4H-SiC基超结器件各向异性的TCAD建模分析
4H-SiC 基超结器件各向异性的 TCAD 建模分析* 陆秋俊 1*,王中健 2 【摘要】摘要:基于文献报道的 4H-SiC 材料的各向异性物理特性,首次提 出 4H-SiC 基超结器件的各向异性物理模型,并对不同晶向的碰撞电离分别进 行考虑。基于该模型,我们对(00 01)和(11 2-0)两种晶向晶圆的 4HSiC 超结器件的电学特性...
针对现有技术存在的上述缺陷,本发明提出了一种双凹槽阶梯缓冲栅4h-sic金属半导体场效应管及建模仿真方法,能够同时获得改善击穿电压和饱和漏极电流密度。 本发明所述的双凹槽阶梯缓冲栅4h-sic金属半导体场效应管,包括4h-sic半绝缘衬底层、p型缓冲层、第一凹槽和第二凹槽、n型沟道层; n型沟道层的上端面分别为源极帽...
4H-SiCPiN二极管高温可靠性研究 本文主要从理论方面对4H-SiC PiN二极管的高温特性、自热效应以及封装热阻等方面进行了建模分析。本文主要利用SENTAURUS-TCAD器件仿真工具对4H-SiC Pi N功率二极管进行... 李家昌 - 西安电子科技大学 被引量: 7发表: 0年
基于文献报道的4H-SiC材料的各向异性物理特性,首次提出4H-SiC基超结器件的各向异性物理模型,并对不同晶向的碰撞电离分别进行考虑。基于该模型,我们对(0001)和(112ˉ0)两种晶向晶圆的4H-SiC超结器件的电学特性进行了研究。与(112ˉ0)晶圆相比,(0001)晶圆的碰撞电离系数较小,可以实现更高的击穿电... 查看全部>>...
刚开始用这个软件，也不知道到哪里去找点资料。。纤锌矿结构4H-SiC如何建模，如Si原子和C原子的晶格...
求大佬分享下，用lammps程序直接create_atoms 建立4H-SiC的代码@smutao@oxox6085
仿真有限元分析优化设计CAE代做咨询电话02759102656, 加微信15527309811咨询报价,仅需100元起步 11.6-7 软件:某一光学软件,比如lumerical 或comsol 条件:已知激光(如630nm,20nJ)入射已知半导体(如4H-SiC),聚焦深度距离表面0um,2um,4um 要求:获取半导体内产生的电子-空穴对分布和浓度 ...