4H-SiC SJ结构反向击穿电压的解析模型
摘要 本发明提供一种4H‑SiC材料4°偏角三维原子结构模型及其构建方法和应用。所述模型为4H‑SiC六方晶胞的周期性重复结构,晶胞参数为α=90°,β=90°,γ=120°,所述晶胞由中心为硅原子的四面体构成,碳硅键长为所述模型上表面沿(0001)面向偏4°;所述模型以计算机辅助构建而成,方法步骤简单易行,其制...
双沟4H—SiCMESFET优化结构的解析模型及性能
本文运用基于密度泛函理论(DFT)的第一性原理计算方法,根据原子尺度上的缺陷特性研究了4H-SiC的位错结构模型,并对4H-SiC基面位错的结构进行分析,建立了一种模型.文章简要介绍了4H-SiC材料中结构缺陷的分子动力学模拟方法,势能模型及主要技术细节.doi:CNKI:SUN:KJXX.0.2009-29-351高春燕西安电子科技大学微电子学院李德昌...
[0010] (1)建立4H-SiC晶胞的三维原子结构模型;[0011] ⑵以步骤⑴所述模型为基准,建立4H-SiC的超晶胞模型;[0012] (3)以硅面为上表面,沿(0001)面向<| 1 2 0>偏8°做虚拟平面,平面落在从上表 面开始的第一层和第二层碳-碳原子层间的部分向第一层碳原子层做垂直投影,投影部分 的原子层构成第一层...
1.一种4H-SiC材料4°偏角三维原子结构模型,所述模型为4H-SiC六方晶胞的周期性重复结构,晶胞参数为:<Image>α=90°,β=90°,γ=120°,所述晶胞由中心为硅原子的四面体构成,碳硅键长为<Image>其特征在于,所述模型上表面沿(0001)面向<Image>偏4°。 2.一种权利要求1所述的4H-SiC材料4°偏角三维原子结构...
缺陷模型第一性原理计算本文运用基于密度泛函理论(DFT)的第一性原理计算方法,根据原子尺度上的缺陷特性研究了4H-SiC的位错结构模型,并对4H-SiC基面位错的结构进行分析,建立了一种模型.文章简要介绍了4H-SiC材料中结构缺陷的分子动力学模拟方法,势能模型及主要技术细节.高春燕...
缺陷模型第一性原理计算本文运用基于密度泛函理论(DFT)的第一性原理计算方法,根据原子尺度上的缺陷特性研究了4H—SiC的位错结构模型,并对4H—SiC基面位错的结构进行分析.建立了一种模型.文章简要介绍了4H-SiC材料中结构缺陷的分子动力学模拟方法,势能模型及主要技术细节.doi:10.3969/j.issn.1001-9960.2009.29.032高春燕...
[0041] 一种用所述的4H-SiC材料8°偏角三维原子结构模型进行碳化硅衬底缺陷对外 延影响的研究及控制方法,所述方法包括:[0042] (1)建立含有缺陷的4H_SiC材料8°偏角三维原子结构模型;[0043] (2)分别放置碳原子和硅原子,进行结构优化,计算形成能,分析碳化硅台阶流生 长过程;[0044] (3)优化缺陷处生长碳化硅外延...
所述模型为4H‑SiC六方晶胞的周期性重复结构,晶胞参数为: 法律状态 法律状态公告日 法律状态信息 法律状态 2016-01-20 公开 公开 2016-01-20 公开 公开 2016-09-28 实质审查的生效 实质审查的生效 2016-09-28 实质审查的生效 实质审查的生效 2019-07-19 授权 授权 权利要求说明书 一种4H-SiC材料4°偏角...