产品种类 MOSFET RoHS 是 安装风格 SMD/SMT 封装/ 箱体 ChipFET-8 通道数量 2 Channel 晶体管极性 P-Channel Vds-漏源极击穿电压 20 V Id-连续漏极电流 4.1 A Rds On-漏源导通电阻 120 mOhms Vgs - 栅极-源极电压 8 V 最小工作温度 - 55 C 最大工作温度 + 150 C Pd-功率耗散...
类型 分立半导体产品晶体管-FET,MOSFET- 型号 DMP2240UDM-7 技术参数 品牌: DIODES 型号: DMP2240UDM-7 封装: SMD 批号: 20+ 数量: 90000 类别: 分立半导体产品 晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 制造商: Diodes Incorporated FET 类型: 2个 P 沟道(双) FET 功能: 逻辑电平门 漏源电压(Vdss): 20V 25...
产品种类 MOSFET RoHS 是 技术 Si 安装风格 SMD/SMT 封装/ 箱体 SOT-363-6 通道数量 2 Channel 晶体管极性 P-Channel Vds-漏源极击穿电压 20 V Id-连续漏极电流 660 mA Rds On-漏源导通电阻 520 mOhms Vgs - 栅极-源极电压 12 V Vgs th-栅源极阈值电压 350 mV 最小工作温度 -...
MOSFET - Dual P-Channel, POWERTRENCH) NDC7003P General Description These dual P−Channel Enhancement Mode Power Field Effect Transistors are produced using onsemi's proprietary Trench Technology. This very high density process has been designed to minimize on−state resistance, provide rugged and...
318F-VB 是一款双P沟道(Dual-P+P-Channel)MOSFET,适用于低电压负载开关和功率管理应用。其具有负电压漏源电压和低导通电阻特性,适合用于各种便携式设备和电池供电系统中。SOT23-6封装提供了小巧的封装尺寸和良好的散热性能,适用于紧凑型电子设备。 ### 318F-VB MOSFET 详细参数 ...
MOSFET – Dual, P-Channel, POWERTRENCH) 30 V, -29 A, 90 mW FDMA3023PZ Description This Device is Designed Specifically as a Single Package Solution for the battery charge switch in cellular handset and other Ultra−Portable Applications. It features two independent P−Channel MOSFETs with ...
产品种类 MOSFET RoHS 是 技术 Si 安装风格 SMD/SMT 封装/ 箱体 SSOT-6 晶体管极性 N-Channel, P-Channel 通道数量 2 Channel Vds-漏源极击穿电压 60 V Id-连续漏极电流 510 mA Rds On-漏源导通电阻 1 Ohms Vgs - 栅极-源极电压 20 V 最小工作温度 - 55 C 最大工作温度 + 150...
Dual P-Channel 20 V (D-S) MOSFET Si5999EDU Vishay Siliconix PRODUCT SUMMARY VDS (V) RDS(on) (Ω) 0.059 at VGS = - 4.5 V - 20 0.096 at VGS = - 2.5 V ID (A) - 6a - 6a Qg (Typ.) 6.9 nC PowerPAK ChipFET Dual 1 FEATURES • Halogen-free According to IEC 61249-2-21 ...
双P沟道绝缘栅场效应管。
产品种类: MOSFET RoHS: 是 安装风格: SMD/SMT 封装/ 箱体: SOT-563-6 通道数量: 2 Channel 晶体管极性: P-Channel Vds-漏源极击穿电压: 20 V Id-连续漏极电流: 350 mA Rds On-漏源导通电阻: 1.2 Ohms Vgs - 栅极-源极电压: 8 V 最小工作温度: - 55 C 最大工作温度: + 150 C Pd-功率耗散...