基于上述问题,研究团队采用先进的界面态和体缺陷表征方法,揭示了GaN基异质结功率器件阈值电压不稳定的物理机制。同时针对基于Al2O3和SiNx两种常见栅/钝化介质的GaN基MIS-HEMT的动态不稳定性问题,研发了有效抑制表界面态和介质缺陷态的创新...
金融界2024年10月22日消息,国家知识产权局信息显示,深圳市港祥辉电子有限公司申请一项名为“一种凹槽型GaN MIS-HEMT纵向器件及其制备方法”的专利,公开号CN 118763105 A,申请日期为2024年9月。 专利摘要显示,本发明公开了一种凹槽型GaN MIS‑HEMT纵向器件及其制备方法,涉及半导体技术领域,包括漏极金属,所述漏极金...
AlN/AIGaN/GaN MIS-HEMT器件制作 1.器件结构与工艺 绝缘栅和肖特基栅HEMT器件结构如图1所示, AlGaN/GaN异质结采用MOCVD技术在2英寸c面蓝宝石衬底上外延得到,由下往上依次为180nm高温AlN成核层、13μm非掺杂GaN缓冲层、1nm AlN界面插入层、22nm AlGaN势垒层、及2nm GaN帽层,势垒层铝组分设定为30%。室温Hall效...
通过AlN栅介质层MIS-HEMT和Al2O3栅介质层MOS-HEMT器件对比研究发现,PEALD沉积AlN栅绝缘层可以大幅改善绝缘栅器件的界面和沟道输运特性;但是由于材料属性和生长工艺的局限性,采用AIN完全代替Al2O3栅介质层改善器件界面特性的同时也牺牲了一部分的器件关态漏电性能,即采用Al2O3栅介质层能获得更好的器件漏电抑制效果。
MIS-HEMT的栅氧化层电容 脊形HEMT的栅极至沟道电容 脊形GIT HEMT的肖特基接触结和PN结如图2b所示。沟道区由P型栅极至2DEG区以及来自沟道的空穴注入所组成。漏极电流的导数具有合并的单位面积栅极沟道电容(Cch)。 阈值电压 电子迁移率 漏源电阻 等效电路
2024年10月22日,深圳市港祥辉电子有限公司申请了一项名为“凹槽型GaN MIS-HEMT纵向器件及其制备方法”的专利,公开号CN118763105A。该专利的推出标志着半导体技术领域的一项重大进展,尤其是在提升器件性能方面具有重要意义。 半导体技术的创新 GaN(氮化镓)作为一种新型半导体材料,因其优异的电学特性及高频、高功率应用潜力...
偏置温度不稳定性恢复效应老化物理模型寿命预测MIS-HEMT是最有前景的GaN HEMT器件结构之一,其通过引入高势垒的绝缘介质层,可以极大地抑制栅极泄漏电流,从而降低静态功耗.然而,额外的绝缘介质层在绝缘介质层和AlGaN界面处引入了大量的缺陷,使得MIS-HEMT的可靠性非常差,在偏置电压下的阈值电压的漂移极大,即偏置温度不稳定...
港祥辉电子取得一种凹槽型 GaN MIS-HEMT 纵向器件专利 金融界 2024 年 11 月 27 日消息，国家知识产权局信息显示，深圳市港祥辉电子有限公司取得一项名为“一种凹槽型 GaN MIS-HEMT 纵向器件及其制备方法”的专利，授权公告号 CN 118763105 B，申请日期为 2024 年 9 月。本文源自：金融界 作者：情报员 ...
MISHEMT器件简介 MISHEMT器件的基本结构 金属-绝缘体-半导体-金属层叠结构，其中绝缘体层是器件的核心部分。MISHEMT器件的工作原理 通过在金属层上施加电压，引起半导体层中的电子和空穴的流动，从而实现电流的放大。GAN基增强型MISHEMT器件的特点与优势 GAN基增强型MISHEMT器件的特点 采用氮化镓(GAN)作为半导体层，具有...
金融界报道,深圳市港祥辉电子有限公司于2024年9月申请了一项全新的专利,标题为“一种凹槽型GaN MIS-HEMT纵向器件及其制备方法”。这项专利的公开引起了业内的广泛关注,特别是在半导体领域,其关键在于通过创新设计显著提升栅极的绝缘性能,并有效减少漏电流,为高效能源应用提供了新的可能性。