近日，微电子所高频高压中心刘新宇研究员团队与青禾晶元公司、南京电子器件研究所等团队合作，基于新型6英寸SiC复合衬底成功实现高性能低成本1200V SiC MOSFET。当前，碳化硅（SiC）晶圆行业正持续扩大产能以满足不断增长的市场需求。但可用于MOSFET制造的无缺陷衬底（即“高质量”衬底）的成品率通常仅为40%-60%。在6-...
Nexperia发布新款1200V碳化硅MOSFET Nexperia(安世半导体)近日宣布,公司推出了业界领先的1200V碳化硅(SiC)MOSFET,标志着其在高功率半导体领域的又一重要突破。 2024-05-23 11:34:58 比较1200V碳化硅MOSFET和Si IGBT的主要特色 意法半导体的碳化硅MOSFET技术,不但每单位面积的导通电阻非常之低,切换效能绝佳,而且跟传统...
纳芯微推出1200V首款SiC MOSFET NPC060N120A系列产品，该产品RDSon为60mΩ，具有通孔式TO-247-4L与表面贴装TO-263-7L两种封装形式，可提供车规与工规两种等级。纳芯微的碳化硅MOSFET具有卓越的RDSon温度稳定性、门极驱动电压覆盖度更宽、具备高可靠性，适用于电动汽车(EV) OBC/DCDC、热管理系统、光伏和储能系...
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瑶芯微电子科技(上海)有限公司凭借其先进的技术,推出 1200V G4.5 技术平台 AK1CK2MXXX 系列SiC MOSFET,在导通电阻与动态性能上均实现了相当大的提升。这一卓越的性能优势,不仅提高了能源转换效率,还降低了系统的功耗,为用户带来了更...
东芝最新开发出一款用于车载牵引逆变器[1]的裸片[2]1200 V碳化硅（SiC）MOSFET“X5M007E120”，其创新的结构可实现低导通电阻和高可靠性。X5M007E120现已开始提供测试样品，供客户评估。当典型SiC MOSFET的体二极管在反向传导操作[3]期间双极通电时，其可靠性会因导通电阻增加而降低。东芝SiC MOSFET通过在MOSFET中嵌入...
2025年3月16日至20日，于亚特兰大盛大的应用电力电子会议（APEC）上，QSiC 1200V MOSFET将首次惊艳亮相，犹如科技舞台上的璀璨新星。与前辈QSiC第二代SiC MOSFET相比，这位新成员身形缩水20%，却蕴藏着更为澎湃的性能潜力，专为高压应用量身打造，将开关损耗削减至冰点。SemiQ的视野，跨越了电动汽车充电站的脉动、...
近日,微电子所高频高压中心刘新宇研究员团队与青禾晶元公司、南京电子器件研究所等团队合作,基于新型6英寸SiC复合衬底成功实现高性能低成本1200V SiC MOSFET。 当前,碳化硅(SiC)晶圆行业正持续扩大产能以满足不断增长的市场需求。但可用于MOSFET制造的无缺陷衬底(即“高质量”衬底)的成品率通常仅为40%-60%。在6-8英...
近日，Nexperia宣布推出一系列新型的1200 V碳化硅(SiC)MOSFET，专为满足工业应用中的高效能和耐用性需求而设计。这些新产品不仅具备卓越的温度稳定性，还采用了先进的表面贴装(SMD)封装技术，称为X.PAK。这种封装技术的创新之处在于其顶面冷却设计，使得设备在高功率应用中能够有效散热，极大地提升了整体性能。新推出...
近日,昕感科技面向新能源领域推出一款重量级SiC MOSFET器件新产品(N2M120007PP0),实现了业界领先的超低导通电阻规格1200V/7mΩ。昕感新品基于车规级工艺平台,采用先进结构和制造工艺,兼容18V栅压驱动,配合TO-247-4L Plus封装,有力提升了国产碳化硅器件的性能。新产品瞄准新能源汽车主驱等亟需高压大电流与低损耗的...