公司目前已推出1200V 60mohm SiC MOSFET、1200V 17mohm、1200 V 32mohm、1200V 75mohm 等SiC MOSFET系列产品,同时通过相关电性能测试评估及可靠性考核,产品综合特性达到国际先进水平,主要目标市场是光伏逆变和汽车;目前正在给客户送样测试。感谢您的关注。
Wolfspeed C2M0025120D MOSFET SIC MOSFET 1200V RDS ON 25 mOhm C2M0025120D 20000 Wolfspeed -- ￥0.6500元10~99 ￥0.6190元100~999 ￥0.5830元>=1000 深圳市灿芯兴电子科技有限公司 4年 -- 立即询价 查看电话 QQ联系 平伟SC075N120TK 1200V 75mΩ TOLL 封装碳化硅Sic-MOSFET SC075N120TK ...
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纳芯微发布首款1200V SiC MOSFET纳芯微近日重磅推出了其首款1200V SiC MOSFET系列产品NPC060N120A,其RDSon值低至60mΩ,展现了出色的导电性能。这款产品提供了通孔式TO-247-4L和表面贴装TO-263-7L两种封装形式,满足车规与工规不同等级的需求。
60mOhm:AIMBG120R060M1 80mOhm:AIMBG120R080M1 120mOhm:AIMBG120R120M1 160mOhm:AIMBG120R160M1 Parametrics ParametricsAIMBG120R060M1 Ciss880 pF Coss43 pF ID(@25°C)max38 A Operating Temperatureminmax-55 °C 175 °C Ptot(@ TA=25°C)max202 W ...
澎芯半导体SiC MOSFET经过结构优化有效降低窜扰电压,新产品P1M40120K导通电阻为40mohm,额定电流为40A,Vds电压为1200V,封装形式TO-247-4,器件的封装形式可根据客户需求定制。 2023-08-07 - 新产品 碳化硅材料、工艺、器件特性及应用介绍 描述- 本文介绍了碳化硅(SiC)功率器件的电压等级、应用领域、材料特性、关键...
C3M0160120J 1200V 160mOhm TO-263-7 Silicon Carbide SiC MOSFET IGBT New Original Transistor IC Electronic Components
金融界10月31日消息，宏微科技披露投资者关系活动记录表显示，公司在半导体芯片及模块封装业务方向的研发已取得实质性进展，包括1200V 40mohm SiC MOSFET芯片研制成功并已通过可靠性验证；自主研发的SiC SBD芯片也已通过多家终端客户的可靠性验证和系统级验证，部分产品已形成小批量出货。在模块产品方面，车规级1200V ...
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SCT3040KLGC11 MOSFET 1200V SiC 55A 40mOhm TrenchMOS场效应管 SCT3040KLGC11 3850 ROHM罗姆 TO-247-3 ￥10.0000元1~-- 个 深圳市如愿电子有限公司 3年 -- 立即订购 查看电话 QQ联系 用于适配器 整流二极管 MBR3045CT 碳化硅MOS管 C3M0075120J 1200V ...