1.1构建模型 虽然SiC 四面体键很强，但是层错形成的能量却很低，这决定了其多型体系现象，其中4H-SiC 是纤锌矿结构，六角晶系，4H 表示由4层Si-C 为一周期排列的六角结构。有闪锌矿结构的晶体，其晶体结构如图1所示．这里只考虑两种类型的基面位错，基面螺旋位错和60°基面位错，其Burgers 矢量都为1/3112軈軈...
1.一种4H-SiC材料4°偏角三维原子结构模型,所述模型为4H-SiC六方晶胞的周期性重复结构,晶胞参数为:<Image>α=90°,β=90°,γ=120°,所述晶胞由中心为硅原子的四面体构成,碳硅键长为<Image>其特征在于,所述模型上表面沿(0001)面向<Image>偏4°。 2.一种权利要求1所述的4H-SiC材料4°偏角三维原子结构...
[0010] (1)建立4H-SiC晶胞的三维原子结构模型;[0011] ⑵以步骤⑴所述模型为基准,建立4H-SiC的超晶胞模型;[0012] (3)以硅面为上表面,沿(0001)面向<| 1 2 0>偏8°做虚拟平面,平面落在从上表 面开始的第一层和第二层碳-碳原子层间的部分向第一层碳原子层做垂直投影,投影部分 的原子层构成第一层...
本发明提供一种4H-SiC材料8°偏角三维原子结构模型及其构建方法和应用。所述模型为4H-SiC六方晶胞的周期性重复结构,晶胞参数为:偏8°;所述模型以计算机辅助构建而成,方法步骤简单易行,其制作完全按照实际生产过程中对碳化硅表面的处理方法;本发明的4H-SiC材料8°偏角三维原子结构模型可应用于碳化硅氧化原理、碳化硅...
4H-SiC SJ结构反向击穿电压的解析模型
双沟4H—SiCMESFET优化结构的解析模型及性能
摘要: 本文运用基于密度泛函理论(DFT)的第一性原理计算方法,根据原子尺度上的缺陷特性研究了4H—SiC的位错结构模型,并对4H—SiC基面位错的结构进行分析.建立了一种模型.文章简要介绍了4H-SiC材料中结构缺陷的分子动力学模拟方法,势能模型及主要技术...
【摘要】优化双沟4H-SiC MESFET结构,通过求解一维和二维泊松方程,建立优化结构的解析模型,分析这种结构的直流和交流特性.结果表明,饱和电流密度的计算结果与实验一致,结构优化后4H-SiC MESFET的饱和电流密度和击穿电压分别为420μA·μm-1和155 V,明显高于优化前的275μA·μm-1和141 V;最高输出功率密度为7.4 W...
所述模型为4H‑SiC六方晶胞的周期性重复结构,晶胞参数为: 法律状态 法律状态公告日 法律状态信息 法律状态 2016-01-20 公开 公开 2016-01-20 公开 公开 2016-09-28 实质审查的生效 实质审查的生效 2016-09-28 实质审查的生效 实质审查的生效 2019-07-19 授权 授权 权利要求说明书 一种4H-SiC材料4°偏角...
摘要 本发明提供一种4H‑SiC材料4°偏角三维原子结构模型及其构建方法和应用。所述模型为4H‑SiC六方晶胞的周期性重复结构,晶胞参数为α=90°,β=90°,γ=120°,所述晶胞由中心为硅原子的四面体构成,碳硅键长为所述模型上表面沿(0001)面向偏4°;所述模型以计算机辅助构建而成,方法步骤简单易行,其制...