CoolGaN™ Transistors 100 V ≤G2 – Spice 01_00 | 2024-06-27 | 514 KB Download ShareEN 开发工具 开发工具 Simulation Model Finder Infineon Read More Parametric Selection Tool for finding Simulation Model products 嵌入式软件 嵌入式软件 Embedded software development Promwad Assoc...
CoolGaN™ Transistors 100 V ≤G2 – Spice 01_00 | 2024-06-27 | 514 KB Download ShareEN 开发工具 开发工具 Simulation Model Finder Infineon Read More Parametric Selection Tool for finding Simulation Model products 嵌入式软件 嵌入式软件 Embedded software development Promwad Associated Partner Read ...
本发明公开了一种ASM‑GaN HEMT的spice模型参数提取方法,涉及半导体领域,包括以下步骤:步骤一、确定器件工艺参数;步骤二、提取在线性区域时电流_电压关系曲线相关参数;步骤三、提取300K时电流_电压关系曲线相关参数;步骤四、提取与温度相关的参数。本发明提高了ASM‑GaN HEMT的spice模型直流参数提取效率和提取参数的准...
在使用p-GaN HEMT 功率器件进行电路设计时,需要一个可靠、准确、收敛性好的SPICE(Simulation Program with Integrated Circuit Emphasis)紧凑模型.目前,文献中针对p-GaN HEMT 功率器件建立SPICE 紧凑模型有两种方法,即基于MVSG(MIT Virtual Source GaN HEMT)模型和基于ASM(Advanced SPICE Model)模型.基于MVSG 模型的方法...
最后强烈推荐ASM-HEMT模型原作者Sourabh Khandelwal写的一本书《Advanced SPICE Model for GaN HEMTs (ASM-HEMT): A New Industry-Standard Compact Model for GaN-based Power and RF Circuit Design》,该书较为详细地介绍了ASM-HEMT模型的实现方式和背后的物理规律。
摘要:由于传统驱动电路难以发挥新型器件GaNHEMT的高频优势,为了提高电路工作频率,充分利用GaN HEMT特性,设计了一种适用于该器件的驱动电路。经过对比分析GaNHEMT器件和SiMOSFET器件的寄 生参数和工作特性,得出GaNHEMT的特点和对驱动电路的要求;采用LTspice软件仿真,描述该驱动电路 ...
标准电路模拟器 (SPICE) 中的设备库缺少用于设计和验证电源电子电路所需的基于氮化镓高电子移动晶体管 (GaN-HEMT) 的模型。本文表明,GaN-HEMT 可以通过 SPICE 中标准 MOSFET Level-3 模型的选定方程进行建模。建议在这些方程中提取 SPICE 参数的方法。选定的方程和建议的参数提取方法通过测量商业 GaN-HEMT 的静态和...
ASM-HEMT是一个计算效率高,基于表面势的电流和电荷模型,考虑了各种二次器件效应,包括Self-heating和Trapping等效应。 MVSG_CMC (MIT Virtual Source GaNFET Compact Model Coalition) 是一种基于电荷的模型,具有多种场板电流和电荷模型可供选择。它还包括Lea...
假形高電子遷移率電晶體之溫度變化大訊號模型; Temperature dependence of large-signal model of pHEMTs 訊號等效模型.再者,利用EEHEMT1模型及其溫度參數來建立一個具有可預測溫度變化的等效模型,此大訊號模型無論在室溫下或高溫下(125 °C)的直流與高頻特性模擬都具有... 謝政宏,C. Hsieh - 《中央大學電機工程...
特性,基于双脉冲测试电路,该文提出了一种基于 GaN HEMT 的开关特性分析模型,该模型考虑了寄生电感,非线性寄生电容与非线性跨导等因素的影响,并详细推导了开通与关断周期中每一阶段的建模过程及其等效电路。将基于分析模型计算得到的开关波形与实验测试结果和 LTspice 软件仿真结果进行对比,验证了此分析模型的准确性。