2dsinθ = nλ 其中,d为晶面间距离,θ为衍射角度,n为衍射阶次,λ为入射X射线的波长。 对于4H-SiC晶体,(004)晶面间距离d可以通过晶格常数a计算得出。4H-SiC的晶格常数通常为a = 3.073 Å。 将λ设定为入射X射线的波长,假设为Cu Kα辐射(λ = 1.5406 Å),代入上述方程即可计算出衍射角度θ。©...
4H-SiC晶体基片 技术参数 晶体结构:六方晶系 晶格常数:a=3.08Å c=10.05Å 熔点2827℃ 硬度(Mohs):≈9.2 方向:生长轴或偏(0001) 3.5° 密度(g/cm3)3.16 带隙:2.93eV (间接) 导电类型:N导电 电阻率:0.1-0.01 ohm-cm 介电常数:e(11) = e(22) = 9.66 e(33) = 10.33 ...
4H sic 晶格常数 晶格参数为0.3081 1.0093 3C和4H-SiC中的电子结构和电荷转移 摘要:我们使用一个局部密度泛函势、原子轨道线性组合(LCAO)法以及BZW程序,研究了3C-SiC和4H-SiC的电子结构。我们计算了能带、带隙、n-型载流子的有效质量以及临界点转变能量。计算出的电子性
对于4H-SiC晶体,其晶格常数为a=3.08Å,c=10.08Å,晶面间距为d=3.08Å。这些参数决定了晶体的晶胞大小和原子之间的相对位置,对于材料的电学、光学和力学性能有着重要影响。 4H-SiC晶体的带隙也是其重要的特性之一。带隙是指固体中能量带的间隔,对于半导体材料来说,带隙决定了其导电性质。4H-SiC晶体的带隙约...
2.晶格常数:a=3.073?,c=10.05? 3.晶体结构:六方 4.排列次序:ABCB 5.方向:生长轴或偏<0001>4° 6.带隙:3.26eV 7.硬度:9.2(mohs) 8.密度:3.21g/cm3 9.热导率:2.0 w/Cm.k 10.尺寸:2mm×3mm×50mm 11.抛光方向:双面抛光 12.晶相:4H-SiC; <0001>偏4° 13.镀膜:900-1200nm增透,1700±50nm...
计算出3C—SiC的平均晶格常数,即在总能量曲线的最低值4。35Å,此值与实测值晶格4.348Å[43]很好的吻合.对3C—SiC的体积模量计算,从图4中的总能量曲线得出为2。2Mbar,这也与实验值2.24Mbar[44]很好地吻合。 3。24H- SiC的电子结构 4H—SiC的一些沿高对称性轴的电子能带被描述在图5。布里渊区中的对称...
选择 AlN 作为 4H-SiCOI 平台有几个因素：首先，AlN 在从紫外到中红外波段（高达 11 μm）都是透明的 [10,11]；其次，AlN，特别是单晶AlN，与二氧化硅相比具有大得多的热导率[12]；最后，AlN的晶格常数与4H-SiC的晶格常数非常匹配，这使得这两层之间具有材料兼容性[13]。图 1. (a) 4H-碳化硅-氮化铝...
晶格常数: a=3.08 Å c=15.08 Å 密度: 3.21 g/cm3 方向: 生长轴或 偏<0001> 3.5 º 带隙: 3.26 eV (间接) 硬度: 9.2(mohs) 热传导@300K: 5 W/ cm.k 介电常数: e(11)=e(22)=9.66 e(33)=10.33 尺寸: 可定制 厚度: 0.35mm, 抛光: 单面或双面 粗糙度: Ra≤5Å(...
封装: SiC-2 包装: 100级洁净袋,1000级超净室 最小包装量: 1片 晶系: 六方 带隙: 2.93 eV (间接) 晶格常数: a=3.08 Å c=15.08 Å 排列次序: ABCACB 硬度: 9.2(mohs) 介电常数: e(11)=e(22)=9.66 e(33)=10.33 尺寸1(mm): 10x5, 10x10, 15x15, 20x15, 20x20, dia...
4H-SiC埋沟MOSFET（Metal-Oxide-SemiconductorField-EffectTransistor）是一种新型的高频、高压、高性能的半导体器件，广泛应用于电力电子、航空航天、国防等领域。然而，在高温、高压、高频率等极端环境下，其击穿特性对器件的性能和可靠性具有重要影响。要点二 意义 研究4H-SiC埋沟MOSFET的击穿特性，有助于深入了解其...