6英寸碳化硅SiC晶片4H 导电 厚度1mm 光伏发电射频单晶衬底实验测试 HFDJ-1106 10000 合肥单晶材料 100级洁净袋,1000级超净室 20221102 ￥1.0000元10~-- 片 合肥单晶材料科技有限公司 3年 查看下载 立即订购 查看电话 QQ联系 定制10*10mm碳化硅SiC晶片 4H/6H导电型 射频器件 单晶衬底 实验测试 HFDJ-98...
关于碳化硅晶体碳化硅(SiC)是Ⅳ-Ⅳ族二元化合物, 也是元素周期表Ⅳ组元素中唯一的稳定固态化合物, 是一种重要的半导体材料。 它具有优良的热学、力学、化学和电学性质, 不仅是制作高温、高频、大功率电子器件的优质材料之一,也可以用作基于GaN的蓝色发光二极管的衬底材料。目前用于衬底的碳化硅以4H为主,导电类型分为...
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8英寸碳化硅SiC晶片 4H导电型 高温高压功率器件太阳能光伏材料 价格 ¥ 1.00 起订数 1片起批 发货地 安徽合肥 咨询底价 产品服务 热门商品 非线性光学级晶体LiNbO3库存现货多种尺寸多种晶向出口转内销 ¥ 1.00 钛酸钡(BaTiO3)单晶基片 多种尺寸晶向 现货随订随发 ¥ 1.00 单晶Ho:YAP掺钬铝酸钇...
4H-SiC,单晶 6H-SiC,单晶 晶格参数 a = 3.076 c = 10.053 a = 3.073 c = 15.117 堆叠顺序 ABCB ABCACB 莫氏硬度 ≈9.2 ≈9.2 密度 3.21g/cm3 3.21 g/cm3 热。膨胀系数 4-5 × 10-6/K 4-5×10-6/K 折射率 @ 750nm 否= 2.61 ne = 2.66 ...
1.2 6英寸高纯半绝缘4H-SiC衬底规格 2. 碳化硅半导体材料特性碳化硅晶片具有优异的热力学和电化学性能,具体参数如下表: 3. 碳化硅衬底片的用途导电N型碳化硅衬底主要用于碳化硅外延,制成碳化硅二极管、MOSFET等功率器件,应用在高温高压环境中,应用于新能源汽车、归到交通、智能电网、航天航空等领域。而半绝缘碳化硅衬底...
品名: 碳化硅晶片 晶型: 4H 厚度: 可定制 表面处理: 单面或双面抛光 外观: 薄膜片 尺寸: 2、3、4、6英寸 数量: 1 售卖地区: 全国 外延级 N型与半绝缘型 4H碳化硅(4H-SiC)衬底晶片 价格说明 价格:商品在平台的展示标价,具体的成交价格可能因商品参加活动等情况发生变化,也可能随着购买数量不...
同样,拉曼峰的位置会随着晶片温度的升高而向高频侧偏移,通过分析拉曼光谱位置的偏移和局部温度升高的关系得到了4H-SiC晶片的热导率。结果表明,4H-SiC晶片的热导率在低温情况下随温度升高而升高,此时K∝T 3,当热导率的值达到最大后随着温度的升高而降低,此时K∝T-1,这归因于声子-声子间相互作用和声子缺陷散射...
SIC 类型 SiC单晶片 颜色 绿色 材料 SiC单晶4h-N Thicnkss 1毫米 应用 晶种晶体生长 等级 生产级 表面 抛光 直径 4英寸公里/6英寸英哩 MPD <2cm-2 包装和发货信息 Packaging Details 单晶圆封装在100级清洁室 销售单位: 单一商品 单品包装尺寸:
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