for telecom featuring #CoolGaN™ Infineon’s GaN solution – easier to use GaN than ever before 邓巍 博士,英飞凌高电压氮化镓高级产品经理,深入讲解英飞凌CoolGaN™ 系列氮化镓产品 Electronica 2018 英飞凌正式发布600V氮化镓驱动器 Get the know-how of driving CoolGaN™ e-mode HEMTs from an expert...
(常开型GaN HEMT为例) 典型AlGaN/GaNHEMT器件的基本结构如图5所示。器件最底层是衬底层(一般为SiC或Si材料),然后外延生长N型GaN缓冲层,外延生长的P型AlGaN势垒层,形成AlGaN/GaN异质结。最后在AlGaN层上淀积形成肖特基接触的栅极(G),源极(S)和漏极(D)进行高浓度掺杂并与...
在此前的文章中,讲述了有关Si基MOSFET、SOI工艺的知识,也对比了BJT和HBT的工艺,在本文中将就GaN HEMT和GaAs PHEMT工艺进行论述。 1、GaN HEMT1.1、基本结构目前由于 还没有合适的直接拉单晶的方法生长 GaN 材料…
GaN HEMT功率器件实测及其测试注意事项。氮化镓器件是第三代半导体中的典型代表,具有极快的开关速度,能够显著提升功率变换器的性能,受到电源工程师的青睐。同时,极快的开关速度又对其动态特性的测试提出了更高的要求,稍有不慎就会得到错误结果。 为了能够实现对GaN HEMT功率器件动态特性进行精准测试,对应的测试系统往往需...
GaN HEMT图示 如上图所示,GaN HEMT根据衬底的不同,有硅基GaN,SiC基GaN,石英基GaN等。 GaN HEMT的特点:器件保持常开状态,与垂直流过硅片的电流相比,GaN HEMT允许在更短的距离内形成 DS,但即使在 GS之间没有施加电压,它也会保持在ON状态。因为GaN HEMT通常待机时保持On状态,所以它的控制方式与普通MOSFET不同。
首片国产8英寸蓝宝石衬底GaN HEMTs晶圆发布 氮化镓晶圆的大尺寸化进程再次加速。在近日召开的2024九峰山论坛暨中国国际化合物半导体产业博览会上,西安电子科技大学联合广东致能科技展示了全球首片8英寸蓝宝石基氮化镓高电子迁移率晶体管(GaN HEMTs)晶圆器件。此前,德州仪器的一位高管也表示,该公司正在将其多个晶圆厂...
GaN HEMT器件的评估一般包含直流特性(直流l-V测试)、频率特性(小信号S参数测试)、功率特性(Load-Pull测试)。 直流特性测试 与硅基晶体管一样,GaN HEMT器件也需要进行直流l-V测试,以表征器件的直流输出能力以及工作条件。其测试参数包括:Vos、IDs、BVGD、BVDs、gfs等,其中输出电流lps以及跨导gm是最为核心的两个参...
“GaN HEMT器件性能的评估,一般包含静态参数测试(I-V测试)、频率特性(小信号S参数测试)、功率特性(Load-Pull测试)。静态参数,也被称作直流参数,是用来评估半导体器件性能的基础测试,也是器件使用的重要依据。以阈值电压Vgs(th)为例,其值的大小对研发人员设计器件的驱动电路具有重要的指导意义。
GaN HEMT工作原理详解 AlGaN/GaNHEMT为异质结结构器件,通过在GaN层上气相淀积或分子束外延生长AlGaN层,形成AlGaN/GaN异质结。GaN半导体材料中主要存在纤锌矿与闪锌矿结构两种非中心对称的晶体结构。 在这两种结构中,纤锌矿结构具有更低的对称性,当无外加应力条件时,GaN晶体内的正负电荷中心发生分离,在沿极轴的方向上...
GaN HEMT 管芯选型指南 1. 目的 对氮化镓(GaN)高电子迁移率晶体管( HEMT)不同系列管芯*的技术特点和适用场景进行说明,以方便 客户结合实际用途选择器件. 2. 管芯工艺特点 能讯的 HEMT 管芯基于碳化硅(SiC)基的氮化镓(GaN)工艺,适用于对高功率附加效率(PAE),高输 出功率密度,紧凑系统外形,大带宽以及高可靠...