碳化硅SiC晶片4H/6H导电型1-8英寸 光伏发电射频单晶衬底实验测试 HH10215IYT3Y 9999 -- -- ￥10.0000元10~-- 片 合肥单晶材料科技有限公司 3年 -- 立即订购 查看电话 QQ联系 碳化硅SiC单晶衬底 6寸 厚度350μm 4H 6H导电型 光伏发电射频 实验测试 HFDJ-1105 10000 合肥单晶材料 100级洁净袋,...
北京天科合达半导体股份有限公司(简称“天科合达”)成立于 2006 年,技术起源于中国科学院物理研究所科研项目及研究成果,是国内首家专业从事SiC单晶衬底研发和产业化的高新技术企业,十几年来一直坚守SiC衬底细分领域,6 英寸SiC衬底产品已实现批量销售,得到了国内外知名半导体器件企业的一致认可。天科合达从 2020 年开...
4H-SiC单晶 Cas 号: 分子式: 订货信息: 货号品名规格包装单价货期库存 2206241127254H-SiC单晶(N)型99.999% 直径1英寸×0.5mm(电阻率0.1)单抛1件询价咨询客服3天 2206241126424H-SiC单晶99.999% 直径1英寸×0.5mm(晶向001) 单抛1件询价咨询客服3天
所以3C SiC 目前还没有体单晶可以做衬底，所以3C SiC 可以用来制造高频薄膜器件，而不是功率MOS。
P型 SiC 技术进展 对于击穿电压超过10 kV的SiC开关器件而言,N沟道IGBT的性能优于P沟道IGBT,亟需低电阻的P型衬底。 目前,有2种P型4H-SiC单晶生长方法。业界已经通过液相法获得了低电阻率(35mQ-cm) P型4H-SiC晶体,但目前溶液生长尚未实现商业化;部分厂商通过 PVT 法生长 P 型4H-SiC 单晶,但商用 P 型 4H ...
碳化硅SiC晶片 2英寸 4H-N导电型 厚度350μm 光伏发电射频单晶衬底 HFDJ-1103 10000 合肥单晶材料 100级洁净袋,1000级超净室 20221102 ￥1.0000元10~-- 片 合肥单晶材料科技有限公司 3年 查看下载 立即订购 查看电话 QQ联系 碳化硅SiC单晶衬底专业工厂4H/6H导电半绝缘 片/块/锭 均可定制 HFDJ-98 ...
4H SiC单晶的制备主要通过物质转移法和易溶法两种方法。物质转移法是最常用的方法之一,它通过在高温下将硅和碳源放置在反应炉中,通过反应生成4H SiC单晶。易溶法则是将硅和碳源溶解在溶剂中,然后通过降温结晶得到单晶。这些方法都需要严格的温度控制和反应条件,以获得高质量的4H SiC单晶。 应用领域 由于其优异的特性...
使用物理气相传输法(PVT)制备出直径 209 mm 的 4H-SiC 单晶,并通过多线切割、研磨和抛光等一系列加工工艺制备出标准 8 英寸 SiC 单晶衬底。使用拉曼光谱仪、高分辨 X-射线衍射仪、光学显微镜、电阻仪、偏光应力仪、面型检测仪、位错检测仪等设备,对 8 英寸衬底的晶型、结晶质量、微管、电阻率、应力、面型、位错...
合盛8英寸导电型4H-SiC衬底项目全线贯通 重点新闻 捷报频传,再起新程。合盛硅业下属单位宁波合盛新材料有限公司(以下简称“合盛新材料”),于近期正式宣布8英寸导电型4H-SiC衬底项目已实现全线贯通。这一里程碑式的成就标志着合盛新材料在第三代半导体材料领域取得了重大技术突破,全面跻身行业第一梯队。
结论：由徐现刚教授领衔的 山东大学晶体材料所和南砂晶圆团队使用 PVT 生长方法制备了 8 英寸导电型 4H-SiC 单晶，并加工成了厚度520μm 的 8 英寸 4H-SiC 衬底。衬底微管密度小于 0.3/cm2，4H-SiC 晶型比例100%，电阻率平均值 22mΩ·cm，不均匀性小于 4%，衬底(004) 面高分辨 XRD 5点摇摆曲线半峰...