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公司目前已推出1200V 60mohm SiC MOSFET、1200V 17mohm、1200 V 32mohm、1200V 75mohm 等SiC MOSFET系列产品,同时通过相关电性能测试评估及可靠性考核,产品综合特性达到国际先进水平,主要目标市场是光伏逆变和汽车;目前正在给客户送样测试。感谢您的关注。
纳芯微发布首款1200V SiC MOSFET纳芯微近日重磅推出了其首款1200V SiC MOSFET系列产品NPC060N120A,其RDSon值低至60mΩ,展现了出色的导电性能。这款产品提供了通孔式TO-247-4L和表面贴装TO-263-7L两种封装形式,满足车规与工规不同等级的需求。
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ASC8N650MT3 SiC Chips TO-247-3 650V 320mohm -40~175℃ Development 选型表 - 爱仕特 立即选型 ASR80N1200MD02 1200V N沟道MOSFET 该资料详细介绍了ASR80N1200MD02型1200V N-Channel MOSFET的特性、电气参数和应用领域。该MOSFET采用碳化硅(SiC)技术,具有高速开关、低电容、低导通电阻等特性,适用于...
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