4h-sic结构4h-sic结构 4H-SiC即4H类型的碳化硅晶体结构,是一种化学元素组成为硅和碳的晶体结构。在这种结构中,硅原子和碳原子以四面体堆积的方式排列,形成四面体网格结构。这种结构具有良好的热导率、机械性能和化学稳定性,因此被广泛应用于电子、光电子等领域。
4H-SiC（六方晶系） 结构：ABCB重复堆垛，周期为4层。空间群：P63mc。晶格参数：...
碳化硅(SiC)是一种无机化合物半导体材料,由硅(Si)和碳(C)元素以1:1的比例组成,具有独特的Si-C四面体结构。这种材料在不同物理化学环境下能形成多种晶体结构,这些结构虽然化学成分相同,但形态、构造和物理特性各异,被称为同质多象变体。迄今为止,已知的碳化硅同质多象变体超过200种,其中4H-SiC(即4H碳化硅)是较...
金刚石-sic, sic-inp,sic-LN, ic-ga2o3,glass--glass,Si-SiC,Si-GaAs、GaAs- SiC、Si–SiC、SiC–SiC、Ge–Ge 、Al 2 O 3 -Al 2 O 3 ,GaP-InP, GaN-Si、LiNbO 3 -Al 2 O 3 、LiTaO 3 -Si and more(晶体,陶瓷,等等)
【4H-SiC光电探测器的结构与表征】 4H-SiC晶片与电极之间有四种不同的连接方式,分别是单“肖特基接触”、单“欧姆接触”、同面“肖特基+欧姆接触”和异面“肖特基+欧姆接触”。其中,肖特基接触是将电极与4H-SiC的光滑表面连接,欧姆接触是将电极与激光切割的截面连接。纯“肖特基接触”虽然对载流子形成了很大的内部驱...
4H-SiC晶体基片是碳化硅(SiC)的一种晶体类型,碳化硅有大约250种晶体类型,包括3C、4H和6H等,但4H-SiC尤其受到人们的关注。"4H"代表六角晶型,数字“4”表示C-Si双原子层沿C方向的堆垛周期数。 产品简述 产品视频 留言咨询 产品名称 4H-SiC晶体基片 技术参数 晶体结构: 六方晶系 晶格常数:a=3.08Å c=...
1. 4H-SiC的晶体结构中，碳原子占据六方密堆积和立方面心两种晶格位置。2. “六方”指的是六方密堆积晶格，这是一种空间群为P63mc的晶体结构。3. “立方”指的是立方面心晶格，这是一种空间群为Fm-3m的晶体结构。4. 在这两种结构中，碳原子以不同的方式排列，形成不同的晶格点阵。5. 六方...
以3C-SiC为例，这种立方硅碳化物展现了简单的立方结构，成为SiC晶型中结构最为直观的一种。而另一方面，具有六方结构的SiC则因原子排布的差异，衍生出2H-SiC、4H-SiC、6H-SiC等多种类型。这些分类不仅揭示了晶体内部原子堆积的规律，还反映了晶格的对称性和结构的复杂性。禁带宽度是半导体材料的关键参数，它决定了...
1. 晶体结构差异：3C-SiC拥有立方晶格结构，4H-SiC呈现出四方晶格特征，而6H-SiC则具有六方晶格结构。2. 应用领域区分：3C-SiC适合用作磨料、半导体材料以及高温半导体材料。4H-SiC适用于高温环境、高频应用和大功率电子器件制造。6H-SiC则在高功率、高温以及高频电子器件领域表现出优势。
二、4H-SiC结构性质分析 采用第一性原理计算方法,我们研究了高压下4H-SiC的结构性质。计算结果显示,随着压力的增大,4H-SiC的晶格常数逐渐减小,说明高压下4H-SiC的晶格结构发生了一定的变化。此外,高压下4H-SiC的键长和键能也有所改变,这些结构性质的变化对其电子和光学性质产生了一定的影响。 三、4H-SiC电子性质分...