从下表参数看，4H SiC本征载流子浓度和电子迁移率都比6H SiC高很多。更高的电子迁移率un，可以得到更...
4H-SiC概述(生长、特性、应用)、Bulk及外延层缺陷、光致发光/拉曼光谱法/DLTS/μ-PCD/KOH熔融/光学显微镜,TEM,SEM/散射光等表征方法。 报告详细内容 ■ 介绍 • 一些器件正在突破Si的界限,SiC和GaN提供了改进的希望。 ■ 介绍 • 生长方法: PVT - 块体(厚、高掺杂) CVD - 外延(薄膜,中低掺杂) ■ B...
本文将重点介绍4H SiC单晶原料的特性、制备方法以及应用领域。 特性 4H SiC单晶具有许多独特的特性,使其成为理想的半导体材料。首先,它具有宽大的能隙(约3.26 eV),使其能够在高温下工作。其次,4H SiC单晶具有高击穿电场强度和较低的漏电流,使其在高功率电子器件中具有出色的性能。此外,它还具有高热导率和较低的...
碳化硅(Carbide Silicon,简写为SiC)是一种广泛应用于电子、光电子和高温领域的材料。它具有高温稳定性、强度高、化学惰性强等优点,因此被广泛应用于高温电子、光电子、生物医学和光伏等领域。SiC晶体结构主要包括4H-SiC和6H-SiC,下面我将详细介绍这两种结构。 首先,我们来看4H-SiC结构。4H-SiC是一种晶体结构,其晶胞...
在本篇观点中,我们重点介绍了基于4H-SiC的高 Q 因子微谐振器的进展。我们讨论了基于 4H-SiC 的芯片级非线性光子学研究的最新进展,特别强调了克尔光频梳。我们强调了基于 4H-SiC 的各种微梳演示及其在不同商业领域的应用的重要性。最后,我们简要概述了基于 4H-SiC 的集成光子学的未来潜力及其多种应用。
碳化硅(SiC)是一种非常重要的半导体材料,具有优异的物理和化学性质。其中,4H-碳化硅是最常用的多晶形式之一。杨氏模量是衡量材料抗弯刚度的重要参数之一,对于设计和制造各种器件和结构都具有重要意义。本文将深入探讨4H碳化硅杨氏模量的相关内容。 1. 碳化硅简介 1.1 碳化硅的结构 碳化硅是由碳(C)和硅(Si)元素组成的...
本文介绍了本课题组在4H-SiC功率二极管的可靠性研究进展,针对高温存储、高压反偏及重复雪崩等应力所引起的器件性能退化现象,主要研究了器件退化机理,同时提出了加固方案。 通过以上研究结果可知,目前4H-SiC功率器件的可靠性问题尚未完全解决,在机理分析、加固方法等方面还存在诸多问题。此外,随着4H-SiC功率器件的应用逐渐...
1. 介绍碳化硅 碳化硅是一种具有高硬度、高熔点和优异耐热性的陶瓷材料。它由碳和硅元素组成,化学式为SiC。碳化硅具有许多优良的物理和化学性质,使其在各种领域中得到广泛应用,包括电子、化工、航空航天等。 2. 碳化硅的维氏硬度 维氏硬度是一种常用的硬度测试方法,用于评估材料的硬度。碳化硅具有非常高的维氏硬度,通...
碳化硅的历史与应用介绍 硅与碳的唯一合成物就是碳化硅(SiC),俗称金刚砂。SiC 在自然界中以矿物碳硅石的形式存在,但十分稀少。不过,自1893 年以来,粉状碳化硅已被大量生产用作研磨剂。碳化硅用作研磨剂已有一百多年 dingyang598 2019-07-02 07:14:52 ...