产品种类: MOSFET RoHS: 是 安装风格: SMD/SMT 封装/ 箱体: ChipFET-8 通道数量: 2 Channel 晶体管极性: P-Channel Vds-漏源极击穿电压: 20 V Id-连续漏极电流: 4.1 A Rds On-漏源导通电阻: 120 mOhms Vgs - 栅极-源极电压: 8 V 最小工作温度: - 55 C 最大工作温度: + 150 C Pd-功率耗散...
类型 分立半导体产品晶体管-FET,MOSFET- 型号 DMP2240UDM-7 技术参数 品牌: DIODES 型号: DMP2240UDM-7 封装: SMD 批号: 20+ 数量: 90000 类别: 分立半导体产品 晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 制造商: Diodes Incorporated FET 类型: 2个 P 沟道(双) FET 功能: 逻辑电平门 漏源电压(Vdss): 20V 25...
种类:绝缘栅MOSFET 沟道类型:P沟道 导电方式:增强型 封装外形:CHIP/小型片状 开启电压:-30(V) 夹断电压:20(V) 最大漏极电流:-5A(mA) 最大耗散功率:2W(mW) <p>AO4803A---30V Dual P-Channel MOSFET</p><p> </p><p>亿生是AOS代理,如有需要可具体咨询选型。</p><p> </p><p>亿生电子是Mic...
新洁能提供的P型20V~60V 和N型18V~100V的Dual(双芯)MOSFET产品,通过将两颗P型或者N型的功率MOSFET产品以并联合封的方式集成到单个封装中,极大程度上优化了产品结构,为设计人员简化电路,提高系统功率密度提供新的选项。该双芯功率MOSFET产品主要采用Trench以及SGT技术,设计人员可以根据实际应用需求选择。该类产品广泛...
产品种类 MOSFET RoHS 是 安装风格 SMD/SMT 封装/ 箱体 SO-8 晶体管极性 P-Channel 通道数量 2 Channel Vds-漏源极击穿电压 60 V Id-连续漏极电流 2.9 A Rds On-漏源导通电阻 105 mOhms Vgs - 栅极-源极电压 - 20 V, + 20 V Vgs th-栅源极阈值电压 3 V Qg-栅极电荷 23 nC ...
Dual P-Channel 20 V (D-S) MOSFET Si1023X Vishay Siliconix PRODUCT SUMMARY VDS (V) RDS(on) () 1.2 at VGS = - 4.5 V - 20 1.6 at VGS = - 2.5 V 2.7 at VGS = - 1.8 V ID (mA) - 350 - 300 - 150 SOT-563 SC-89 S1 1 G1 2 6 D1 5 G2 Marking Code: B D2 3 ...
318F-VB 是一款双P沟道(Dual-P+P-Channel)MOSFET,适用于低电压负载开关和功率管理应用。其具有负电压漏源电压和低导通电阻特性,适合用于各种便携式设备和电池供电系统中。SOT23-6封装提供了小巧的封装尺寸和良好的散热性能,适用于紧凑型电子设备。 ### 318F-VB MOSFET 详细参数 ...
产品种类: MOSFET RoHS: 是 安装风格: SMD/SMT 封装/ 箱体: SOT-563-6 通道数量: 2 Channel 晶体管极性: P-Channel Vds-漏源极击穿电压: 20 V Id-连续漏极电流: 430 mA Rds On-漏源导通电阻: 900 mOhms Vgs - 栅极-源极电压: 6 V Vgs th-栅源极阈值电压: - 1 V Qg-栅极电荷: 1.7 nC 最...
Dual P-Channel 20-V (D-S) MOSFET Si7913DN Vishay Siliconix PRODUCT SUMMARY VDS (V) RDS(on) (Ω) 0.037 at VGS = - 4.5 V - 20 0.048 at VGS = - 2.5 V 0.066 at VGS = - 1.8 V ID (A) - 7.4 - 6.5 - 55 PowerPAK 1212-8 3.30 mm S1 1 G1 2 3.30 mm S2 3 G2 4 D1 ...
产品种类: MOSFET RoHS: 是 安装风格: SMD/SMT 封装/ 箱体: SOT-563-6 通道数量: 2 Channel 晶体管极性: P-Channel Vds-漏源极击穿电压: 20 V Id-连续漏极电流: 350 mA Rds On-漏源导通电阻: 1.2 Ohms Vgs - 栅极-源极电压: 8 V 最小工作温度: - 55 C 最大工作温度: + 150 C Pd-功率耗散...