双脉冲测试是表征器件动态特性的常用测试方法,1200V G4.5平台产品通过器件设计优化,在双脉冲测试中的开关损耗均优于G4平台产品,其体二极管的反向恢复电荷也降低了6%。 图10 AKS SiC MOSFETs 不同RG(EXT)开关损耗:G4 vs. G4.5 图1...
双脉冲测试是表征器件动态特性的常用测试方法,1200V G4.5平台产品通过器件设计优化,在双脉冲测试中的开关损耗均优于G4平台产品,其体二极管的反向恢复电荷也降低了6%。 图10 AKS SiC MOSFETs 不同RG(EXT)开关损耗:G4 vs. G4.5 图11 AKS SiC MOSFETs Qrr:G4 vs. G4.5 2.6 效率测试 30kW风冷2U充电桩中,三相...
双脉冲测试装置。 图4:双脉冲测试设置 通过该测试,可以测量反向恢复时间 (trr) 和峰值反向恢复电流 (Irrm) 等动态特性。这些参数是在限制带宽 200 MHz 时测得的,如图 5 所示。 开启时的 ID 波形。 图5:开启时的I D波形 测试条件 为了检验 SiC MOSFET 在功率循环测试下的可靠性,对每个 DUT 的体二极管进行...
图9 AKS SiC MOSFETs Eoss/QOSS:G4 vs. G4.5 2.5 双脉冲测试 双脉冲测试是表征器件动态特性的常用测试方法,1200V G4.5平台产品通过器件设计优化,在双脉冲测试中的开关损耗均优于G4平台产品,其体二极管的反向恢复电荷也降低了6%。 图10 AKS SiC MOSFETs 不同RG(EXT)开关损耗:G4 vs. G4.5 图11 AKS SiC ...
安森美(onsemi)发布了第二代1200V碳化硅 (SiC)MOSFET,命名为M3S,其中S代表开关。M3S 系列专注于提高开关性能,相比于第一代1200V碳化硅MOSFET,除了降低特定电阻RSP (即RDS(ON)*Area) ,还针对工业电源系统中的高功率应用进行了优化,如太阳能逆变器、ESS、UPS 和电动汽车充电桩等。帮助开发者提高开关频率和系统效率...
图4:双脉冲测试设置 通过该测试,可以测量反向恢复时间 (trr) 和峰值反向恢复电流 (Irrm) 等动态特性。这些参数是在限制带宽 200 MHz 时测得的,如图 5 所示。 开启时的 ID 波形。 图5:开启时的I D波形 测试条件 为了检验 SiC MOSFET 在功率循环测试下的可靠性,对每个 DUT 的体二极管进行了压力测试。为防止...
近日,清纯半导体正式推出1200V/3.5m的SiC MOSFET芯片(型号:SG2MA35120B)及对应SOT227封装产品(型号:S1P04R120SSE),以满足客户在高性能、大功率应用的需求。图1和图2分别展示了该芯片单管SOT227封装 (图3)的输出和击穿特性曲线。在室温下,该芯片电阻为3.5毫欧,击穿电压不低于1600V。本产品通过设计和工艺的改进...
图1显示了测试装置的电路图。双脉冲测试(DPT)用于检查电流水平下的开关性能。一个难以区分的入口驱动电路用于整个评估。使用 500-VDC总线电源,并使用 9,200-µF 电解顶部组来保持传输电压。重叠的传输条有助于最小化圆形寄生电感。 负载电流的大小会影响 IGBT 和 MOSFET 的速度。开关是通过栅极充电和释放来实现...
近日,清纯半导体正式推出1200V/3.5mΩ的SiC MOSFET芯片(型号:SG2MA35120B)及对应SOT227封装产品(型号:S1P04R120SSE),以满足客户在高性能、大功率应用的需求。图1和图2分别展示了该芯片单管SOT227封装 (图3)的输出和击穿特性曲线。在室温下,该芯片电阻为3.5毫欧,击穿电压不低于1600V。本产品通过设计和工艺的改...
双脉冲测试可以获得器件真实参数:首先是获取开关管开关过程中的参数,可以用来评估驱动电阻数值是否合适,是否需要加吸收电路等。而且可以衡量开关管在实际电路中的表现,主要有反向恢复电流,关断电压尖峰,开通关断时间等。通过观察SiC的栅极波形,评估SiC驱动板是否能为SiC开启提供足够的驱动电流;获取SiC在开通、关断过程的主要...