2dsinθ = nλ 其中,d为晶面间距离,θ为衍射角度,n为衍射阶次,λ为入射X射线的波长。 对于4H-SiC晶体,(004)晶面间距离d可以通过晶格常数a计算得出。4H-SiC的晶格常数通常为a = 3.073 Å。 将λ设定为入射X射线的波长,假设为Cu Kα辐射(λ = 1.5406 Å),代入上述方程即可计算出衍射角度θ。©...
例如,4H-SiC MOSFET(NO退火)沟道迁移率为35cm2/Vs,这只是体迁移率的3%,而Si MOSFET的沟道迁移率约500cm2/Vs,是前者的7%。此外,4H SiC本征载流子浓度和电子迁移率都比6H SiC高很多,这可以使得在相同电流密度的情况下,得到更低的导通电阻。另外,4H-SiC的(0-33-8)晶面与(0001)面成54.7度的偏角,使用这种...
Zhang等报道了外延层中的两种SF, 一种SF在(0001)面内传播形成基平面SF, 另外一种在垂直于(0001)的晶面内传播形成棱镜面SF, 它们起源于衬底的BPD、TED或TSD。Zhou等的研究证实SiC外延层中3C-SF起源于衬底的TSD, TED或者应力, 在形貌上表现为三角形。Hassan等报道SiC PiN二极管中,衬底的BPD在外延过程中分解为两...
F-43m的碳化硅晶体就被写成3C-SiC;P63mc、Z=4的碳化硅晶体就被写成4H-SiC;P63mc、Z=6的碳化硅晶体就被写成6H-SiC。 形象的周期体现在(110)(11-20)面上,分别对应晶面的两种写法(hkl)(hkil),如下图所示。 口说无凭,上电镜。这张4H-SiC晶体中,明显出现了2H和6H的层错。 值得注意的事情是,由于碳硅的...
形象的周期体现在(110)(11-20)面上,分别对应晶面的两种写法(hkl)(hkil),如下图所示。 口说无凭,上电镜。这张4H-SiC晶体中,明显出现了2H和6H的层错。 值得注意的事情是,由于碳硅的四配位要求,会出现重复位置的硅层和碳层;三层中必然有两层是同一位置的。也就是说,A层碳会连接一层的A层硅,以及一层...
半导体4H-SiC中基面位错滑移带(BPSB)的表征和外延传播是关键研究领域。4H-SiC因其高工作温度和低损耗特性在电力电子领域受到重视，但晶面缺陷如基面位错(BPD)和堆垛层错(BSF)的控制对其器件性能至关重要。同步加速器X射线形貌技术(XRT)被用于高精度探测BPSB，它显示为密集平行BPD阵列，与BSF在形态上相似...
形象的周期体现在(110)(11-20)面上,分别对应晶面的两种写法(hkl)(hkil),如下图所示。 口说无凭,上电镜。这张4H-SiC晶体中,明显出现了2H和6H的层错。 值得注意的事情是,由于碳硅的四配位要求,会出现重复位置的硅层和碳层;三层中必然有两层是同一位置的。也就是说,A层碳会连接一层的A层硅,以及一层...
现有研究认为六方SiC的堆垛层错主要起源于衬底缺陷。Yamamoto等通过X射线形貌法证明了SiC外延层的SF起源于衬底的SF。Zhang等报告了外延层中的两种SF，一种沿(0001)面内传播形成基平面SF，另一种沿垂直于(0001)的晶面内传播形成棱镜面SF，它们源自衬底的BPD、TED或TSD。Zhou等证实了SiC外延层中3C-SF起...
JOURNALOFSYNTHETICCRYSTALS June,2010 4H2SiC晶体表面形貌和多型结构变化研究 彭燕 1 ,宁丽娜 1,2 ,高玉强 1 ,徐化勇 1 ,宋生 1 ,蒋锴 1 ,胡小波 1 ,徐现刚 1 (1.山东大学晶体材料国家重点实验室,济南250100;2.嘉兴学院,嘉兴314000) 摘要:利用光学显微镜、显微拉曼光谱仪研究了4H2SiC晶体表面形貌和多型...
此外,也有研究者使用过硫酸钾(K2S2O8)作为氧化剂、Al2O3作为磨料对 6H-SiC 的不同 晶面进行 CMP 实验,以此来研究 SiC 的晶面各向异性对 CMP 的影响。实验数据表明, C 面 MRR 最大可达 1184 nm/h,远大于 Si 面的 MRR 最大值 349 nm/h。使用 XPS 进一步分 析抛光表面,发现抛光后 Si 面氧化物含量...