GaN HEMT – 氮化镓晶体管 综述 产品 亮点 文件 设计支持 视频 合作伙伴 培训 应用 支持CoolGaN™ - 为消费、工业和汽车应用提供最高效率和功率密度的分立与集成解决方案 英飞凌的GaN晶体管在高达 700 V 的电压范围内可实现高效的功率转换。我们的GaN器件具有快速的导通/关断速度...
GaN HEMT – 氮化镓晶体管 CoolGaN™ - 为消费、工业和汽车应用提供最高效率和功率密度的分立与集成解决方案 英飞凌的GaN晶体管在高达 700 V 的电压范围内可实现高效的功率转换。我们的GaN器件具有快速的导通/关断速度、最小的开关损耗和多种封装选择,能够简单快速地将产品推向市场。这些器件不仅符合广泛标准,还...
今天我们来看一下GaN HEMT,GaN(氮化镓)比SiC具有更高的品质因数,但该材料也比SiC更难结晶和加工。 HEMT:中文名称叫高电子迁移率晶体管,是一种仅在进行GaN晶体生长的衬底表面上形成元件的技术。 如上图所示,…
1.3、AlGaN/GaN HEMT器件优势 1.4、等效电路模型 2、GaAs PHEMT 2.1、器件结构及原理 2.1.1、基本结构 2.1.2、各层次的作用 2.1.3、GaAs pHEMT器件工作需求 2.2、GaAs pHEMT 等效电路模型 2.2.1、物理等效模型 2.2.2、小信号等效模型 2.2.3、噪声等效模型 2.3、器件优势 在此前的文章中,讲述了有关Si基MOSFET...
GaN HEMT工作原理详解 AlGaN/GaNHEMT为异质结结构器件,通过在GaN层上气相淀积或分子束外延生长AlGaN层,形成AlGaN/GaN异质结。GaN半导体材料中主要存在纤锌矿与闪锌矿结构两种非中心对称的晶体结构。 在这两种结构中,纤锌矿结构具有更低的对称性,当无外加应力条件时,GaN晶体内...
微波GaN HEMT器件,尤其是在应用于高频小功率的场景下时,往往容易受到静电释放(Electro-Static Discharge,ESD)事件的影响导致器件发生失效。一般情况下几百伏特的静电就会造成静电损伤失效,小则几十伏特的静电也能使一些型号的器件失效。众所周知,微波小功率GaN HEMT的器件的尺寸通常很小,由于频率很高不便附加保护电路,这...
GaNHEMT 器件封装技术研究进展 鲍婕 周德金 陈珍海 宁仁霞 吴伟东 黄伟 摘 要：GaN 高电子迁移率晶体管 （ HEMT ） 器件由于其宽禁带材料的独特性能，相比硅功率器件具有击穿场强高、导通电阻低、转换速度快等优势，在智能家电、交直流转换器、光伏逆变器以及电动汽车等领域有着广泛的应用前景。但 GaN HEMT 器件...
图3 AIGaN/GaN HEMT器件输出特性曲线:(a) S-HEMT、(b) MIS-HEMT、(c) MOS-HEMT 3. 2DEG场效应迁移率分析 为了解释PEALD沉积AlN栅绝缘层导致的器件跨导异常增大现象,本文对比研究了三种器件结构的场效应迁移率μFE随沟道载流子密度的变化关系。器件的场效应迁移率可以通过跨导测试推导得到,当场效应晶体管器件工...
GaN HEMT 器件制备工艺 HEMT(High Electron Mobility Transistor),高电子迁移率晶体管。这是一种异质结场效应晶体管,又称为调制掺杂场效应晶体管(MODFET)、二维电子气场效应晶体管(2-DEGFET)、选择掺杂异质结晶体管 (SDHT)等。 主要工艺有:有源区隔离、源漏极欧姆接触制备,栅极肖特基接触...
1.器件结构与工艺 绝缘栅和肖特基栅HEMT器件结构如图1所示, AlGaN/GaN异质结采用MOCVD技术在2英寸c面蓝宝石衬底上外延得到,由下往上依次为180nm高温AlN成核层、13μm非掺杂GaN缓冲层、1nm AlN界面插入层、22nm AlGaN势垒层、及2nm GaN帽层,势垒层铝组分设定为30%。室温Hall效应测试显示,异质结材料沟道2DEG面密...