SiC作为半导体材料具有许多优良的性能，如宽禁带、高热导率、高饱和漂移速率等，是制备高温、高频、高功率的电子器件的理想材料之一。基于SiC的高功率器件须在SiC的厚外延上进行制作，厚外延材料质量的优劣（缺陷多少）直接决定了SiC电力电子器件的性能。 本项目在现有4H-SiC同质外延生长和表征研究基础上，采用理论和...
《新型高效4H-SiC MOSFET的研究》是依托西安电子科技大学，由汤晓燕担任项目负责人的面上项目。中文摘要 4H-SiC以优越的本征优势成为下一代高功率器件的首选材料。本项目提出将p型埋层构成的浮动结(FJ)应用于SiC MOSFET的新结构，来提高功率器件的性能。基于先进的多次外延生长技术，将不连续的p型层埋于MOSFET漂移层...
《新型高功率4H-SiC JBS二极管的研究》是依托西安电子科技大学，由汤晓燕担任项目负责人的青年科学基金项目。中文摘要 4H-SiC以优越的本征优势成为下一代高功率器件的首选材料。本项目提出将p型埋层构成的浮动结(FJ)应用于结势垒肖特基(JBS)二极管的新结构，来提高来提高功率器件的性能。基于先进的二次外延生长技术，...
《高性能槽栅结构4H-SiC功率MOSFETs研究》是依托西安电子科技大学，由宋庆文担任项目负责人的青年科学基金项目。中文摘要 本课题主要针对高性能碳化硅（112(—)0）面槽栅功率MOSFET器件所面临的外延材料和器件物理相关基础科学问题开展研究。以研究（112(—)0）面的SiC热氧化及SiO2/SiC界面缺陷分布与器件性能之间的规律...
《高效3D 4H-SiC中子探测器的研究》是依托电子科技大学,由钟志亲担任醒目负责人的青年科学基金项目。项目摘要 相比于气体、闪烁体和常规的半导体中子探测器，SiC中子探测器具有抗高温和耐辐照等优点，因此适用于核反应堆、高能物理实验和外太空等高温高压以及强辐射等极端环境中的中子监测。而利用三维结构的，具有高深宽...
《HfAlO/4H-SiC MOSFETs功率器件研究》是依托西安电子科技大学，由张玉明担任项目负责人的面上项目。中文摘要 高功率SiC基器件的普及，能有效降低能量损失，促进能源节约型社会的建设。为适应高功率SiC MOSFETs器件发展，用高介电常数材料来替代现有的SiO2栅氧化层势在必行。本项目在现有SiO2/SiC MOSFETs和high-k材料/...
《高性能4H-SiC PIN 紫外光电探测器一维阵列的研制》是依托厦门大学，由吴正云担任项目负责人的面上项目。项目摘要 本项目综合考虑影响SiC探测器性能的诸多因素，通过芯片结构的理论设计和制备工艺的优化，着重研究抑制探测器暗电流和提高探测率的方法，采用氧化硅/氧化铝（SiO2/Al2O3）复合钝化/抗反射层，研究该复合...
碳化硅（SiC）材料具有宽禁带、高击穿电场、高载流子饱和漂移速率、高热导率、高功率密度等等许多优点。对SiC材料氧化工艺的研究具有重要的现实意义，但是国内目前还对此缺乏系统研究。本课题采用工艺实验和测试表征相结合的研究方法，结合电学测试和物理表征手段对4H-SiC中掺杂浓度，掺杂类型对于在干/湿氧化条件下氧化速率...