当典型SiC MOSFET的体二极管在反向传导操作[3]期间双极通电时,其可靠性会因导通电阻增加而降低。东芝SiC MOSFET通过在MOSFET中嵌入SBD(肖特基势垒二极管)以弱化体二极管工作的器件结构来缓解上述问题,但如若将SBD布置在芯片上,会减少为通道提供的板面积,板面积不仅可决定MOSFET导通工作的电阻,而且还可增加芯片的导通电阻。
SiC（碳化硅）相较于传统硅器件，能够显著降低损耗，因此在智能电网、新能源汽车中备受青睐。闻泰科技半导体业务积极布局第三代半导体领域，加速发力SiC技术，迎接未来广阔发展机遇。碳化硅（SiC）俗称金刚砂，是硅与碳相键结而成的陶瓷状化合物。SiC晶体管是天然的E型MOSFET，导通电阻远低于硅MOSFET，因而能效更高。此外...
功率更高的电压系统需要1200V的耐压功率芯片,所以1200V的SiC功率器件是业界共同的发力方向。 目前公司半导体业务已成功研发出具有性能优异的1200V SiC MOSFET,不同规格以及封装灵活的SiC MOSFET器件,可以满足电动汽车OBC、充电桩、不间断电源以及太阳能和储能系统等多个汽车和工业市场。 通过创新工艺技术,公司半导体业务的...
纳芯微推出1200V首款SiC MOSFET NPC060N120A系列产品，该产品RDSon为60mΩ，具有通孔式TO-247-4L与表面贴装TO-263-7L两种封装形式，可提供车规与工规两种等级。纳芯微的碳化硅MOSFET具有卓越的RDSon温度稳定性、门极驱动电压覆盖度更宽、具备高可靠性，适用于电动汽车(EV) OBC/DCDC、热管理系统、光伏和储能系...
安森美已经发布了第一代1200V碳化硅MOSFET产品，命名为SC1，如表1所示，产品线覆盖20mΩ到160mΩ。尽管与工业电源系统1200V开关中的传统解决方案IGBT相比，SC1的性能实现了大幅提升，但它针对的是通用领域，设计参数折中，没有特别针对某个领域。一些工程师在产品设计时，希望选择更针对他们应用领域的特定产品。安森美第...
爱仕特始终秉承创新理念,近期推出了1200V和1700V两款内绝缘型TO-247-4封装的SiC MOSFET。这些创新产品在保持标准封装尺寸,通过内置陶瓷片优化了绝缘和导热性能,背面散热器做了悬浮电位设计,减少了外部绝缘材料依赖,降低了材料老化导致的长期运行故障风险,增强了产品可靠性和耐用性。
随着电动汽车的车载充电器 (OBC) 迅速向更高功率和更高开关频率发展,对 SiC MOSFET 的需求也在增长。许多高压分立 SiC MOSFET 已经上市,工程师也在利用它们的性能优势设计 OBC 系统。要注意的是,PFC 拓扑结构的变化非常显著。设计人员正在采用基于 SiC MOSFET 的无桥 PFC
SiC(碳化硅)相较于传统硅器件,能够显著降低损耗,因此在智能电网、新能源汽车中备受青睐。闻泰科技半导体业务积极布局第三代半导体领域,加速发力SiC技术,迎接未来广阔发展机遇。 碳化硅(SiC)俗称金刚砂,是硅与碳相键结而成的陶瓷状化合物。SiC晶体管是天然的E型MOSFET,导通电阻远低于硅MOSFET,因而能效更高。此外,其高...
近年来,为了更好地实现自然资源可持续利用,需要更多节能产品,因此,关于焊机能效的强制性规定应运而生。经改进的碳化硅CoolSiC™ MOSFET 1200 V采用基于.XT扩散焊技术的TO-247封装,其非常规封装和热设计方法通过改良设计提高了能效和功率密度。 逆变焊机通常是通过功率模块解决方案设计来实现更高输出功率,从而帮助降低...
安森美(onsemi)发布了第二代1200V碳化硅 (SiC)MOSFET,命名为M3S,其中S代表开关。M3S 系列专注于提高开关性能,相比于第一代1200V碳化硅MOSFET,除了降低特定电阻RSP (即RDS(ON)*Area) ,还针对工业电源系统中的高功率应用进行了优化,如太阳能逆变器、ESS、UPS 和电动汽车充电桩等。帮助开发者提高开关频率和系统效率...