2023年7月,该公司采用液相法制备出了低缺陷的8英寸SiC晶体,通过热场、溶液设计和工艺创新突破了碳化硅单晶高质量生长界面控制和缺陷控制难题,尚属业内首创,有望为后续开发P型SiC衬底提供技术支撑。
2014年11月 JOURNALOFSYNTHETICCRYSTALSNovember,2014 檨檨檨檨檨檨檨殎 简报 高纯半绝缘 4H-SiC 单晶的生长 昆,陈秀芳,杨祥龙,彭燕,胡小波,徐现刚杨 (山东大学晶体材料国家重点实验室,济南250100) 摘要:使用物理气相传输方法(PVT)制备了直径为3英寸、非故意深能级杂质(如:钒)掺杂的半绝缘4H-SiC晶体。 使用二次...
大直径半绝缘4H-SiC单晶生长及表征
4°偏角4H-SiC单晶快速外延生长工艺研究
sic单晶体低阻生长晶型晶体 &*"*q:MGC低阻4H-Sic单晶体的生长巴音图,陈治明,林生晃,杨明超,刘宗芳(日t4T★f自}18§目i7lO¨s)*i:*mPvTcPh州wlvt呷Tnmw。n)&’眯&§≯■∞№q㈣*;镕#m*目-m4H_sIC#8∞《Ⅲ***Ⅲ,H#日mm目d^∞m&口≈A1965一t99"C&目n".&±*nR十a^《■#*■1№)+...
本发明属于sic单晶液相生长。具体地,本发明涉及用于制备n型4h-sic单晶的方法。 背景技术: 1、碳化硅(sic)是受到广泛关注的宽带隙半导体材料之一,具有密度低、禁带宽度大(室温下,4h-sic的带隙为3.2ev)、击穿场强高(约为si的10倍)、饱和电子迁移率高(约为si的2倍)、热导率高(si的3倍、gaas的10倍)和化学稳定...
SiC晶体生长的动力学过程.模拟表明,在SiC的生长过程,保持台阶流生长模式是获得单一稳定4H-SiC晶体的一个重要因素;快的扩散速率和低的生长速率有利于获得高质量,低粗糙度的4H-SiC单晶薄膜;增原子在台阶处的扩散存在Inverse ES势垒,这是导致台阶聚束出现的一个重要原因,而台阶聚束的出现是4H-SiC生长中出现6H等多型...
PVT法生长SiC单晶中V掺杂行为研究 星级: 60 页 PVT法生长4HSiC单晶工艺的初步探索 星级: 50 页 PVT法SiC单晶生长过程中的晶型变化论文 星级: 3页 PVT法生长4HSiC单晶工艺的初步探索 星级: 49 页 PVT法生长4HSiC单晶工艺的初步探索 星级: 46 页 籽晶处理工艺对PVT法生长SiC单晶的影响 星级: 1页 ...
高质量快速SiC外延生长工艺技术是目前高压电力电子器件研制的关键工艺技术。本文采用HCl气体作为含C1化合物,研究了不同温度、气相C/Si摩尔比、刻蚀工艺等对于SiC外延... 毛开礼 - 全国晶体生长与材料学术会议 被引量: 1发表: 2015年 SiC单晶生长技术及器件研究进展 综述了近年来国外SiC单晶及外延层生长,分立器件和集...
本发明公开一种提高SiC晶体生长效率及质量的方法及装置,所述方法包括步骤:通过液态Si获取气态Si;通入气态CH4,CH4在设定温度下裂解,然后与气态Si发生反应,在保护气氛围下提拉,旋转籽晶以实现SiC晶体生长前沿热场的调控,稳定以及大质量SiC单晶的生长,得到SiC... 卢合强,刘佑铭,平延磊,... 被引量: 0发表: 0年...