for telecom featuring #CoolGaN™ Infineon’s GaN solution – easier to use GaN than ever before 邓巍 博士,英飞凌高电压氮化镓高级产品经理,深入讲解英飞凌CoolGaN™ 系列氮化镓产品 Electronica 2018 英飞凌正式发布600V氮化镓驱动器 Get the know-how of driving CoolGaN™ e-mode HEMTs from an expert...
GaN HEMT图示 如上图所示,GaN HEMT根据衬底的不同,有硅基GaN,SiC基GaN,石英基GaN等。 GaN HEMT的特点:器件保持常开状态,与垂直流过硅片的电流相比,GaN HEMT允许在更短的距离内形成 DS,但即使在 GS之间没有施加电压,它也会保持在ON状态。因为GaN HEMT通常待机时保持On状态,所以它的控制方式与普通MOSFET不同。
在此前的文章中,讲述了有关Si基MOSFET、SOI工艺的知识,也对比了BJT和HBT的工艺,在本文中将就GaN HEMT和GaAs PHEMT工艺进行论述。 1、GaN HEMT 1.1、基本结构 典型结构 Si衬底GaN HEMT 目前由于还没有合适的直接拉单晶的方法生长 GaN 材料,因此一般采用异质生长外延的方法,即使用另一种材料作为衬底,在该衬底上生...
(常开型GaN HEMT为例) 典型AlGaN/GaNHEMT器件的基本结构如图5所示。器件最底层是衬底层(一般为SiC或Si材料),然后外延生长N型GaN缓冲层,外延生长的P型AlGaN势垒层,形成AlGaN/GaN异质结。最后在AlGaN层上淀积形成肖特基接触的栅极(G),源极(S)和漏极(D)进行高浓度掺杂并与...
首片国产8英寸蓝宝石衬底GaN HEMTs晶圆发布 氮化镓晶圆的大尺寸化进程再次加速。在近日召开的2024九峰山论坛暨中国国际化合物半导体产业博览会上,西安电子科技大学联合广东致能科技展示了全球首片8英寸蓝宝石基氮化镓高电子迁移率晶体管(GaN HEMTs)晶圆器件。此前,德州仪器的一位高管也表示,该公司正在将其多个晶圆厂...
GaN HEMT工作原理详解 AlGaN/GaNHEMT为异质结结构器件,通过在GaN层上气相淀积或分子束外延生长AlGaN层,形成AlGaN/GaN异质结。GaN半导体材料中主要存在纤锌矿与闪锌矿结构两种非中心对称的晶体结构。 在这两种结构中,纤锌矿结构具有更低的对称性,当无外加应力条件时,GaN晶体内的正负电荷中心发生分离,在沿极轴的方向上...
“GaN HEMT器件性能的评估,一般包含静态参数测试(I-V测试)、频率特性(小信号S参数测试)、功率特性(Load-Pull测试)。静态参数,也被称作直流参数,是用来评估半导体器件性能的基础测试,也是器件使用的重要依据。以阈值电压Vgs(th)为例,其值的大小对研发人员设计器件的驱动电路具有重要的指导意义。
在能源效率和微型化方面,传统的硅设备存在一定的局限性。氮化镓(GaN)晶体管,尤其是高电子迁移率晶体管(HEMT),代表了一种革命性的替代方案,由于其高性能和高效率,能够为电力电子学开辟新的维度。 高电子迁移率晶体管(HEMT)在大规模生产的电力开关设备中相对较新。与传统掺杂硅的设备不同,HEMT是异质结设备,由具有...
一款GaN HEMT内匹配功率放大器设计过程详解 本文运用传输线理论,采用单胞的电路结构,用微波仿真软件ADS对栅宽为9.6 mm GaN功率芯片进行阻抗匹配,实现了在3.8～4.2 GHz频段的连续波输入条件下,输出功率大于30 W,相对带宽25%,功率附加效率大于48%的GaN功率放大器。
氮化镓高电子迁移率晶体管 (GaN HEMT) 技术(或最初称为宽带隙技术)的研究和开发在 20 世纪 90 年代末开始势头强劲,与频率为 2 GHz 的横向扩散金属氧化物半导体(LDMOS)相比,其卓越的性能推动了这一技术的发展。 其中包括高功率密度和在 35V 下运行的可能性,使其成为 LDMOS 的有力竞争对手。 到 2000 年代初...