4H-SiC作为第三代半导体材料,具有较高的击穿电压、热稳定性和电子迁移率,使其在高压、高温环境下具有较好的性能表现。然而,高压下4H-SiC的结构、电子和光学性质尚未得到系统研究。本文通过理论计算,对高压下4H-SiC的性质进行了研究,以期为实验研究和应用提供理论指导。 二、4H-SiC结构性质分析 采用第一性原理计算方...
研究人员发现,对于典型的衬底掺杂水平,SiC衬底电阻率最低在425K左右,这是由于随着温度的升高,迁移率的降低和载流子浓度的增加之间存在竞争。对5.8×1018cm-3氮掺杂SiC衬底提取了N供体(六方/立方位)的测量能级,发现其分别为15meV和105meV。
(1.新疆理工学院理学院,阿克苏843100;2.新疆理工学院机电工程学院,阿克苏843100)摘要:采用基于密度泛函理论的第一性原理方法,计算了Li掺杂4H-SiC体系的电子结构及光学性质.结果表明,掺杂前后的4H-SiC均为间接带隙半导体,Li原子间隙掺杂后形成n型半导体,Li原子替位式掺杂体系的禁带中出现了杂质能级,降低了电... ...
SiC 具有250多种多型,不同的多型具有不同的物理性质.SiC 中几个基本多型是2H ,4H ,6H ,属纤维锌矿结构,具C 6v 结晶对称性,它们在a 轴方向几乎相等(相差不超过1%).但在c 方向却分别对应着2,4和6个单元的重复.不同的多型具有不同的带隙,电子迁移率,热导率等也不相同.4H 2SiC 由于具有最大的禁带...
一种基于光生载流子效应的拉曼光谱表征4h-sic电学性质方法,其特征在于:采用一个包括紫外激光光源、白光光源、共聚焦狭缝、三维位移平台、ccd探测器以及计算机的激光显微共聚焦拉曼测试系统,其中,紫外激光光源用来辅助聚焦并激发样品的拉曼信号;白光光源用来照明样品,辅助观察样品轮廓和形貌;共聚焦狭缝用来滤除聚焦点以外样品...
采用基于密度泛函理论的第一性原理研究了4H-SiC(001)定位掺杂 Ni的磁性,结果表明相对于掺杂前表面悬挂键的存在使体系具有弱磁性,Ni定位取代 Si位置后得到的体系更加稳定.对比分析了 Ni 定位取代不同数量的 C与 Si原子后,得出取代C原子比取代 Si原子得到的磁矩大,而且奇数倍的取代较偶数倍取代得到的磁矩大.定位取...
Ni定位掺杂4H-SiC(001)磁性与光学性质的研究 采用基于密度泛函理论的第一性原理研究了4H-SiC(001)定位掺杂 Ni的磁性,结果表明相对于掺杂前表面悬挂键的存在使体系具有弱磁性,Ni定位取代 Si位置后得到的体系更加稳... 侯岸宏,炎正馨,张少华,... - 《材料导报》 被引量: 0发表: 2018年 ...
在计算4H-SiC性质的时候结构怎么乱了,少了一块,这会不会影响计算结果 图片1.png回复此楼» 猜你喜欢给杰青优青改名字这种明显的掩耳盗铃的事儿为啥会发生? 已经有14人回复 看了一位21年获得面上项目的同事真是感慨。 已经有14人回复 研究成果被中文期刊接收后退稿,改投英文期刊可以吗? 已经有8人回复 ...
K eyw ords SiC,Schottky contacts,Barrier,Magnetic fields 1 引 言 第三代宽带隙半导体SiC材料由于具有宽带 隙、高临界电场、高电导率、高载流子饱和漂移速度、耐腐蚀性强等特点,在高温、高频、大功率、光电子及 抗辐射等领域比传统的Si材料具有极大的应用潜 力[1,2].但由于SiC单晶和外延材料制备上的困难,...