4H-SiC晶体基片 技术参数 晶体结构: 六方晶系 晶格常数:a=3.08Å c=10.05Å 熔点2827℃ 硬度(Mohs):≈9.2 方向:生长轴或偏(0001) 3.5° 密度(g/cm3)3.16 带隙:2.93eV (间接) 导电类型:N导电 电阻率:0.1-0.01 ohm-cm 介电常数:e(11) = e(22) = 9.66 e(33) = 10.33 导...
对3C-SiC的初始总能量计算,找到了一个平衡晶格常数a=4.348 。计算出的电荷转移性质表明,在4H-SiC和 3C -SiC中,每一个硅原子失去约1.4个电子,被一个碳原子获得00分享举报相关问题 Cygwin安装教程 初学linux时,最头疼的是,因为windows和linux各有优点,各有用途,所以只能麻烦的在两者之间切 介电常数检测_介电常数...
2.晶格常数:a=3.073?,c=10.05? 3.晶体结构:六方 4.排列次序:ABCB 5.方向:生长轴或偏<0001>4° 6.带隙:3.26eV 7.硬度:9.2(mohs) 8.密度:3.21g/cm3 9.热导率:2.0 w/Cm.k 10.尺寸:2mm×3mm×50mm 11.抛光方向:双面抛光 12.晶相:4H-SiC; <0001>偏4° 13.镀膜:900-1200nm增透,1700±50nm...
最小的总能量是位于晶格常数为4。35Å处。 事实在密度泛函理论物理量体系的基态总能量。最近,我们已经演算了立方结构的SiC初步总能量的计算。计算3C—SiC的总能量在不同的晶格常数(见图4)。图4中的总能量计算使用的电子电荷的最佳基组是由BZW程序确定的密度。计算出3C—SiC的平均晶格常数,即在总能量曲线的最低...
晶格常数:a=3.08 Å c=15.08 Å 方向:生长轴或 偏<0001> 3.5 º 带隙:2.93 eV (间接) 硬度:9.2(mohs) 热传导@300K:5 W/ cm.k 介电常数:e(11)=e(22)=9.66 e(33)=10.33 尺寸:10x3,10x5,10x10,15x15,,20x15,20x20,dia2”, 15 x 15 mm,10x10mm 等 ...
引言 研究背景与意义 要点一 背景 4H-SiC埋沟MOSFET（Metal-Oxide-SemiconductorField-EffectTransistor）是一种新型的高频、高压、高性能的半导体器件，广泛应用于电力电子、航空航天、国防等领域。然而，在高温、高压、高频率等极端环境下，其击穿特性对器件的性能和可靠性具有重要影响。要点二 意义 研究4H-SiC埋沟...
晶格常数: a=3.08 Å c=15.08 Å 排列次序: ABCACB 硬度: 9.2(mohs) 介电常数: e(11)=e(22)=9.66 e(33)=10.33 尺寸1(mm): 10x5, 10x10, 15x15, 20x15, 20x20, dia2”等 厚度: 0.5-1.0mm 晶向: <001>±0.5º 抛光: 单面或双面 晶面定向精度: ±0.5° 边缘定向精度: ...
晶格常数: a=3.08Åc=10.05Å 熔点2827℃ 硬度(Mohs): ≈9.2 方向: 生长轴或偏(0001) 3.5° 密度(g/cm3)3.16 带隙: 2.93eV (间接) 导电类型: N导电 电阻率: 0.1-0.01ohm-cm 介电常数: e(11) = e(22) = 9.66 e(33) = 10.33
4H-SiC的空间群为C46v-P63mc, 晶格常数是a=b=3.081 Å, c=10.061 Å, α=β=90°, γ=120°, 由此建立起4H-SiC原胞框架. 本文考虑到实际实验中Al的最大掺杂浓度(1×1020 cm–3), 超晶胞原子数至少要大于512个原子(1.875×1020 cm–3); 但受到计算能力的限制, 不能无限扩大超晶胞, 因此...
籽晶升华法 ,PVT(物理气相传输) 晶体结构 六方 晶格常数 a=3.08 Å c=15.08 Å 方向 <0001>或 <0001>偏4 º 带隙 2.93 eV (间接) 硬度 9.2(mohs) 热传导@300K 5 W/ cm.k 介电常数 e(11)=e(22)=9.66 e(33)=10.33 尺寸 10x3,10x5,10x10,15x15,,20x15,20x20, ...