在此基础上针对两 种不同缺陷分别提出了相应外延优化工艺:缓冲层优化工艺和生长前衬底刻蚀优化工艺。实验结果显示,这两种优化工艺有 效降低了三角型缺陷的数量,提高了外延晶片质量。 关键词:4H-SiC;同质外延;三角型缺陷;缓冲层优化;衬底预刻蚀 温、高频、大电流等。这些要求超出了传统硅(Si) 材料电力电子器件的...
2014 文章编号:2095-5944 (2014) 06-0046-04 中图分类号:TN 304.2 文献标志码:A 4H-SiC 外延晶片表面三角型缺陷形成机制 及其优化工艺的研究 钱卫宁1,冯淦1,钮应喜2,孙永强1,李奕洋1 (1. 瀚天天成电子科技(厦门)有限责任公司,福建省 厦门市 361101; 2. 国网智能电网研究院,北京市 昌平区 102211) Study...