知识,也对比了BJT和HBT的工艺,在本文中将就GaN HEMT和GaAs PHEMT工艺进行论述。 1、GaN HEMT1.1、基本结构目前由于 还没有合适的直接拉单晶的方法生长 GaN 材料…
GaN HEMT器件的评估一般包含直流特性(直流l-V测试)、频率特性(小信号S参数测试)、功率特性(Load-Pull测试)。 直流特性测试 与硅基晶体管一样,GaN HEMT器件也需要进行直流l-V测试,以表征器件的直流输出能力以及工作条件。其测试参数包括:Vos、IDs、BVGD、BVDs、gfs等,其中输出电流lps以及跨导gm是最为核心的两个参...
增强型GaN基高电子迁移率晶体管(HEMT)已经采用两种不同的结构开发出来。这两种增强型结构是金属-绝缘层-半导体(MIS)结构2和栅极注入晶体管(GIT)结构3。MIS结构具有受电压驱动的小栅极漏电流,而GIT则具有脊形结构和高阈值电压。两者也都有一些缺点。MIS对栅极干扰的可靠性...
HEMT则是High Electron Mobility Transistor(高电子迁移率晶体管)的英文首字母缩写,与垂直结构的Si MOSFET相比,HEMT是水平地在顶部(可理解为栅极电压)通过控制导通宽度来控制器件开关。 这种构造加上GaN本身的特性,使GaN HEMT的开关速度更快,开关损耗也比Si MOSFET降低约65%。(如下图) ...
晶丰芯驰申请 GaN 基 HEMT 外延片相关专利，提升器件的耐压性能 金融界 2025 年 1 月 16 日消息，国家知识产权局信息显示，晶丰芯驰（上海）半导体科技有限公司申请一项名为“一种 GaN 基 HEMT 外延片及其制备方法和用途”的专利，公开号 CN 119300439 A，申请日期为 2024 年 9 月。专利摘要显示，本发明涉及一...
GaN HEMT(氮化镓高电子迁移率晶体管)作为一种先进的功率半导体器件,在电力电子、高频通信、汽车电子等多个领域展现出了显著的优势,但同时也存在一些缺点。以下是对GaN HEMT优缺点的详细分析: GaN HEMT的优点 高电子迁移率 GaN HEMT利用AlGaN/GaN异质结界面形成的二维电子气(2DEG)具有高电子迁移率的特性,这使得GaN ...