4H-SiC概述(生长、特性、应用)、Bulk及外延层缺陷、光致发光/拉曼光谱法/DLTS/μ-PCD/KOH熔融/光学显微镜,TEM,SEM/散射光等表征方法。 报告详细内容 ■ 介绍 • 一些器件正在突破Si的界限,SiC和GaN提供了改进的希望。 ■ 介绍 • 生长方法: PVT - 块体(厚、高掺杂) CVD - 外延(薄膜,中低掺杂) ■ B...
本文将重点介绍4H SiC单晶原料的特性、制备方法以及应用领域。 特性 4H SiC单晶具有许多独特的特性,使其成为理想的半导体材料。首先,它具有宽大的能隙(约3.26 eV),使其能够在高温下工作。其次,4H SiC单晶具有高击穿电场强度和较低的漏电流,使其在高功率电子器件中具有出色的性能。此外,它还具有高热导率和较低的...
碳化硅(Carbide Silicon,简写为SiC)是一种广泛应用于电子、光电子和高温领域的材料。它具有高温稳定性、强度高、化学惰性强等优点,因此被广泛应用于高温电子、光电子、生物医学和光伏等领域。SiC晶体结构主要包括4H-SiC和6H-SiC,下面我将详细介绍这两种结构。 首先,我们来看4H-SiC结构。4H-SiC是一种晶体结构,其晶胞...
碳化硅(SiC)是一种非常重要的半导体材料,具有优异的物理和化学性质。其中,4H-碳化硅是最常用的多晶形式之一。杨氏模量是衡量材料抗弯刚度的重要参数之一,对于设计和制造各种器件和结构都具有重要意义。本文将深入探讨4H碳化硅杨氏模量的相关内容。 1. 碳化硅简介 1.1 碳化硅的结构 碳化硅是由碳(C)和硅(Si)元素组成的...
介绍了绝缘体上 SiCOI (4H-SiCOI) 基板作为新兴 MEMS 技术平台的实用性和实现。此外,本文还报告了 4H-SiC 的温度相关机械性能,包括 Lamé 模式谐振器的频率温度系数 (TCF) 和品质因数 (Q 因数)。最后,讨论了 4H-SiC MEMS 制造,包括其深反应离子蚀刻。本文对 4H-SiC 作为机声学材料的潜力提供了宝贵的见解,...
英飞凌工程师解答：SiC单晶差不多有200种同分异构体，其中最常见的有3C, 4H, 6H结构，每种结构都有...
本文介绍了本课题组在4H-SiC功率二极管的可靠性研究进展,针对高温存储、高压反偏及重复雪崩等应力所引起的器件性能退化现象,主要研究了器件退化机理,同时提出了加固方案。 通过以上研究结果可知,目前4H-SiC功率器件的可靠性问题尚未完全解决,在机理分析、加固方法等方面还存在诸多问题。此外,随着4H-SiC功率器件的应用逐渐...
1. 介绍碳化硅 碳化硅是一种具有高硬度、高熔点和优异耐热性的陶瓷材料。它由碳和硅元素组成,化学式为SiC。碳化硅具有许多优良的物理和化学性质,使其在各种领域中得到广泛应用,包括电子、化工、航空航天等。 2. 碳化硅的维氏硬度 维氏硬度是一种常用的硬度测试方法,用于评估材料的硬度。碳化硅具有非常高的维氏硬度,通...
4H-SiC因为较好的高温、高功率、高频性能,已成为宽禁带半导体材料中具前景的候选者之一。4H-SiC金属氧化物半导体(MOS)基器件,作为一种关键的半导体器件,广泛应用于高压、高频及高功率电子设备中。在这些应用中,器件的可靠性和长期稳定性是至关重要的,辐照效应是影响器件性能的重要因素。辐照过程会导致材料内部缺陷的生...