for telecom featuring #CoolGaN™ Infineon’s GaN solution – easier to use GaN than ever before 邓巍 博士,英飞凌高电压氮化镓高级产品经理,深入讲解英飞凌CoolGaN™ 系列氮化镓产品 Electronica 2018 英飞凌正式发布600V氮化镓驱动器 Get the know-how of driving CoolGaN™ e-mode HEMTs from an expert...
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(常开型GaN HEMT为例) 典型AlGaN/GaNHEMT器件的基本结构如图5所示。器件最底层是衬底层(一般为SiC或Si材料),然后外延生长N型GaN缓冲层,外延生长的P型AlGaN势垒层,形成AlGaN/GaN异质结。最后在AlGaN层上淀积形成肖特基接触的栅极(G),源极(S)和漏极(D)进行高浓度掺杂并与...
器件转移技术具有利用标准GaN HEMT工艺和较低温度处理的独特优势,可将3英寸GaN HEMT器件层从主体SiC衬底完全剥离并转移到3英寸市售的PCD衬底上,同时通过比较,证明了相同GaN HEMT器件在衬底转移之前和之后的电学特性几乎没有改变,整个GaN外延片剩余的压应力弛豫不会使器件的二维电子气密度降低,验证了此种低温器件转移技...
这也意味着基于GaN HEMTs的高压系统解决方案比Si基系统具有更高的效率。然而,在高压应用下一个严重限制GaN HEMTs性能的问题就是电流崩塌现象(Current Collapse)。 电流崩塌又称作动态导通电阻退化(Dynamic Rds,onDegradation)如下图所示,这种现象最初得名于器件直流测试时,受到强电场的反复冲击后,饱和电流与最大跨导...
1.3、AlGaN/GaN HEMT器件优势 1)高的峰值电子速度和高的饱和速度:研究发现,HEMT器件的输出电流和高频特性不仅取决于低场下电子迁移率,而且与材料峰值电子速度和饱和速度有极大的关系。 尽管GaN 材料的低场下电子迁移率并不算非常高,但是它的高峰值电子速度和高的饱和速度使得AlGaN/GaN HEMT器件有很大的输出电流密度...
GaN HEMT的分类 按照器件结构类型:可分为横向和纵向两种结构,如图2所示。横向GaN功率器件适用于高频和中功率应用,而垂直GaN功率器件可用于高功率模块。垂直GaN 功率器件尚未在市场上出售,目前处于大量研究以使器件商业化的阶段。 按照器件工作模式:可分为常开(耗尽型)和常关(增强型)两种方式,如图3所示。在横向结构中...
在能源效率和微型化方面,传统的硅设备存在一定的局限性。氮化镓(GaN)晶体管,尤其是高电子迁移率晶体管(HEMT),代表了一种革命性的替代方案,由于其高性能和高效率,能够为电力电子学开辟新的维度。 高电子迁移率晶体管(HEMT)在大规模生产的电力开关设备中相对较新。与传统掺杂硅的设备不同,HEMT是异质结设备,由具有...
GaN HEMT工作原理详解 AlGaN/GaNHEMT为异质结结构器件,通过在GaN层上气相淀积或分子束外延生长AlGaN层,形成AlGaN/GaN异质结。GaN半导体材料中主要存在纤锌矿与闪锌矿结构两种非中心对称的晶体结构。 在这两种结构中,纤锌矿结构具有更低的对称性,当无外加应力条件时,GaN晶体内的正负电荷中心发生分离,在沿极轴的方向上...
氮化镓(GaN)晶体管，尤其是高电子迁移率晶体管(HEMT)，代表了一种革命性的替代方案，由于其高性能和高效率，能够为电力电子学开辟新的维度。高电子迁移率晶体管(HEMT)在大规模生产的电力开关设备中相对较新。与传统掺杂硅的设备不同，HEMT是异质结设备，由具有不同带隙电压的两种半导体材料构成。HEMT在1990年代末和...