采用KrF准分子激光辐照4H-SiC制备石墨烯层,从4H-SiC晶面取向对石墨烯生长质量影响的角度开展研究工作,分析激光能量密度,脉冲数及晶面取向对石墨烯质量的影响.当激光能量密度为1.06 J/cm^2,脉冲数为8000时,4H-SiC样品极性Si(0001)面和非极性a(11`20)面上生长的石墨烯质量均达到最好.石墨烯与4H-SiC衬底极性Si(...