碳化硅需要外延的原因有五个方面:1、材料特性:碳化硅功率器件与传统硅功率器件制作工艺不同,不能直接制作在碳化硅单晶材料上,必须在导通型单晶衬底上额外生长高质量的外延材料,并在外延层上制造各类器件。2、提高材料质量:碳化硅衬底在生长过程中可能存在各种缺陷,如晶界、位错、杂质等。这些缺陷会严重影响器件的性能和可...