在半导体产业链中,晶圆制造的基础在衬底,衬底是所有半导体芯片的底层材料,主要起到物理支撑、导热及导电作用,特别是在SiC功率半导体器件中,由于使用了同质外延,SiC衬底质量的优劣直接影响外延材料的质量,进而对SiC功率半导体器件的性能发挥具有决定性的作用。 高质量SiC衬底的获得存在单晶制备和加工两方面的难度,一方面SiC...
在半导体产业链中,晶圆制造的基础在衬底,衬底是所有半导体芯片的底层材料,主要起到物理支撑、导热及导电作用,特别是在SiC功率半导体器件中,由于使用了同质外延,SiC衬底质量的优劣直接影响外延材料的质量,进而对SiC功率半导体器件的性能发挥具有决定性的作用。 高质量SiC衬底的获得存在单晶制备和加工两方面的难度,一方面SiC...
近日,山东大学徐现刚教授团队在8英寸导电型碳化硅(SiC)单晶衬底制备技术领域取得新突破。该团队与南砂晶圆半导体公司合作,采用物理气相传输法(PVT)扩径制备了8英寸导电型4H-SiC单晶,并加工成厚度520μm的8英寸4H-SiC衬底,经测试表征,衬底微管密度小于0.3/cm2,4H-SiC晶型比例100%,电阻率平均值22mΩ•cm,不均匀性...
大尺寸高质量 SiC单晶衬底是制造 SiC 功率半导体器件的基础。近年来全球碳化硅领域以 6 英寸衬底为主,由于电动汽车渗透率不断增高,对 SiC 器件的需求不断增加,推升了对 SiC 衬底产能的需求。为增加产能供给,也为进一步降低 SiC 器件的平均成本,扩大 SiC 衬底尺寸是重要途径之一。 为此,业界将目标锁定在 8 英寸 ...
通过物理气相传输法（PVT）扩径生长，获得直径209 mm的4H-SiC单晶。经过切、磨、抛等工艺，制成8英寸衬底。使用拉曼光谱仪、高分辨X-射线衍射仪等设备，对其特性进行表征。1.2 性能表征 拉曼光谱检测结果显示，8英寸衬底晶型为单一4H型，无其他晶型。X-射线衍射结果显示，结晶质量良好。光学显微镜检测...
近日,山东大学徐现刚教授团队在8英寸导电型碳化硅(SiC)单晶衬底制备技术领域取得新突破。该团队与南砂晶圆半导体公司合作,采用物理气相传输法(PVT)扩径制备了8英寸导电型4H-SiC单晶,并加工成厚度520μm的8英寸4H-SiC衬底,经测试表征,衬底微管密度小于0.3/cm2,4H-SiC晶型比例100%,电阻率平均值22mΩ•cm,不均匀性...
近期,北京天科合达半导体股份有限公司在4H-SiC单晶衬底制备方面取得重要突破。相关成果以研究快报《8英寸导电型4H-SiC单晶衬底制备与表征》(第一作者娄艳芳,通信作者刘春俊)发表在《人工晶体学报》2022年第12期。该团队使用PVT法通过多次扩径生长将SiC晶体直径扩大到209 mm,并通过多线切割、研磨、抛光等一系列加工工艺...
核心提示:山东大学晶体材料国家重点实验室从 2002 年开始启动碳化硅单晶的生长和衬底加工工作,攻克了多项关键技术。从 2018 年开始对 8 英寸籽晶和导电型 4HSiC 单晶生长和衬底加工进行了研究,经过多年的理论和技术攻关,实现了高质量 8 英寸导电型 4H-SiC 单晶和衬底的制备。
我司联合山东大学晶体材料国家重点实验室经过多年的理论和技术攻关,实现了高质量8英寸导电型4H-SiC单晶和衬底的制备。经测试,衬底具有较高的结晶质量,边缘扩径区域没有小角度晶界缺陷。以下为对衬底的晶型、微管、电阻率和结晶质量进行表征结果。 晶体经过滚圆、磨平面整形后,获得标准直径的8英寸导电型4H-SiC晶锭,如...
8英寸导电型4H-SiC衬底的全线贯通,不仅为合盛自身发展注入了强劲动力,更为全球半导体产业的高质量发展提供了有力支撑。未来,合盛新材料将继续秉承创新驱动发展战略,深耕半导体材料领域,为推动全球科技进步贡献更多“中国智慧”与“中国力量”。 (合盛硅业)