基金项目:国家重点实验室基金资助项目9140C060600606514304004DZ;国家重点基础研究发展计划973资助项目5137000513700014H-SiC004面双晶衍射摇摆曲线的分析马永强13武一宾杨瑞霞1齐国虎李若凡1商耀辉陈昊牛晨亮1.河北工业大学天津300130;.中国电子科技集团公司第十三研究所石
4H-SiC(004)面双晶衍射摇摆曲线的分析 维普资讯 http://www.cqvip.com
Al掺杂4H—SiC同质外延的缓冲层 - 西安电子科技大学
1 XRD ωcurve of 4 H2SiC substrat e 图 2 4 H2SiC 同质外延层的ω扫描摇摆曲线 Fig. 2 XRD ωcurve of 4 H2SiC homoepitaxial layers 波长λ、强度 Io 的 X2 射线照射到晶胞体积 V o 的多晶试样上 , 被照射晶体的面积为 S , 与入射线 夹角为 2θ 方向上产生 ( hkl) 晶面的衍射 , 则入射 ...
摇摆曲线4H-SIC双层原子结构用x射线双晶衍射法(XRD)对4H-SiC衬底和在该衬底上外延生长的4H-SiC单晶样品(004)面进行测试,在所有样品的测试结果中发现,摇摆曲线主峰左侧160"附近均出现傍肩,并且主峰衍射强度也较低.依据x射线衍射理论对系统射线在测试样品(004)面的衍射峰位展宽进行计算,并对4H-SiC原子结构进行了分析...
用x射线双晶衍射法(XRD)对4H-SiC衬底和在该衬底上外延生长的4H-SiC单晶样品(004)面进行测试,在所有样品的测试结果中发现,摇摆曲线主峰左侧160"附近均出现傍肩,并且主峰衍射强度也较低.依据x射线衍射理论对系统射线在测试样品(004)面的衍射峰位展宽进行计算,并对4H-SiC原子结构进行了分析.研究结果证实,摇摆曲线中傍...
蔡树军 (专用集成电路国家级重点实验室,石家庄 050051) 摘要:在高纯半绝缘4H2SiC偏8°衬底上同质外延生长了高质量的外延层,利用X射线双晶衍射、原子力显微镜(AFM)、汞探针C2V以及霍尔效应等测试方法,对样品的结晶质量、表面粗糙度、掺杂浓度以及电子迁移率进行了分析测试,证实外延层的结晶质量相对于衬底有着很大的...
4H-SiC同质外延层的质量表征 0 纳米材料与结构 Nan0materiaI&Structure 4H—SiC同质外延层的质量表征 李佳,冯志宏,陈昊,蔡树军 (专用集成电路国家级重点实验室,石家庄05O051) 摘要:在高纯半绝缘4H—siC偏8.衬底上同质外延生长了高质量的外延层,利用X 射线双晶衍 射,原子力显微镜(AFM),汞探针C_V以及霍尔效应等...