Find out more about our N Channel Power MOSFET Portfolio – Robust Design for High-Performance Industrial and Automotive Applications
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P-Channel Power MOSFET是什么意思 相关知识点: 试题来源: 解析 P沟道功率金属氧化物(半导体)场效应晶体管Power MOSFET功率金属氧化物(半导体)场效应晶体管 power MOSFET 能够控制超过1 A电流而不发生损伤和毁坏的金属氧化物场效应晶体管,有些可以控制高达100 A的电流,另一些可以控制高达1200 v的电压,它应用于高频...
40V N-Channel Power MOSFET VDSS 40V, ID 149A, low gate charge advanced Trench technology Silicongear-SG40N01P The SG40N01P uses advanced Trench technology and designs to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. This ...
P沟道功率金属氧化物（半导体）场效应晶体管Power MOSFET功率金属氧化物（半导体）场效应晶体管 power MOSFET 能够控制超过1 A电流而不发生损伤和毁坏的金属氧化物场效应晶体管,有些可以控制高达100 A的电流,另一些可以控制高达1200 v的电压,它应用于高频开关稳压电源和马达控制.
1 N-Channel Power MOSFET 宽度 5.15 mm 商标 STMicroelectronics 下降时间 50 ns 产品类型 MOSFET 上升时间 25 ns 工厂包装数量 600 子类别 MOSFETs 典型关闭延迟时间 85 ns 典型接通延迟时间 13 ns 单位重量 38 g 可售卖地 全国 类型 Power MOSFET 型号 STW26NM60N 产品详情 技术参数 品牌: ST 型号: STW26...
商品参数 品牌: on 封装: PQFN-8 批号: NEW 数量: 250000 制造商: ON Semiconductor 产品种类: MOSFET RoHS: 是 安装风格: SMD/SMT 封装/ 箱体: Power-56-8 晶体管极性: N-Channel 通道数量: 1 Channel Vds-漏源极击穿电压: 40 V Id-连续漏极电流: 25 A Rds On-漏源导通电阻...
产品类型 MOSFET 上升时间 15 ns 工厂包装数量 2500 子类别 MOSFETs 典型关闭延迟时间 22 ns 典型接通延迟时间 6 ns 单位重量 260.370 mg 可售卖地 全国 类型 Power MOSFET 型号 FDD4243 PDF资料 电子管-场效应管-FDD4243-FAIRCHILD-TO-252-19+.pdf 下载 价格说明 价格:商品在爱采购的展示标价,具体的成交价...
P-Channel Power MOSFET P-信道功率MOSFET 双语例句 1 A Novel 200V P-Channel Power MOSFET and the Process for the PDP ScanDriver IC PDP扫描驱动芯片的新型200VP沟功率MOSFET及工艺研究
NDF03N60Z, NDD03N60Z N-Channel Power MOSFET 600 V, 3.6 W Features • Low ON Resistance • Low Gate Charge • ESD Diode−Protected Gate • 100% Avalanche Tested • These Devices are Pb−Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHS Compliant ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TC = 25°...