商标名 PowerTrench 高度 0.75 mm 长度 2 mm 系列 FDMA905P 晶体管类型 1 P-Channel 宽度 2 mm 商标 ON Semiconductor / Fairchild 产品类型 MOSFET 工厂包装数量 3000 子类别 MOSFETs 单位重量 30 mg 可售卖地 全国 型号 FDMA905P 本公司产品广泛有:二极管 三极管 DIP/SMDIC集成电路 !!型...
解答一 举报 P沟道功率金属氧化物(半导体)场效应晶体管Power MOSFET功率金属氧化物(半导体)场效应晶体管 power MOSFET 能够控制超过1 A电流而不发生损伤和毁坏的金属氧化物场效应晶体管,有些可以控制高达100 A的电流,另一些... 解析看不懂?免费查看同类题视频解析查看解答 更多答案(1) ...
Power MOSFET功率金属氧化物(半导体)场效应晶体管 power MOSFET 能够控制超过1 A电流而不发生损伤和毁坏的金属氧化物场效应晶体管,有些可以控制高达100 A的电流,另一些可以控制高达1200 v的电压,它应用于高频开关稳压电源和马达控制. 解析看不懂?免费查看同类题视频解析查看解答 更多答案(1)...
65W ultra-high power density USB-PD PPS charger demoboard Supported Product Families XDPS P-Channel MOSFET Bill of material (BOM) BSC093N15NS5 BSZ086P03NS3 G IPD60R180C7 IPP60R180C7 XDPS2201 仿真模型 仿真模型 Power MOSFET Simulation Models ...
P-Channel Power MOSFET是什么意思 相关知识点: 试题来源: 解析 P沟道功率金属氧化物(半导体)场效应晶体管Power MOSFET功率金属氧化物(半导体)场效应晶体管 power MOSFET 能够控制超过1 A电流而不发生损伤和毁坏的金属氧化物场效应晶体管,有些可以控制高达100 A的电流,另一些......
65W ultra-high power density USB-PD PPS charger demoboard Supported Product Families XDPS P-Channel MOSFET Bill of material (BOM) BSC093N15NS5 BSZ086P03NS3 G IPD60R180C7 IPP60R180C7 XDPS2201 仿真模型 仿真模型 Power MOSFET Simulation Models ...
商标名 PowerTrench 高度 0.8 mm 长度 3.3 mm 系列 FDMC510P 晶体管类型 1 P-Channel 宽度 3.3 mm 商标 ON Semiconductor / Fairchild 产品类型 MOSFET 工厂包装数量 3000 子类别 MOSFETs 单位重量 165.330 mg 可售卖地 全国 型号 FDMC510P 天元鑫作为国内领先的混合型IC分销商 ( 吕艳 1501...
P-Channel Power MOSFET P-信道功率MOSFET 双语例句 1 A Novel 200V P-Channel Power MOSFET and the Process for the PDP ScanDriver IC PDP扫描驱动芯片的新型200VP沟功率MOSFET及工艺研究
功率- 最大值 1.6W 工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型 表面贴装型 封装/外壳 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) 可售卖地 全国 类型 分立半导体产品 晶体管 - FET,MOSFET - 型号 FDS8935 技术参数 品牌: ON/安森美 型号: FDS8935 封装: Reel 批号: 20+ 数量: 22200 类别: 分立半导体产品 ...
晶体管类型 1 P-Channel 宽度 6.22 mm 商标 ON Semiconductor / Fairchild 正向跨导 - 最小值 16 S 下降时间 7 ns 产品类型 MOSFET 上升时间 15 ns 工厂包装数量 2500 子类别 MOSFETs 典型关闭延迟时间 22 ns 典型接通延迟时间 6 ns 单位重量 260.370 mg 可售卖地 全国 类型 Power MOSFET 型号 FDD4243 吾...