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Nexperia(安世半导体)近日宣布,公司推出了业界领先的1200V碳化硅(SiC)MOSFET,标志着其在高功率半导体领域的又一重要突破。 2024-05-23 11:34:58 比较1200V碳化硅MOSFET和Si IGBT的主要特色 意法半导体的碳化硅MOSFET技术,不但每单位面积的导通电阻非常之低,切换效能绝佳,而且跟传统的硅基续流二极体(FWD)相比,内接...
在碳化硅领域,目前公司半导体业务已成功研发出具有性能优异的1200V SiC MOSFET,不同规格以及封装灵活的SiC MOSFET器件,可以满足电动汽车OBC、充电桩、不间断电源以及太阳能和储能系统等多个汽车和工业市场。 半导体业务在SiC领域的创新和产品开发为未来的增长奠定了坚实的基础。随着全球对高效率、低功耗电力电子器件的需求...
表1. 分立封装中的1200V碳化硅MOSFET(工业级为'T'，车规级为'V'，AEC−Q101)M3S(第二代)对比SC1(第一代)的主要特征本节介绍与第一代(NTH4L020N120SC1、1200 V/20 m、TO247−4L)相比，第二代(NTH4L022N120M3S、1200 V/22 m、TO247−4L)的主要特性。测试使用标准样品在同一试验台下，使用相...
近日，微电子所高频高压中心刘新宇研究员团队与青禾晶元公司、南京电子器件研究所等团队合作，基于新型6英寸SiC复合衬底成功实现高性能低成本1200V SiC MOSFET。当前，碳化硅（SiC）晶圆行业正持续扩大产能以满足不断增长的市场需求。但可用于MOSFET制造的无缺陷衬底（即“高质量”衬底）的成品率通常仅为40%-60%。在6-...
东芝电子今日宣布,最新开发出一款用于车载牵引逆变器[1]的裸片[2]1200 V碳化硅(SiC)MOSFET“X5M007E120”,其创新的结构可实现低导通电阻和高可靠性。X5M007E120现已开始提供测试样品,供客户评估。 当典型SiC MOSFET的体二极管在反向传导操作[3]期间双极通电[4]时,其可靠性会因导通电阻增加而降低。东芝SiC MOSFET通...
1200V级SiCMOSFET是一种能充分发挥SiC优势的器件,广泛应用于工业、汽车等领域。目前,1200V级SiC MOSFET被多家器件厂商定位为主力产品,本文主要介绍三菱电机1200V级SiC MOSFET的技术开发概要。 截至2024年,三菱电机已量产第二代平面栅SiC MOSFET芯片,并配套于各种模块实现产品化。图1显示了第二代平面栅SiC MOSFET的MOS...
安森美 M 1 1200 V SiC MOSFET 的额定电压为 1200 V，具有每个特定器件的数据表中规定的最大零栅极电压漏极电流 (IDSS)。然而，SiC MOSFET 的阻断电压能力会随着温度的升高而降低。以 1200 V 20 m SiC MOSFET 电源模块为例，与 25℃ 时的值相比，−40℃ 时阻断电压 (VDS) 的典型降额约为 11%。即使...
近日，Nexperia宣布推出一系列新型的1200 V碳化硅(SiC)MOSFET，专为满足工业应用中的高效能和耐用性需求而设计。这些新产品不仅具备卓越的温度稳定性，还采用了先进的表面贴装(SMD)封装技术，称为X.PAK。这种封装技术的创新之处在于其顶面冷却设计，使得设备在高功率应用中能够有效散热，极大地提升了整体性能。新推出...
近日,Nexperia宣布推出一系列新型的1200 V碳化硅(SiC)MOSFET,专为满足工业应用中的高效能和耐用性需求而设计。这些新产品不仅具备卓越的温度稳定性,还采用了先进的表面贴装(SMD)封装技术,称为X.PAK。这种封装技术的创新之处在于其顶面冷却设计,使得设备在高功率应用中能够有效散热,极大地提升了整体性能。