SiC MOSFET ModuleSemiQ 的 SiC MOSFET 模块的开关损耗接近于零，大大提高了效率，减少了散热，并且需要更小的散热器。这些优点使 SemiQ 的产品成为各种应用的理想选择，包括直流电源设备的电源、感应加热整流器、焊接设备、高温环境、太阳能逆变器、电机驱动器、电源、充电站等。SemiQ 1200V SiC MOSFET 模块系列产品...
表1. 分立封装中的1200V碳化硅MOSFET(工业级为'T'，车规级为'V'，AEC−Q101)M3S(第二代)对比SC1(第一代)的主要特征本节介绍与第一代(NTH4L020N120SC1、1200 V/20 m、TO247−4L)相比，第二代(NTH4L022N120M3S、1200 V/22 m、TO247−4L)的主要特性。测试使用标准样品在同一试验台下，使用相...
在第一阶段，选择适当的值时，需要考虑 RG 对损耗的影响。RG 较高将使器件速度变慢，从而导致 EON 和 EOFF 损耗增加。图 18 显示了 20 mΩ、1200 V SiC MOSFET M 1 模块中开关损耗与 RG 的关系。RG 较高的积极影响是 Err 损耗减少，这是因为 MOSFET 体二极管在较慢的开关速度下表现更平滑。但是，这不...
NVXK2KR80WDT Vienna 整流器模块搭载 1200 V 80 mΩ SiC MOSFET,SiC 和 Si 二极管贴装在 Al2O3 陶瓷基板上; NVXK2TR80WDT 双半桥模块搭载 1200 V 80 mΩ SiC MOSFET,贴装在 Al2O3 陶瓷基板上; NVXK2TR40WXT 双半桥模块搭载 1200 V 40 mΩ SiC MOSFET,贴装在 AlN 陶瓷基板上,用于提高电流处理能力。
与传统的硅基MOSFET相比,SiC MOSFET模块具有更高的工作温度、更低的导通电阻、更快的开关速度和更好的热导率,SiC MOSFET模块的引入有助于提高系统效率,减小系统尺寸和重量,是现代电力电子技术的重要进步。 SiC MOSFET Module SemiQ 的 SiC MOSFET 模块的开关损耗接近于零,大大提高了效率,减少了散热,并且需要更小...
纳芯微发布首款1200V SiC MOSFET，为高效、可靠能源变换再添助力！### 纳芯微推出1200V首款SiC MOSFET NPC060N120A系列产品，该产品RDSon为60mΩ，具有通孔式TO-247-4L与表面贴装TO-263-7L两种封装形式，可提供车规与工规两种等级。纳芯微的碳化硅MOSFET具有卓越的RDSon温度稳定性、门极驱动电压覆盖度更宽、...
This paper presents the new and smallest 1200 V silicon carbide (SiC) intelligent power module (IPM) for variable-speed drive applications such as active harmonic filters for HVAC (heating, ventilation and air conditioning) and high-performance motor drives. This IPM has integrated six SiC MOSFETs...
解决不同作用的MOSFET共用一个散热片的绝缘问题 提高可靠性 避免因绝缘材料高温或破裂而产生的可靠性问题 铜框架和SiC 芯片的热膨胀系数差异较大,内置陶瓷绝缘片可以提高功率循环的可靠性 碳化硅 MOSFET功率模块(SiC MODULE)大电流下的驱动器研究:https://pan.baidu.com/s/1hfdlk3giVxZYp0uqh0W0ZA 提取码uvwi...
近日，微电子所高频高压中心刘新宇研究员团队与青禾晶元公司、南京电子器件研究所等团队合作，基于新型6英寸SiC复合衬底成功实现高性能低成本1200V SiC MOSFET。当前，碳化硅（SiC）晶圆行业正持续扩大产能以满足不断增长的市场需求。但可用于MOSFET制造的无缺陷衬底（即“高质量”衬底）的成品率通常仅为40%-60%。在6-...
1200V CoolSiC™ MOSFET半桥和三相桥Easy模块 EasyDUAL™ 1B和EasyPACK™ 1B采用CoolSiC™ MOSFET增强型1代，适用于1200V应用。这些模块采用PressFIT压接技术并带NTC温度检测。它们还提供预涂热界面材料和AlN/Al2O3基板等不同型号。相关器件：▪️ FS33MR12W1M1H_B11 33mΩ 1200V 三相桥 ▪️...