从下表参数看，4H SiC本征载流子浓度和电子迁移率都比6H SiC高很多。更高的电子迁移率un，可以得到更...
总结 4H SiC单晶作为一种重要的宽禁带半导体材料,具有优异的物理和化学性质,广泛应用于高功率电子器件、高温传感器和光电器件等领域。通过合适的制备方法,可以获得高质量的4H SiC单晶原料。未来,随着技术的进一步发展,4H SiC单晶的应用领域将会更加广泛,为各个领域带来更多的创新和发展机会。©...
4H-SiC（碳化硅）是一种宽禁带半导体材料，具有优异的物理和化学性质，如高热导率、高电子迁移率、高击...
其中4H-SiC作为一种典型的SiC晶体结构,具有独特的晶格结构和优异的性能。 4H-SiC晶体属于闪锌矿结构,由Si和C原子交替排列而成。晶体结构可以理解为一种有序的、周期性重复的排列方式,其原子之间的相互作用形成了晶体的特殊性质。在4H-SiC晶体中,每个Si原子和相邻的4个C原子形成一个四面体结构,而每个C原子则与3个...
半导体碳化硅(4H-SiC)材料具有硬度高、脆性大、化学性质稳定等特点,一般使用化学机械抛 光工艺来加工 SiC 以获得超光滑平坦表面。湿法氧化作为单晶 SiC 化学机械抛光的重要过程,直接影 响着 CMP 的速率和表面质量。本文综述了目前单晶 SiC 湿法氧化的研究现状,讨论了 SiC 湿法氧化工 艺所选用的氧化剂,如 KMnO4、...
研究人员发现,对于典型的衬底掺杂水平,SiC衬底电阻率最低在425K左右,这是由于随着温度的升高,迁移率的降低和载流子浓度的增加之间存在竞争。对5.8×1018cm-3氮掺杂SiC衬底提取了N供体(六方/立方位)的测量能级,发现其分别为15meV和105meV。
4H-SiC作为第三代半导体材料,具有较高的击穿电压、热稳定性和电子迁移率,使其在高压、高温环境下具有较好的性能表现。然而,高压下4H-SiC的结构、电子和光学性质尚未得到系统研究。本文通过理论计算,对高压下4H-SiC的性质进行了研究,以期为实验研究和应用提供理论指导。 二、4H-SiC结构性质分析 采用第一性原理计算方...
摘要:高温压力传感器研制的主要目的是解决高温恶劣环境下的压力测量问题,SiC是制造高温压力传感器的理想材料,结合薄膜技术与陶瓷厚膜技术,提出了一种新型的4H-SiC无线无源电容式高温压力传感器设计方案。应用Ansys有限元分析软件进行仿真, 600 ℃时灵敏度为2.65 MHz/bar,说明传感器在高温下具有较高的灵敏度,对制备过程中...
4H-SiC 是 SiC 常用的晶体结构之一,其熔点随着晶体结构的不同而不同。那么,4H-SiC 的熔点是多少呢? 首先,我们需要了解一下什么是熔点。熔点是物质从固态转化为液态的温度,是物质的一种物理性质。熔点的高低决定了物质的热稳定性和加工难度等特征。 4H-SiC 的熔点在晶体结构的不同形态下会有所不同。晶体结构...