高质量SiC衬底的获得存在单晶制备和加工两方面的难度,一方面SiC通常需要在高温(>2000℃)的环境中生长,而且SiC存在 250 多种晶型,因此制备高质量单一晶型的成本和难度非常大;另一方面,SiC硬度与金刚石接近,单晶的加工难度和成本都很高。据测算,在SiC器件制造各环节中,衬底占成本近 50%。衬底尺寸越大,单位衬底可集成...
4H-SiC是由相等数量的立方键和六方键组成的单晶,具有ABCB的堆叠顺序和高结晶度。单晶4H-SiC电极允许更好地理解固体电极界面,因为它具有清洁、清晰和有序的表面。 美国奥克兰大学曾向群教授设计、制造并表征了第一个用于感测神经递质多巴胺(DA)的掺杂氮(N)的单晶4H-SiC(4H-SiC)电极。与尿酸(UA)、抗坏血酸(AA)...
所以3C SiC 目前还没有体单晶可以做衬底，所以3C SiC 可以用来制造高频薄膜器件，而不是功率MOS。
2206241126424H-SiC单晶99.999% 直径1英寸×0.5mm(晶向001) 单抛1件询价咨询客服3天 提示信息:偏远地区如新疆西藏宁夏甘肃等地可能无法运送液体,下单前请联系客服。 公司简介 上海科拉曼试剂有限公司(原上海紫一试剂厂) 。经过我们不断改善的优良品质,在海外获得大好市场,赢得了大批国外进口商的青睐和首肯。十多年的...
此外,4H SiC单晶还可用于制作高温传感器,如温度传感器和压力传感器,其工作温度可达到1000℃以上。在光电器件方面,4H SiC单晶可以用于制作高功率激光二极管和紫外光发射器等。 总结 4H SiC单晶作为一种重要的宽禁带半导体材料,具有优异的物理和化学性质,广泛应用于高功率电子器件、高温传感器和光电器件等领域。通过合适的...
其中,数字表示一个晶胞沿着(001)方向的碳硅双原子层数,C表示立方晶系(Cubic),H表示六方晶系(Hexagonal),R表示三方晶系(Rhombohedral)。F-43m的碳化硅晶体就被写成3C-SiC;P63mc、Z=4的碳化硅晶体就被写成4H-SiC;P63mc、Z=6的碳化硅晶体就被写成6H-SiC。 形象的周期体现在(110)(11-20)面上,分别对应晶面的...
其中六方结构的 4H 型(4H-SiC)等少数几种晶体结构的单晶型碳化硅才是所需的半导体材料,在晶体生长过程中需要精确控制硅碳比、生长温度梯度、晶体生长速率以及气流气压等参数,需要精确的材料配比、热场控制和经验积累,才能在高温下制备出无缺陷、皆为 4H 晶型的可用碳化硅衬底否则容易产生多晶型夹杂,导致产出的晶体不...
据透露,目前南砂晶圆公司已成功生长出单一4H晶型8英寸SiC 晶体,加工出8英寸SiC晶片。 嘉宾简介 陈秀芳,山东大学教授,广州南砂晶圆半导体技术有限公司总经理助理。主要从事宽带隙碳化硅等半导体材料及相关器件、超硬材料加工及纳米材料的研究。在该领域中,取得系列重要应用型科研成果,先后主持承担了国家科技重大专项、97...
摘要:采用预处理工艺对源粉进行改性,成功生长出4H-SiC单晶,提高了SiC晶体的多型稳定性。为了提高SiC源粉中的C/Si比,将SiC源粉与液态碳源混合,然后在1200℃下预热,改性源粉生长的SiC单晶呈现完整的4H多型。用改性源粉生长的SiC晶体的摇摆曲线值和缺陷密度均小于用常规源粉生长的SiC晶体。
单晶4H-SiC层(3)的膜厚为X[μm]时,凹部(2)的直径Y[μm]是0.2×X[μm]以上、2×X[μm]以下,且凹部(2)的深度Z[nm]是0.95×X[μm]+0.5[nm]以上、10×X[μm]以下。 法律状态 法律状态公告日 法律状态信息 法律状态 权利要求说明书 1.一种单晶4H-SiC衬底的制造方法,其特征在于,包括: 准备具有...