2dsinθ = nλ 其中,d为晶面间距离,θ为衍射角度,n为衍射阶次,λ为入射X射线的波长。 对于4H-SiC晶体,(004)晶面间距离d可以通过晶格常数a计算得出。4H-SiC的晶格常数通常为a = 3.073 Å。 将λ设定为入射X射线的波长,假设为Cu Kα辐射(λ = 1.5406 Å),代入上述方程即可计算出衍射角度θ。©...
例如,4H-SiC MOSFET(NO退火)沟道迁移率为35cm2/Vs,这只是体迁移率的3%,而Si MOSFET的沟道迁移率约500cm2/Vs,是前者的7%。此外,4H SiC本征载流子浓度和电子迁移率都比6H SiC高很多,这可以使得在相同电流密度的情况下,得到更低的导通电阻。另外,4H-SiC的(0-33-8)晶面与(0001)面成54.7度的偏角,使用这种...
F-43m的碳化硅晶体就被写成3C-SiC;P63mc、Z=4的碳化硅晶体就被写成4H-SiC;P63mc、Z=6的碳化硅晶体就被写成6H-SiC。 形象的周期体现在(110)(11-20)面上,分别对应晶面的两种写法(hkl)(hkil),如下图所示。 口说无凭,上电镜。这张4H-SiC晶体中,明显出现了2H和6H的层错。 值得注意的事情是,由于碳硅的...
其中,数字表示一个晶胞沿着(001)方向的碳硅双原子层数,C表示立方晶系(Cubic),H表示六方晶系(Hexagonal),R表示三方晶系(Rhombohedral)。F-43m的碳化硅晶体就被写成3C-SiC;P63mc、Z=4的碳化硅晶体就被写成4H-SiC;P63mc、Z=6的碳化硅晶体就被写成6H-SiC。 形象的周期体现在(110)(11-20)面上,分别对应晶面的两...
Schulze[6]和Straubinger[7]等采用不同籽晶的不同生长面进行生长,结果表明:只有采用4H的碳面作为籽晶,4H2SiC晶型才能稳定;采用其他晶面作为籽晶容易导致多型夹杂。Rost等[8]进一步研究表明,采取4H碳面偏向<112-0>方向的籽晶,可以稳定4H2SiC的晶型;随着偏角的增大,微管和缺陷密度降低。本文通过拉曼光谱对生长的...
半导体4H-SiC中基面位错滑移带(BPSB)的表征和外延传播是关键研究领域。4H-SiC因其高工作温度和低损耗特性在电力电子领域受到重视，但晶面缺陷如基面位错(BPD)和堆垛层错(BSF)的控制对其器件性能至关重要。同步加速器X射线形貌技术(XRT)被用于高精度探测BPSB，它显示为密集平行BPD阵列，与BSF在形态上相似...
形象的周期体现在(110)(11-20)面上,分别对应晶面的两种写法(hkl)(hkil),如下图所示。 口说无凭,上电镜。这张4H-SiC晶体中,明显出现了2H和6H的层错。 值得注意的事情是,由于碳硅的四配位要求,会出现重复位置的硅层和碳层;三层中必然有两层是同一位置的。也就是说,A层碳会连接一层的A层硅,以及一层...
现有研究认为六方SiC的堆垛层错主要起源于衬底缺陷。Yamamoto等通过X射线形貌法证明了SiC外延层的SF起源于衬底的SF。Zhang等报告了外延层中的两种SF，一种沿(0001)面内传播形成基平面SF，另一种沿垂直于(0001)的晶面内传播形成棱镜面SF，它们源自衬底的BPD、TED或TSD。Zhou等证实了SiC外延层中3C-SF起...
此外,也有研究者使用过硫酸钾(K2S2O8)作为氧化剂、Al2O3作为磨料对 6H-SiC 的不同 晶面进行 CMP 实验,以此来研究 SiC 的晶面各向异性对 CMP 的影响。实验数据表明, C 面 MRR 最大可达 1184 nm/h,远大于 Si 面的 MRR 最大值 349 nm/h。使用 XPS 进一步分 析抛光表面,发现抛光后 Si 面氧化物含量...
5 W/ cm.k 介电常数 e(11)=e(22)=9.66 e(33)=10.33 尺寸 10x3,10x5,10x10,15x15,,20x15,20x20, Dia2”,Dia4”等 厚度 0.33mm,0.35mm或者按照客户要求定做 抛光 单面或双面 晶向 <0001>±0.5º 晶面定向精度: ±0.5° 边缘定向精度: ...