4h-sic结构4h-sic结构 4H-SiC即4H类型的碳化硅晶体结构,是一种化学元素组成为硅和碳的晶体结构。在这种结构中,硅原子和碳原子以四面体堆积的方式排列,形成四面体网格结构。这种结构具有良好的热导率、机械性能和化学稳定性,因此被广泛应用于电子、光电子等领域。
4H-SiC基稀磁半导体的电子结构
4H-SiC纳米薄膜的微结构及其光电性质研究 采用新设计的电极结构的等离子体增强化学气相沉积(PECVD)技术,在高功率密度、高氢稀释比、低温、偏压及低反应气压的条件下,在衬底表面形成双等离子流,增加了衬底表面SiC的成核概率,增强成核作用,形成纳米晶.采用高H2等离子体刻蚀弱的、扭曲的、非晶Si-C及Si-Si和Si-H等键...
虽然SiC 四面体键很强，但是层错形成的能量却很低，这决定了其多型体系现象，其中4H-SiC 是纤锌矿结构，六角晶系，4H 表示由4层Si-C 为一周期排列的六角结构。有闪锌矿结构的晶体，其晶体结构如图1所示．这里只考虑两种类型的基面位错，基面螺旋位错和60°基面位错，其Burgers 矢量都为1/3112軈軈軈0，方向都为...
其中,数字表示一个晶胞沿着(001)方向的碳硅双原子层数,C表示立方晶系(Cubic),H表示六方晶系(Hexagonal),R表示三方晶系(Rhombohedral)。F-43m的碳化硅晶体就被写成3C-SiC;P63mc、Z=4的碳化硅晶体就被写成4H-SiC;P63mc、Z=6的碳化硅晶体就被写成6H-SiC。
本文针对4H-SiC功率超结MOSFET进行了结构设计和TCAD仿真分析,结果显示所设计的超结MOSFET具有较低的漏电流、较小的电容和电阻、很好的击穿特性和较高的开关速度。本研究成果对于4H-SiC功率超结MOSFET的进一步制备和应用提供了重要的理论基础和实践指导。 关键词:4H-SiC; 功率超结MOSFET; 设计; 模拟; 电学性。 5....
这里利用4H-SiC材料设计了一种新型JBS二极管,即4H-SiCTPJBS 二极管,采用嵌有TSSUPREM-IV的SilvacoTCAD 对该4H-SiCTPJBS器件进行电学特性仿真,预测其主要电学特性,并与传统4H-SiCJBS进行比较。 2器件结构设计 4H-SiCJBS二极管既具有SBD的高开关速 4H-SiCTPJBS二极管器件结构和器件仿真张海鹏 1,2,3 ,齐瑞生 1 ,...
[0010] (1)建立4H-SiC晶胞的三维原子结构模型;[0011] ⑵以步骤⑴所述模型为基准,建立4H-SiC的超晶胞模型;[0012] (3)以硅面为上表面,沿(0001)面向<| 1 2 0>偏8°做虚拟平面,平面落在从上表 面开始的第一层和第二层碳-碳原子层间的部分向第一层碳原子层做垂直投影,投影部分 的原子层构成第一层...
4H-SiC肖特基势垒二极管伏-安特性的解析模型 在分析 4H SiC肖特基势垒二极管正向电流热电子发射理论的基础上 ,计算了肖特基势垒高度eff和串联电阻Ron.通过对反向电流各种输运机制的分析 ,提出了一种计算反向电... 常远程,张义门,张玉明 - 《西安电子科技大学学报》...