2dsinθ = nλ 其中,d为晶面间距离,θ为衍射角度,n为衍射阶次,λ为入射X射线的波长。 对于4H-SiC晶体,(004)晶面间距离d可以通过晶格常数a计算得出。4H-SiC的晶格常数通常为a = 3.073 Å。 将λ设定为入射X射线的波长,假设为Cu Kα辐射(λ = 1.5406 Å),代入上述方程即可计算出衍射角度θ。©...
其中,数字表示一个晶胞沿着(001)方向的碳硅双原子层数,C表示立方晶系(Cubic),H表示六方晶系(Hexagonal),R表示三方晶系(Rhombohedral)。F-43m的碳化硅晶体就被写成3C-SiC;P63mc、Z=4的碳化硅晶体就被写成4H-SiC;P63mc、Z=6的碳化硅晶体就被写成6H-SiC。 形象的周期体现在(110)(11-20)面上,分别对应晶面的两...
单晶SiC 由于具有晶面各向异性,其 Si 面和 C 面的物理、化学性质以及氧化和去除机 理都有显著差别,有研究使用基于 ReaxFF 的分子动力学模拟,对 6H-SiC 在 2100K 下的 Si 面和 C 面抛光过程分别进行了模拟。使用金刚石板模型在一定载荷下对处于 H2O 体系中 的 C 面和 Si 面进行接触和摩擦。如图 7 所示...
Zhang等报道了外延层中的两种SF, 一种SF在(0001)面内传播形成基平面SF, 另外一种在垂直于(0001)的晶面内传播形成棱镜面SF, 它们起源于衬底的BPD、TED或TSD。Zhou等的研究证实SiC外延层中3C-SF起源于衬底的TSD, TED或者应力, 在形貌上表现为三角形。Hassan等报道SiC PiN二极管中,衬底的BPD在外延过程中分解为两...
形象的周期体现在(110)(11-20)面上,分别对应晶面的两种写法(hkl)(hkil),如下图所示。 口说无凭,上电镜。这张4H-SiC晶体中,明显出现了2H和6H的层错。 值得注意的事情是,由于碳硅的四配位要求,会出现重复位置的硅层和碳层;三层中必然有两层是同一位置的。也就是说,A层碳会连接一层的A层硅,以及一层...
在4H-SiC晶体中,每个Si原子和相邻的4个C原子形成一个四面体结构,而每个C原子则与3个Si原子和1个C原子相邻,形成了一个六角形的环状结构。这种排列方式使得4H-SiC晶体具有较高的硬度和热稳定性。 4H-SiC晶体的晶格参数与其性能密切相关。晶格参数是描述晶体结构的重要参数,包括晶格常数、晶面间距等。对于4H-SiC晶体...
形象的周期体现在(110)(11-20)面上,分别对应晶面的两种写法(hkl)(hkil),如下图所示。 口说无凭,上电镜。这张4H-SiC晶体中,明显出现了2H和6H的层错。 值得注意的事情是,由于碳硅的四配位要求,会出现重复位置的硅层和碳层;三层中必然有两层是同一位置的。也就是说,A层碳会连接一层的A层硅,以及一层...
形象的周期体现在(110)(11-20)面上,分别对应晶面的两种写法(hkl)(hkil),如下图所示。 口说无凭,上电镜。这张4H-SiC晶体中,明显出现了2H和6H的层错。 值得注意的事情是,由于碳硅的四配位要求,会出现重复位置的硅层和碳层;三层中必然有两层是同一位置的。也就是说,A层碳会连接一层的A层硅,以及一层...
在4H晶向中,载流子运输主要发生在垂直于晶面方向的c轴上。这是因为在垂直于该方向的晶面中,载流子与晶格的相互作用较小,从而减小载流子的碰撞散射,提高了载流子的迁移率。 然而,与4H晶向相比,其他晶向的SIC材料具有较低的迁移率。例如,6H-SIC材料的迁移率要低于4H-SIC材料。这是因为6H晶向中,载流子的运输路径存在...
现有研究认为六方SiC的堆垛层错主要起源于衬底缺陷。Yamamoto等通过X射线形貌法证明了SiC外延层的SF起源于衬底的SF。Zhang等报告了外延层中的两种SF，一种沿(0001)面内传播形成基平面SF，另一种沿垂直于(0001)的晶面内传播形成棱镜面SF，它们源自衬底的BPD、TED或TSD。Zhou等证实了SiC外延层中3C-SF起...