GaN HEMT工艺全流程 GaN HEMT(高电子迁移率晶体管:High Electron Mobility Transistor)是新一代功率半导体,具有低工作电阻和高抗损性,有望应用于大功率和高频电子设备。 GAN HEMT的工艺流程 1. GaN外延层形成 2. N+离子注入 3. Isolate离子注入 4. AlGaN Recess or 选择刻蚀 为了形成G
以下以GaN HEMT工艺为例,介绍工艺过程 第一步:清洗 外延出来的GaN需要保证表面原子级别的洁净度,去除表面氧化层和脏污。 有机物的去除包括:醋酸、丙酮、乙醇。 氧化物和非有机物的清洗主要使用:氨水、硫化铵、氢氧化钠 HF和HCL尽管不能完全去除GaN表面的氧化物,但是HCL容易能够有效去除氧化物并降低氧元素的残余量...
1)表面清洗 有机物通过醋酸、丙酮、乙醇;表面氧化层和非有机物的清洗使用NH4OH、(NH4)2S和NaOH。 2)光刻 大栅宽的多指栅器件是对光刻工艺水平的一个考验。线条的平直性、窗口拐角的直角。 3)器件隔离 有两种方法,一是离子注入形成高阻区,2是台面刻蚀。 离子注入需要结合高温退火形成高阻区,台面刻蚀HEMT一般采用...
下图是蓝宝石衬底耗尽型氮化镓HEMT器件制造的简化流程,硅基衬底的氮化镓HEMT器件工艺流程类似。 第一步是第一张光罩,是做平台型的隔离蚀刻;第二步,第二张光罩定义了源极和漏极;第三步是沉积源极和漏极的金属;第四步是玻璃和退火,形成源极和漏极金属;第五步,用第三张光罩来定义门极;第六步是做门极金属沉积...
整个工艺流程都是在液体中进行的,工艺简单,对金刚石粗糙度要求较低,但是键合层材料导热率极低,且厚度难以控制,导致其热阻高。 六、金刚石基GaN HEMT技术优势 金刚石是目前自然界具有最高热导率的衬底材料(Si、SiC和金刚石的导热率分别为150、390和1200~2000 W·m⁻¹·K⁻¹),有望在一个“高热”器件...
gan功率工艺流程 氮化镓（GaN）HEMT的功率工艺流程包括多个阶段。在器件制造的初始阶段，氮化镓外延片在硅衬底、碳化硅衬底或蓝宝石衬底上生长。外延的每一层的沉积一般采用金属氧化物化学气相沉积（MOCVD）。接着进入器件制造阶段。具体工艺流程包括光罩的几张顺序制作、隔离蚀刻、源极和漏极定义、源极和漏极金属沉积、...
栅金属后退火(PMA)处理改善了MIS-HEMT器件漏电和界面特性。PMA处理时,热退火不仅对栅绝缘层材料和绝缘层/半导体界面产生影响,还有可能会影响到栅金属接触特性,所以本研宄利用肖特基柵HEMT器件结构分析了热退火对栅金属接触特性的影响。研究中采用的异质结材料势垒层为12nm-Al0.55Ga0.45N,栅金属化后退火温度设定为450℃...
1.3 > 器件制造工艺 图6展示了在蓝宝石衬底上制造HEMT器件的详细流程。首先，进行平台型隔离蚀刻，为后续步骤打下基础。接着，利用掩模精准地定义源极和漏极区域。此外，还需利用掩模定义源极和漏极区域的触点，并精细地定义场板，以优化器件性能。经过金属剥离后，场板得以形成，并再次沉积氮化硅进行钝化，确保...