2dsinθ = nλ 其中,d为晶面间距离,θ为衍射角度,n为衍射阶次,λ为入射X射线的波长。 对于4H-SiC晶体,(004)晶面间距离d可以通过晶格常数a计算得出。4H-SiC的晶格常数通常为a = 3.073 Å。 将λ设定为入射X射线的波长,假设为Cu Kα辐射(λ = 1.5406 Å),代入上述方程即可计算出衍射角度θ。©...
4H-SiC晶体的晶格参数与其性能密切相关。晶格参数是描述晶体结构的重要参数,包括晶格常数、晶面间距等。对于4H-SiC晶体,其晶格常数为a=3.08Å,c=10.08Å,晶面间距为d=3.08Å。这些参数决定了晶体的晶胞大小和原子之间的相对位置,对于材料的电学、光学和力学性能有着重要影响。 4H-SiC晶体的带隙也是其重要的特性...
( 0 0 0 8) plane of 4H SiC 长, L ∃ 为生长方向位错的距离, ∃ ∃ in 为生长方向上的非均匀应 变。 式( 3) 各部分在倒易空间的 qy 可分别表示为2#sin / ∀, 1/ L , 2#t sin/ ∀。于是 #= ∀ 2L sin ( 4) L 为面内的位错间距, #t 为位错对于峰宽 FWHM 的加 宽。
4H-SiC,and characterizethe type,distribution,density andother parameters ofthedefectsin4H—SiC homoepitaxiallayer.The mainresearchresultsareasfollows: Firstthechemical etchingprocess of4H-SiCisdetermined,谢thwhichabetter observationresultscouldbeachieved.The ...
专利权项:1.一种4H-SiC单晶衬底衍射成像时的取向确定方法,其特征在于,包括:获取单晶衬底待测晶面的晶面指数;根据所述晶面指数,确定所述待测晶面的晶面间距;根据所述晶面间距,确定所述待测晶面的衍射角;根据所述衍射角和所述晶面指数,确定放置有所述单晶衬底的样品台的第一旋转角度,以使按照所述第一旋转角度旋转...
与 a 轴和 c 轴垂直的晶面分别为 a 晶面和 c 晶面。 图 2 为超结器件漂移区在 4H-SiC 材料 2 种不同晶向晶圆(00 01)和(110)上的截面示意图。其中,Wn 和 Wp 分别表示 n 型及 p 型柱区的宽度, Na 和 Nd 分别为受主和施主掺杂浓度,tepi 为外延层厚度。Cp 表示单元间距, 等于 Wn+Wp。Ex 和...
8、e of 4H SiCFig 2 Triple axis X ray diff raction on(0008 plane of 4H SiC长, L 为生长方向位错的距离, in 为生长方向上的非均匀应变。式(3 各部分在倒易空间的q y 可分别表示为2#sin /,1/L , 2#t sin /。于是#=2L sin(4L 为面内的位错间距, #t 为位错对于峰宽FWH M 的加宽。关...
4H-SiC外延材料缺陷的检测与分析 热度: 相关推荐 第 !" 卷!第 # 期 !!! 光谱学与光谱分析 $%&'!" ! (%'# ! ))*,,=-*,,# +"*" 年 # 月 !!!.)/012%30%)4567.)/0125&865&4393:;&4 ! +"*"! cS* 法计算 )U=G-R 外延单晶中的位错密度 贾仁需张玉明 " 张义门郭 ! 辉 西安...