650V碳化硅场效应管器件在推出之后,可以补充之前只有1200V碳化硅场效应器件设计需求,碳化硅场效应管(SiC MOSFET)由于能够实现硅 doublelove 2023-03-14 14:05:02 碳化硅的历史与应用介绍 硅与碳的唯一合成物就是碳化硅(SiC),俗称金刚砂。SiC 在自然界中以矿物碳硅石的形式存在,但十分稀少。不过,自1893 年以来,...
SiC Diode Module是采用碳化硅(SiC)材料的功率半导体器件,专为高效率和高性能的电力转换设计。与传统的硅基二极管相比,SiC二极管模块具有更快的开关速度、更低的反向恢复损耗和更高的工作温度。SiC技术的发展推动了电力电子设备的能效提升和尺寸缩小。 SiC Diode Module SemiQ 的 SiC 肖特基二极管模块的开关损耗接近于零...
主营商品:Sic碳化硅、MOS管、肖特基二极管、SiC碳化硅 进入店铺 全部商品 店内热销 查看详情 INN650D150A 氮化镓MOS管 LED照明驱动器 650V 17A DFN8X8 元器件 ￥12.00 查看详情 INN650D260A 氮化镓MOSFET管 光伏储能系统器件 650V 14A DFN8X8 ￥7.00 查看详情 INN650DA150A 氮化镓电子电器电源设备 650V 17...
600V分立碳化硅肖特基二极管CREE CREE的600V分立碳化硅(SiC)肖特基二极管使用MPS(并入PiN肖特基)设计方案,比传统肖特基势垒二极管更耐用安全可靠。将CREE碳化硅二极管与SiC MOSFET匹配,能在一起选择时实现更高效率和更低的模块价格的超强组合。 特征 低正向电压(Vf)随气温下降 零反向恢复成本,实现快捷切换操控 稳定的MPS技...
... with Active Short Circuit Support optimized for SiC MOSFET Technologies. Infineon Designer is an online design- and prototyping engine combining analog (SPICE) and digital (MCU) simulation functionalities. 仿真工具 Simulate ONLINE - Automotive 400 V Half Bridge Inverter using Single Channel,...
英飞凌最新推出的600V CoolMOS™ 8引领着全球高压超级结MOSFET技术的发展，在全球范围内树立了技术和性价比标准。CoolMOS™ 8是英飞凌新一代硅基MOSFET技术，旨在取代现有的高/低功率开关电源（SMPS）的CoolMOS™ 7产品系列（包括P7、S7、CFD7、C7、G7和PFD7）。它也是CoolGaN™和CoolSiC™宽禁带半导体...
振华科技(000733.SZ)：碳化硅器件有SIC SBD和SIC MOSFET 产品覆盖600V～1700V等十余款型号 格隆汇4月10日丨振华科技(000733.SZ)在投资者互动平台表示，公司碳化硅器件有SIC SBD和SIC MOSFET，产品覆盖600V～1700V等十余款型号；氮化镓衬底的功率器件-GaN HEMT，分别为低压100V系列和高压650V系列。
如果您对SemiQ的SiC MOSFET Modules感兴趣,或者需要了解更多相关应用信息,请关注浮思特科技,与半导体科技同行。 END 关于我们: 深圳市浮思特科技有限公司成立于2008年,位于深圳市南山区,是一家专业从事功率器件、半导体元器件供应和应用方案开发业务的企业,公司长期专注4大产品线:新能源、电动汽车及充电桩、家用电器、...
例如,一些600V电压等级的N沟道MOSFET的温度系数是正的,在接近最高结温时,温度系数会让这些MOSFET变得象650V MOSFET。 2021-03-11 09:50:58 SiC-MOSFET有什么优点 1. 器件结构和特征Si材料中越是高耐压器件,单位面积的导通电阻也越大(以耐压值的约2~2.5次方的比例增加),因此600V以上的电压中主要采用IGBT(...
英飞凌最新推出的600V CoolMOS™ 8引领着全球高压超级结MOSFET技术的发展,在全球范围内树立了技术和性价比标准。 CoolMOS™ 8是英飞凌新一代硅基MOSFET技术,旨在取代现有的高/低功率开关电源(SMPS)的CoolMOS™ 7产品系列(包括P7、S7、CFD7、C7、G7和PFD7)。它也是CoolGaN™和CoolSiC™宽禁带半导体技术...