通过比较 4H 与其他 SiC 多型体和硅的晶体结构以及机械、声学、电气和热性能,结果表明 4H-SiC 具有适用于 MEMS 应用的显著特性,包括其横向各向同性和较小的声子散射耗散。介绍了绝缘体上粘合 SiC (4H-SiCOI) 基板作为新兴 MEMS 技术平台的实用性和实现。此外,本文还报告了 4H-SiC 的温度相关机械性能,包括 Lam...
碳化硅,也被称作Silicon carbide,其化学表达式为SiC,拥有40.1的分子量。尽管它的化学式看起来简单,但其应用范围却异常广泛,这主要得益于碳化硅独特的结构。 从结构上来看,它包含组元以及组元间的相互关系。碳化硅的构成元素相对单一,主要由碳原子和硅原子组成。其晶体则是由这两种原子以有序的方式排列而成。值得一提的...
SiC晶体生长在SiC籽晶/胶水/籽晶holder结构上。当使用高收缩率的特定胶水进行籽晶粘接时,胶层中裂纹的形成可使SiC晶体在冷却至室温过程中自动分离。研究了新的分离方法对碳化硅晶片晶体质量和翘曲值的影响。对常规方法和新改性方法制备的两种SiC晶片进行了系统比较。 图1(a)晶体生长前SiC籽晶/胶/籽晶夹结构示意图...
F-43m的碳化硅晶体就被写成3C-SiC;P63mc、Z=4的碳化硅晶体就被写成4H-SiC;P63mc、Z=6的碳化硅晶体就被写成6H-SiC。 形象的周期体现在(110)(11-20)面上,分别对应晶面的两种写法(hkl)(hkil),如下图所示。 口说无凭,上电镜。这张4H-SiC晶体中,明显出现了2H和6H的层错。 值得注意的事情是,由于碳硅的...
碳化硅(Silicon carbide),化学式为SiC,分子量40.1。化学式虽然简单,但是其应用广泛,这是由碳化硅的结构决定的。 结构={组元,组元间的关系} 碳化硅是一种组成简单的物质,组元就是碳原子和硅原子。碳化硅晶体,就是由碳原子和硅原子有序排列而成。碳、硅同属于第二周期元素,原子半径差距不大,堆积方式可以从等径球体...
碳化硅(Silicon carbide),化学式为SiC,分子量40.1。化学式虽然简单,但是其应用广泛,这是由碳化硅的结构决定的。 结构={组元,组元间的关系} 碳化硅是一种组成简单的物质,组元就是碳原子和硅原子。碳化硅晶体,就是由碳原子和硅原子有序排列而成。碳、硅同属于第二周期元素,原子半径差距不大,堆积方式可以从等径球体...
我们采用热场模拟与工艺试验相结合方法,开展设备关键结构设计、高匹配籽晶粘接、局部热场设计优化改进,解决大尺寸晶体扩径生长边缘缺陷增殖和热应力问题,实现低应力8英寸SiC单晶扩径生长。通过PVT法生长的8英寸导电型SiC晶体如图1所示,晶体直径达到 209.25 mm。生长界面微凸,表面光亮平滑且无任何裂纹,表明生长过程结晶...
我们采用热场模拟与工艺试验相结合方法,开展设备关键结构设计、高匹配籽晶粘接、局部热场设计优化改进,解决大尺寸晶体扩径生长边缘缺陷增殖和热应力问题,实现低应力8英寸SiC单晶扩径生长。通过PVT法生长的8英寸导电型SiC晶体如图1所示,晶体直径达到 209.25 mm。生长界面微凸,表面光亮平滑且无任何裂纹,表明生长过程结晶...
碳化硅,是一种无机物,化学式为SiC,碳化硅(SiC)由碳(C)原子和硅(Si)原子组成,密度是3.2g/cm3,天然碳化硅非常罕见,主要通过人工合成。其晶体结构具有同质多型体的特点,在半导体领域最常见的是具有立方闪锌矿结构的3C-SiC和六方纤锌矿结构的4H-SiC和6H-SiC。
图1是为本发明具有沟道内部分重掺杂区域、部分轻掺杂区域以及部分绝缘区域的4h-sic金属半导体场效应晶体管示意图。 其中:1为4h-sic半绝缘衬底,2为p型缓冲层,3为n型沟道层,4为源极帽层,5为漏极帽层,6为源电极,7为漏电极,8为栅电极,9为轻掺杂区域,10为氮化硅绝缘区域,11为重掺杂区域。