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纳芯微推出1200V首款SiC MOSFET NPC060N120A系列产品，该产品RDSon为60mΩ，具有通孔式TO-247-4L与表面贴装TO-263-7L两种封装形式，可提供车规与工规两种等级。纳芯微的碳化硅MOSFET具有卓越的RDSon温度稳定性、门极驱动电压覆盖度更宽、具备高可靠性，适用于电动汽车(EV) OBC/DCDC、热管理系统、光伏和储能系...
瑶芯微电子科技(上海)有限公司凭借其先进的技术,推出 1200V G4.5 技术平台 AK1CK2MXXX 系列SiC MOSFET,在导通电阻与动态性能上均实现了相当大的提升。这一卓越的性能优势,不仅提高了能源转换效率,还降低了系统的功耗,为用户带来了更...
表1. 分立封装中的1200V碳化硅MOSFET(工业级为'T'，车规级为'V'，AEC−Q101)M3S(第二代)对比SC1(第一代)的主要特征本节介绍与第一代(NTH4L020N120SC1、1200 V/20 m、TO247−4L)相比，第二代(NTH4L022N120M3S、1200 V/22 m、TO247−4L)的主要特性。测试使用标准样品在同一试验台下，使用相...
近日，昕感科技面向新能源领域推出一款重量级SiC MOSFET器件新产品（N2M120007PP0），实现了业界领先的超低导通电阻规格1200V/7mΩ。众所周知，对于电动汽车来说，电驱动系统是最为核心的部分。而在电机驱动系统中，MOSFET通常作为电机逆变器的关键元件，将直流电源转换为交流电源，以驱动三相电机运转。在这过程中，从...
目前公司半导体业务已成功研发出具有性能优异的1200V SiC MOSFET，不同规格以及封装灵活的SiC MOSFET器件，可以满足电动汽车OBC、充电桩、不间断电源以及太阳能和储能系统等多个汽车和工业市场。通过创新工艺技术，公司半导体业务的SiC MOSFET产品组合在多个参数上实现了一流的性能：1. 出色的导通电阻温度稳定性。在25℃...
近日，微电子所高频高压中心刘新宇研究员团队与青禾晶元公司、南京电子器件研究所等团队合作，基于新型6英寸SiC复合衬底成功实现高性能低成本1200V SiC MOSFET。当前，碳化硅（SiC）晶圆行业正持续扩大产能以满足不断增长的市场需求。但可用于MOSFET制造的无缺陷衬底（即“高质量”衬底）的成品率通常仅为40%-60%。在6-...
图 15：20 mΩ、1200 V SiC MOSFET 模块中的开关损耗与 Tj 开关损耗随漏极电流 (ID) 而增加 根据定义，MOSFET 的开关损耗是指任何开关事件期间电压时间积分与电流的乘积。因此，预计损耗会随着电流的增加而增加。但在将 M 1 1200 V SiC MOSFET 的行为与 IGBT 相比时，存在一些差异。如图 16 所示，对于半桥...
国产 瞻芯SiC MOS 功率管 1200V 17mΩ 电机驱动 大功率开关电源 大电流 ￥1.00 查看详情 国产碳化硅MOS场效应管1200V30mΩSiC MOSFET光伏逆变器工规认证 ￥1.00 查看详情 国产瞻芯第三代半导体碳化硅晶圆1200V 17mΩ电机驱动 ￥1.00 查看详情 瞻芯单通道低侧栅极IGBT驱动mos驱动芯片8引脚集成负压偏置驱动器 ...
36氪获悉,近日,青禾晶元公司与中科院微电子所高频高压中心及南京电子器件研究所深度合作,共同基于6英寸Emerald-SiC复合衬底,成功研发出高性能且低成本的1200V SiC MOSFET。基于该研究成果的论文于12月10日以口头报告形式发表在第70届国际电子器件大会上(IEDM 2024)。