免费查询更多4h-sic单晶碳化硅详细参数、实时报价、行情走势、优质商品批发/供应信息等,您还可以发布询价信息。
北京天科合达半导体股份有限公司(简称“天科合达”)成立于 2006 年,技术起源于中国科学院物理研究所科研项目及研究成果,是国内首家专业从事SiC单晶衬底研发和产业化的高新技术企业,十几年来一直坚守SiC衬底细分领域,6 英寸SiC衬底产品已实现批量销售,得到了国内外知名半导体器件企业的一致认可。天科合达从 2020 年开...
4H-SiC单晶 Cas 号: 分子式: 订货信息: 货号品名规格包装单价货期库存 2206241127254H-SiC单晶(N)型99.999% 直径1英寸×0.5mm(电阻率0.1)单抛1件询价咨询客服3天 2206241126424H-SiC单晶99.999% 直径1英寸×0.5mm(晶向001) 单抛1件询价咨询客服3天
4H-SiC是由相等数量的立方键和六方键组成的单晶,具有ABCB的堆叠顺序和高结晶度。单晶4H-SiC电极允许更好地理解固体电极界面,因为它具有清洁、清晰和有序的表面。 美国奥克兰大学曾向群教授设计、制造并表征了第一个用于感测神经递质多巴胺(DA)的掺杂氮(N)的单晶4H-SiC(4H-SiC)电极。与尿酸(UA)、抗坏血酸(AA)...
4H SiC单晶的制备主要通过物质转移法和易溶法两种方法。物质转移法是最常用的方法之一,它通过在高温下将硅和碳源放置在反应炉中,通过反应生成4H SiC单晶。易溶法则是将硅和碳源溶解在溶剂中,然后通过降温结晶得到单晶。这些方法都需要严格的温度控制和反应条件,以获得高质量的4H SiC单晶。 应用领域 由于其优异的特性...
碳化硅SiC单晶衬底出厂价 4H/6H 导电/半绝缘 圆片方片块料均可 HFDJ-049 10000 合肥单晶材料 包装100级洁净袋,1000级超净室 202203 ￥1.0000元1~-- 片 合肥单晶材料科技有限公司 3年 -- 立即订购 查看电话 QQ联系 碳化硅SiC单晶衬底专业工厂4H/6H导电半绝缘 片/块/锭 均可定制 HFDJ-98 10000 ...
碳化硅SiC同质外延衬底晶片4英寸4H导电型外延层15um用于半导体 xh65739071 10000 合肥单晶材料科技 100级超净袋1000级超净间 AX-420 ￥1.0000元>=1 片 合肥单晶材料科技有限公司 3年 -- 立即询价 查看电话 QQ联系 碳化硅SiC同质外延衬底晶片6英寸4H导电型外延层10um用于半导体 ...
使用物理气相传输法(PVT)制备出直径 209 mm 的 4H-SiC 单晶,并通过多线切割、研磨和抛光等一系列加工工艺制备出标准 8 英寸 SiC 单晶衬底。使用拉曼光谱仪、高分辨 X-射线衍射仪、光学显微镜、电阻仪、偏光应力仪、面型检测仪、位错检测仪等设备,对 8 英寸衬底的晶型、结晶质量、微管、电阻率、应力、面型、位错...
结论：由徐现刚教授领衔的 山东大学晶体材料所和南砂晶圆团队使用 PVT 生长方法制备了 8 英寸导电型 4H-SiC 单晶，并加工成了厚度520μm 的 8 英寸 4H-SiC 衬底。衬底微管密度小于 0.3/cm2，4H-SiC 晶型比例100%，电阻率平均值 22mΩ·cm，不均匀性小于 4%，衬底(004) 面高分辨 XRD 5点摇摆曲线半峰...
结论:由徐现刚教授领衔的 山东大学晶体材料所和南砂晶圆团队使用 PVT 生长方法制备了 8 英寸导电型 4H-SiC 单晶,并加工成了厚度520m 的 8 英寸 4H-SiC 衬底。衬底微管密度小于 0.3/cm2,4H-SiC 晶型比例100%,电阻率平均值 22mcm,不均匀性小于 4%,衬底(004) 面高分辨 XRD 5点摇摆曲线半峰宽平均值 32.7...